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公开(公告)号：KR1020150019722A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020130096894
申请日：2013-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3422 , G06F11/073 , G06F11/0751 , G06F11/079 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/42 , G11C29/52
Abstract: 메모리 장치 및 메모리 시스템의 동작 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 메모리 장치의 동작 방법은, 메모리 셀들 중, 제1 독출전압 및 제2 독출 전압에 대한 오프셀의 개수를 각각 카운트하는 단계, 카운트된 상기 제1 독출전압에 대한 오프셀 개수와 상기 제2 독출전압에 대한 오프셀 개수를 비교하는 단계, 및 상기 비교 결과를 기초로 상기 메모리 셀들이 포함된 저장 영역에 대한 프로그램 오류를 판단하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于存储器件和存储器系统的操作方法。 根据本发明的实施例，存储器件的操作方法包括：对存储器单元之间的第一和第二读取电压的异常电池数进行计数的步骤，比较计数的异常电池数 对于具有用于第二读取电压的关闭单元的计数数量的第一读取电压，以及基于比较结果确定包括存储器单元的存储区域的程序错误的步骤。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170073800A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：KR1020150181882
申请日：2015-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5671 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/3481 , G11C2211/562 , G11C2211/5621 , G11C2211/5644
Abstract: 본발명에따른불휘발성메모리장치는복수의메모리셀들을포함하는메모리셀 어레이, 검증동작시 상기메모리셀들중 선택된메모리셀들에검증전압을제공하는어드레스디코더, 그리고특정시점이후의검증동작에서상기검증전압를변경하도록제어하는제어로직을포함하되, 상기제어로직은제 1 프로그램루프의검증동작의결과에기초하여상기검증전압이변경되는제 2 프로그램루프를검증전압오프셋시점으로결정한다.
Abstract translation: 根据本发明的非易失性存储器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元;地址解码器，用于在验证操作期间向所述存储器单元的选定存储器单元提供验证电压; 其中控制逻辑基于第一编程循环的验证操作的结果确定第二编程循环，其中验证电压被改变为验证电压偏移时间点。
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公开(公告)号：KR1020170120442A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：KR1020160048952
申请日：2016-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1402 , G06F2201/805 , G06F2201/82 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 메모리장치, 메모리시스템및 이의동작방법이개시된다. 본개시의기술적사상의일측면에따른메모리장치는, 복수의메모리셀들을포함하는메모리셀 어레이, 상기복수의메모리셀들로부터독출된데이터에대한카운팅을수행하여카운팅결과를제공하는카운팅회로, 및메모리컨트롤러의개입없이, 상기카운팅회로의카운팅결과에따라데이터복구동작을수행하는제어로직을포함할 수있다.
Abstract translation: 存储器设备，存储器系统及其操作方法被公开。 根据本公开的技术特征，通过执行用于从所述存储单元阵列读出的数据计数一个方面的存储器装置，所述多个存储单元包括提供一个计数结果的多个存储器单元计数电路中的，并 并且控制逻辑根据计数电路的计数结果执行数据恢复操作而不需要存储器控制器的干预。
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公开(公告)号：KR1020170118291A
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020160045672
申请日：2016-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/52
Abstract: 본발명은스토리지장치에관한것이다. 본발명의스토리지장치는, 불휘발성메모리장치, 그리고외부의호스트장치의요청에따라읽기커맨드를생성하여불휘발성메모리장치로전송하는컨트롤러를포함한다. 불휘발성메모리장치는읽기커맨드에응답하여읽기동작을수행하고, 읽혀진데이터를컨트롤러로출력하고, 그리고읽기동작의정보를내부의레지스터에저장한다.
Abstract translation: 存储装置技术领域本发明涉及存储装置。 本发明的存储设备包括非易失性存储设备和控制器，用于在外部主机设备的请求下产生读取命令并将读取的命令发送到非易失性存储设备。 非易失性存储器件响应于读取命令执行读取操作，将读取的数据输出到控制器，并将读取操作的信息存储在内部寄存器中。
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公开(公告)号：KR1020170020658A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150114801
申请日：2015-08-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/076 , G06F11/0727 , G06F11/0772 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3459
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리장치의프로그램검증방법은복수의스테이지들중 제1 스테이지에대한제1 페일비트카운팅동작을수행하여제1 페일비트누적값을생성하는단계, 생성된제1 페일비트누적값및 제1 페일기준값을비교하여프로그램페일여부를판별하는단계, 생성된제1 페일비트누적값이제1 페일기준값보다작은경우, 복수의스테이지들중 제2 스테이지에대한제2 페일비트카운팅동작을수행하여제2 페일비트누적값을생성하는단계, 및제2 페일기준값및 생성된제2 페일비트누적값을비교하여프로그램페일여부를판별하는단계를포함한다.
Abstract translation: 非易失性存储器件的程序验证方法包括执行关于第一级的第一故障位计数操作以产生第一故障位累加值，并将第一故障位累加值和第一故障参考值进行比较以确定程序故障。 当第一故障位累加值小于第一故障参考值时，执行第二级的第二故障位计数操作以产生第二故障位累加值。 将第二故障位累加值与第二参考值进行比较以确定程序故障。 第二个故障参考值与第一个故障参考值不同。
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