公开(公告)号：KR1020030013150A

公开(公告)日：2003-02-14

申请号：KR1020010047488

申请日：2001-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철수 ,  한건국 ,  주영길 ,  고지용 ,  조영환 ,  민경우

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/1337 ,  G02F2202/42

Abstract: PURPOSE: A liquid crystal display device is provided to improve the poor picture quality such as bouncing by controlling a specific resistance(ρ) or a dielectric constant(ε) of an overcoat film, liquid crystal or alignment films. CONSTITUTION: A liquid crystal display device includes a first substrate formed with a plurality of elements and an alignment film over the entire surface, a second substrate facing the first substrate and continuously formed with an overcoat film and an alignment film over the entire surface, and a liquid crystal layer implanted between the substrates, wherein materials for the alignment films, the liquid crystal and the overcoat film satisfy a condition.

Abstract translation: 目的：提供一种液晶显示装置，通过控制外涂膜，液晶或取向膜的电阻率（ρ）或介电常数（ε）来改善诸如弹跳的差的图像质量。 构成：液晶显示装置包括在整个表面上形成有多个元件和取向膜的第一基板，与第一基板相对的第二基板，并且在整个表面上连续地形成有覆盖膜和取向膜，以及 注入在基板之间的液晶层，其中取向膜，液晶和外涂膜的材料满足条件。

公开(公告)号：KR1020020080559A

公开(公告)日：2002-10-26

申请号：KR1020010020185

申请日：2001-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  강호민 ,  임석영 ,  정철수

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A TFT substrate and a method for fabricating the same are provided to prevent the generation of short in contact parts by forming contact holes for exposing boundary lines of wires with tapered side walls, thereby improving the reliability of the contact parts and improving the display performance. CONSTITUTION: A TFT substrate for a liquid crystal display device includes gate wires formed on a substrate with gate lines(22) extended traversely for transmitting scanning signals and gate electrodes(26), a gate insulating film(30) covering the gate wires, a semiconductor pattern(40) formed on the gate insulating film, data wires formed on the gate insulating film or the semiconductor pattern with data lines extended longitudinally, source electrodes(65) connected to the data lines, and drain electrodes(66) facing the source electrodes with respect to the gate electrodes, a protecting film pattern(70) covering the semiconductor pattern and having first contact holes(76) to expose boundary lines of the drain electrodes on the drain electrodes, and pixel electrodes(82) formed on the protecting film and electrically connected to the drain electrodes via the first contact holes.

Abstract translation: 目的：提供TFT基板及其制造方法，通过形成用于露出具有锥形侧壁的导线的边界线的接触孔来防止接触部分产生短路，从而提高接触部件的可靠性并改善显示 性能。 构成：液晶显示装置的TFT基板包括形成在基板上的栅极布线，栅极线（22）横向延伸以传输扫描信号和栅电极（26），覆盖栅极线的栅极绝缘膜（30） 形成在栅极绝缘膜上的半导体图形（40），形成在栅极绝缘膜上的数据线或者纵向延伸的数据线的半导体图案，连接到数据线的源电极（65）和面向源极的漏极（66） 相对于栅电极的电极，覆盖半导体图案的保护膜图案（70），并且具有用于露出漏电极上的漏电极的边界线的第一接触孔（76）和形成在保护层上的像素电极（82） 并且经由第一接触孔与漏电极电连接。

公开(公告)号：KR100309922B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1019980050884

申请日：1998-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심정욱 ,  정철수

IPC: G02F1/136

Abstract: 기판 위에 크롬막/알루미늄-네오디뮴막의 이중막 구조를 가지는 게이트 패드 및 공통 전극을 형성하고, 그 위에 게이트 절연막을 증착한 다음, 제1 데이터 배선용 금속을 증착하고 식각하여 보조 데이터선을 형성한다. 이어, 층간 절연막, 비정질 규소막 및 도핑된 비정질 규소막을 증착하고, 이 삼층막을 연속적으로 식각하여, 박막 트랜지스터가 형성될 부분의 게이트 절연막 상부에 반도체 활성 패턴을 형성하고 보조 데이터선 상부에도 보조 데이터선을 덮는 삼층막 패턴을 남긴다. 이 단계에서, 보조 데이터선의 일부가 드러나도록 삼층막에 접촉구를 형성한다. 제2 데이터 배선용 금속을 증착하고, 식각하여 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극, 데이터선 및 데이터 패드 등을 형성한다. 이 단계에서, 데이터선은 접촉구를 통해 보조 데이터선과 접촉된다. 보호막을 전면에 증착하고 식각하여 게이트 패드의 크롬막 및 데이터 패드가 드러나도록 접촉구를 형성한 후, 이 접촉구를 통해 게이트 패드의 크롬막 및 데이터 패드와 각각 접촉하는 ITO 접촉 패턴을 보호막 위에 형성한다.

