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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210034522A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020200120292A
申请日：2020-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W8/205 , H04L63/0853 , H04L67/20 , H04L67/30 , H04L67/34 , H04W12/069 , H04W12/35
Abstract: 본 개시는 4G 시스템 이후 보다 높은 데이터 전송률을 지원하기 위한 5G 통신 시스템을 IoT 기술과 융합하는 통신 기법 및 그 시스템에 관한 것이다. 본 개시는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스 (예를 들어, 스마트 홈, 스마트 빌딩, 스마트 시티, 스마트 카 혹은 커넥티드 카, 헬스 케어, 디지털 교육, 소매업, 보안 및 안전 관련 서비스 등)에 적용될 수 있다. 본 개시는 스마트 보안 매체 간에 번들이 전송된 후 번들의 상태를 설정하기 위한 방법 및 장치를 기술한다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210034460A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020200023247A
申请日：2020-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L29/06
CPC classification number: H04L63/0869 , H04L63/0876
Abstract: 본 개시는 스마트 보안 매체 간 번들 이동에 있어 두 보안 매체가 서로를 인증하기 위한 방법 및 장치를 개시한다. 본 개시의 일 실시예에 따른, 제2 단말에 번들을 제공하는 제1 단말은, 송수신부; 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 제2 단말로 전송할 번들에 관한 정보를 획득하고, 상기 번들의 식별 정보를 상기 제2 단말로 송신하도록 상기 송수신부를 제어하고, 제2 단말로부터 상기 제2 단말의 제2 SSP(Smart Secure Platform)의 번들 이동 관련 인증 정보를 수신하도록 상기 송수신부를 제어하고, 상기 제2 SSP의 번들 이동 관련 인증 정보에 기초하여, 상기 제2 SSP의 제2 SPBL(Secondary Platform Bundle Loader)이 상기 번들을 수신할 수 있는 SPBL인지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 기초하여 상기 제2 단말로 상기 번들을 전송하도록 상기 송수신부를 제어할 수 있다.
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3.发明专利
公开(公告)号：KR20210034475A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020200086975A
申请日：2020-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L29/06
CPC classification number: H04L63/0869 , H04L63/0876
Abstract: 본 개시는 스마트 보안 매체 간 번들 이동에 있어 두 보안 매체가 서로를 인증하기 위한 방법 및 장치를 개시한다. 본 개시의 일 실시예에 따른, 제2 단말에 번들을 제공하는 제1 단말은, 송수신부; 및 적어도 하나의 프로세서를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서는, 제2 단말로 전송할 번들에 관한 정보를 획득하고, 상기 번들의 식별 정보를 상기 제2 단말로 송신하도록 상기 송수신부를 제어하고, 제2 단말로부터 상기 제2 단말의 제2 SSP(Smart Secure Platform)의 번들 이동 관련 인증 정보를 수신하도록 상기 송수신부를 제어하고, 상기 제2 SSP의 번들 이동 관련 인증 정보에 기초하여, 상기 제2 SSP의 제2 SPBL(Secondary Platform Bundle Loader)이 상기 번들을 수신할 수 있는 SPBL인지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 기초하여 상기 제2 단말로 상기 번들을 전송하도록 상기 송수신부를 제어할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980028432A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960047488
申请日：1996-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 플라즈마 유입 및 폴리머 증착 방지를 위한 것으로 베이스 링에 베이스 링 커버를 삽입하여 베이스 링과 챔버 하부면의 이격공간으로 플라즈마 가스가 유입되는 것을 방지함으로써 원자재비를 절감할 수 있고, 노동력을 절감할 수 있으며, 웨이퍼 수율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970053388A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950050050
申请日：1995-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 고집적 반도체 장치에 있어서 토폴로지 완화 및 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 패드산화막과 실리콘질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 실리콘질화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각마스크로 사용하여 상기 실리콘질화막과 패드산화막을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 식각마스크를 사용하여 기판에 쉘로우 트랜치를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 결과물 상부에 폴리실리콘을 침적하는 단계; 상기에서 침적된 폴리실리콘을 선택적으로 식각하여 상기 트랜치 측벽에 폴리스페이서를 형성하는 단계; 상기 결과물을 열산화하여 산화막을 성장시키는 단계; 및, 상기 실리콘질화막을 제거하고, 상장된 산화막의 일부를 선택적으로 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 것이다.
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公开(公告)号：KR1020030050321A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010080734
申请日：2001-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임태형
IPC: H01L21/324
Abstract: PURPOSE: An apparatus for heating a substrate is provided to prevent a vacuum leakage between a plate on which a semiconductor substrate is placed and a heater block including a heat wire for heating the semiconductor substrate by using a metal gasket. CONSTITUTION: The heat wire(206) supplies heat to the semiconductor substrate, installed in a chamber(200) in which a process for processing the semiconductor substrate is performed. The heater block(204) is installed in the inner side surface of the chamber and a groove in which the heat wire is built is formed on the heater block. The first through hole(210) for installing a power line(208) connected to the heat wire is formed in the heater block, extending from the upper surface of the heater block to the outside of the chamber. The semiconductor substrate is placed on a plate(202) installed in the upper surface of the heater block. A sealing member prevents the vacuum supplied to the inside of the chamber from leaking out through the first through hole, interposed between the plate and the heater block.
Abstract translation: 目的：提供一种用于加热基板的装置，以防止在其上放置半导体基板的板和包括用于通过使用金属垫圈加热半导体基板的热丝的加热块之间的真空泄漏。 构成：热丝（206）向半导体衬底提供热量，该半导体衬底安装在执行半导体衬底的处理工艺的腔室（200）中。 加热器块（204）安装在室的内侧表面，并且在加热器块上形成有构成热丝的槽。 用于安装连接到热丝的电源线（208）的第一通孔（210）形成在加热器块中，从加热器块的上表面延伸到腔室的外部。 将半导体基板放置在安装在加热器块的上表面上的板（202）上。 密封构件防止供应到室内的真空通过设置在板和加热器块之间的第一通孔泄漏。
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公开(公告)号：KR100308185B1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR1019980032592
申请日：1998-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임태형
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조설비의 공정챔버내에서 스프링부재를 구비하여 웨이퍼의 수평을 일정하게 유지하는 웨이퍼 수평유지장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 웨이퍼 수평유지장치는 공정챔버의 내부에서 웨이퍼가 위치하는 패드에 결합되는 상부커플링과, 상기 패드의 하부에 설치된 지지블록에 결합되는 하부커플링 및 상기 상, 하부커플링의 사이에 설치된 스프링부재를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 웨이퍼의 수평을 일정하게 유지함으로써 상기 웨이퍼 상에 공정이 균일하게 실시되게 하여 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 설비의 내구성을 향상시킴으로써 설비의 가동율을 향상시키며, 설비의 유지보수에 필요한 시간 및 비용을 절감하여 생산원가를 절감하게 하는 효과를 갖는다.
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