公开(公告)号：KR1019980010563A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960030107

申请日：1996-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종인 ,  정철수

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343

公开(公告)号：KR100783702B1

公开(公告)日：2007-12-07

申请号：KR1020010020185

申请日：2001-04-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지만 ,  강호민 ,  임석영 ,  정철수

IPC: G02F1/136

Abstract: 먼저, 크롬의 하부막과 알루미늄 계열의 상부막을 적층하고 패터닝하여 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 가로 방향의 게이트 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 반도체층 및 저항 접촉층을 차례로 형성한다. 이어, 크롬의 하부막과 알루미늄 계열의 상부막으로 이루어진 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이때, 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍은 드레인 전극의 경계선이 드러나도록 형성하고, 보호막 및 게이트 절연막의 측벽이 경사각을 가지는 테이퍼 구조를 가지도록 형성한다. 이어, ITO를 적층하고 패터닝하여 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 형성한다.
알루미늄, ITO, 크롬, 테이퍼, 프로파일

公开(公告)号：KR1020050061260A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：KR1020040027083

申请日：2004-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임도기 ,  정철수

IPC: G02F1/1345

Abstract: 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하여 표시 영역을 정의하는 데이터선, 게이트선과 교차하고 있는 정전기 누설선, 게이트선과 정전기 누설선을 연결하는 다이오드, 절연 기판 위의 표시 영역 밖에 형성되어 있으며 정전기 누설선과 절연된 상태에서 교차하는 데이터선 수리용 수리선을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다. 이와 같이, 수리선을 정전기 누설선과 교차시켜 두면 수리선을 타고 들어오는 정전기가 데이터선에 전달되어 표시 영역의 박막트랜지스터를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100176175B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950051050

申请日：1995-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  정철수 ,  서도원 ,  이정길

IPC: H01L29/786

Abstract: 신규한 박막트랜지스터-액정표시소자의 제조방법이 개시되어 있다. 탭 집적회로가 본딩되는 패드 부위까지 알루미늄 합금으로 이루어진 게이트를 형성한다. 결과물 상에 액티브 패턴, 소옷/드레인 및 화소패턴을 차례로 형성한다. 결과물 상에 패시베이션층을 형성한 후, 이를 식각하여 게이트 패드, 소오스/드레인 패드 및 화소패턴 부위를 동시에 개구시킨다. 소오스/드레인 형성전의 HF 세정공정 및 화소 ITO 증착공정시 알루미늄 합금이 노출되지 않는다.

公开(公告)号：KR100318537B1

公开(公告)日：2001-12-22

申请号：KR1019990009421

申请日：1999-03-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정철수 ,  김영선 ,  이호준 ,  조영환 ,  김현환 ,  민병혁 ,  박운용

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343

Abstract: 가로방향으로형성된게이트선과이에나란하게이중으로형성되어있는공통전극선, 이중의공통전극선을세로방향으로잇는다수의공통전극이기판위에형성되어있고, 세로방향으로데이터보조선이게이트선과절연되어형성되어있으며, 데이터보조선과동일한물질로게이트선및 그인접한공통전극선중 하나와중첩하는수리패턴이형성되어있다. 이러한구조에서게이트선이단선되면, 단선지점의좌·우양측에위치하는각각의수리패턴을게이트선및 공통전극선과레이저단락시킨다음, 단선지점의좌측에위치한수리패턴의좌측부분과우측에위치한수리패턴의우측부분에서공통전극선을레이저를이용하여분리하고, 분리된두 부분사이에서공통전극선과전기적으로연결되어있는공통전극을공통전극선으로부터분리함으로써, 게이트전압이고립된공통전극선과수리패턴을경로로하여게이트선단선지점건너편으로전달되도록한다.

公开(公告)号：KR100268103B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019970024847

申请日：1997-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종인 ,  정철수 ,  박대원 ,  이철용 ,  권철호

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/32134

Abstract: PURPOSE: A method of making wiring is provided to reduce a badness by making an inclined angle of a chrome film be slow, and to reduce a contact resistance with a transparent electrode by reducing the contamination and damage of the chrome film. CONSTITUTION: In the case where a photoresist film is formed at a chrome/nitride chrome dual structure, the nitride chrome film(120) between the chrome film(110) and the photoresist film(130) is firstly etched when the structure is contact with an etch solution. The chrome film(110) is separated from the photoresist film(130). The chrome film(110) is isotropic etched, so that an inclined angle is reduced. The inclined angle may be reduced by increasing an inflow amount of nitrogen according to a lapse or by reducing an inflow amount of argon gas.

Abstract translation: 目的：提供一种制造布线的方法，通过使铬膜的倾斜角度缓慢而降低不良，并且通过减少铬膜的污染和损伤来降低与透明电极的接触电阻。 构成：在以铬/氮化铬双重结构形成光致抗蚀剂膜的情况下，首先在铬膜（110）和光致抗蚀剂膜（130）之间的氮化铬（120）被蚀刻，当结构与 蚀刻溶液。 铬膜（110）与光刻胶膜（130）分离。 铬膜（110）是各向同性的蚀刻，因此倾斜角度减小。 倾斜角度可以通过随着流入量的增加或通过减少氩气的流入量来减少。

公开(公告)号：KR100200356B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960023816

申请日：1996-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종인 ,  정철수

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/136

Abstract: 본 발명은 저반사막 구조를 가진 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 블랙 매트릭스를 산화 크롬/크롬/질화 클롬의 3중층 형태로 형성함으로써 백라이트로부터 액정 기판 내로 들어온 빛이 직접 크로막에 반사되지 않고 얇은 질화 크롬막에서 반사되도록 한다. 질화 크롬막은 크롬막에 비해 반사율이 월등히 낮기 때문에 박막 트랜지스터의 채널부로 반사되어 들어가는 빛의 양을 큰 폭으로 줄일 수 있으므로 광 유도 전류에 의한 누설 전류를 줄일 수 있다. 누설 전류가 적을 수록 화질이 균일해지고 선명해진다.