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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170070921A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：KR1020150178369
申请日：2015-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03M13/09 , G06F11/1012 , G06F11/1044 , H03M13/1102 , H03M13/13 , H03M13/1515 , H03M13/152 , H03M13/19 , H03M13/29 , H03M13/2906 , H03M13/2957 , H03M13/3761
Abstract: 본발명은스토리지장치에관한것이다. 본발명의스토리지장치는, 불휘발성메모리장치, 그리고불휘발성메모리장치로부터데이터를읽고, 읽혀진데이터를복수의세그먼트들로분할하고, 복수의세그먼트들에대해순차적으로에러정정디코딩을수행하고, 각세그먼트의에러정정디코딩이완료되면에러정정패리티를부여하여외부의호스트장치로전송하도록구성되는컨트롤러를포함한다. 에러정정디코딩이완료된제1 세그먼트를전송한후에임계시간이경과할때까지제2 세그먼트의에러정정디코딩이완료되지않았으면, 컨트롤러는더미데이터에잘못된에러정정패리티를부여하여외부의호스트장치로전송한다.
Abstract translation: 存储装置技术领域本发明涉及存储装置。 本发明中，非易失性存储器装置中，和光的存储装置，以从所述易失性存储器装置读出的数据，将所述读出的数据分割成多个段，并且相对于多个分段的执行顺序的纠错解码，每个段 并且当错误校正解码完成时将错误校正奇偶校验发送到外部主机设备。 如果错误校正解码不是所述第二区段的纠错解码，直到所述阈值时间已经过去时完成hanhue发送第一段完成时，所述控制器被分配了错误的错误校正奇偶校验到哑数据被发送到外部主机设备， 。
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公开(公告)号：KR1020080043050A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：KR1020060111577
申请日：2006-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/13458 , G02F1/136213 , G02F2201/123
Abstract: A thin film transistor substrate and a display device having the thin film transistor substrate are provided to reduce exposure area of lower metal layer so as to decrease introduction of static electricity since a plurality of contact holes are formed in a region where a contact between upper and lower metal layers is to be formed. A thin film transistor substrate includes a lower metal layer, a passivation layer(160), a contact part(163b), and an upper metal layer. The lower metal layer includes a contact pad region. The passivation layer is formed on the lower metal layer. The contact part is formed in the contact pad region and includes a plurality of contact holes which are formed by removing predetermined portions of the passivation layer to expose predetermined parts of the contact pad region. The upper metal layer is electrically connected to the lower contact layer through the contact holes of the contact part.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管基板和具有薄膜晶体管基板的显示装置，以减少下部金属层的曝光面积，从而减少静电的引入，因为多个接触孔形成在上部和 要形成较低的金属层。 薄膜晶体管基板包括下金属层，钝化层（160），接触部分（163b）和上金属层。 下金属层包括接触焊盘区域。 钝化层形成在下金属层上。 接触部分形成在接触焊盘区域中并且包括通过去除钝化层的预定部分以暴露接触焊盘区域的预定部分而形成的多个接触孔。 上金属层通过接触部分的接触孔电连接到下接触层。
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公开(公告)号：KR1020060068996A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107977
申请日：2004-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 다층 배선의 불량을 방지할 수 있는 TFT 기판과 이의 다층 배선 제조방법이 제공된다. TFT 기판은, 기판 상에 순차적으로 형성된 제1 데이터 금속층 및 제2 데이터 금속층과, 제2 데이터 금속층의 상부에 형성된 절연막과, 절연막의 상부에 형성된 제3 데이터 금속층을 구비하는 데이터 배선을 포함한다.
LCD, 다층 배선, 절연막, 데이터 배선-
公开(公告)号：KR1020150124751A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020140051695
申请日：2014-04-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임효택
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C7/1066 , G11C7/109 , G11C7/1093 , G11C7/22
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리시스템은불휘발성메모리장치; 및불휘발성메모리장치를메모리장치를제어하는메모리컨트롤러를포함한다. 메모리컨트롤러는불휘발성메모리장치로제 1 내지제 4 제어신호들을전송하고, 데이터라인을통해커맨드, 어드레스, 및입력데이터를전송하고, 데이터라인을통해출력데이터를수신한다. 불휘발성메모리장치는제 1 내지제 4 제어신호들을수신하고, 수신된제 1 내지제 3 제어신호들에응답하여제 4 제어신호의상승에지또는하강에지에데이터라인을통해수신된신호들을커맨드, 어드레스, 및입력데이터중 어느하나로식별하거나또는제 4 제어신호를기반으로데이터라인을통해출력데이터를메모리컨트롤러로전송한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件; 以及用于控制非易失性存储器件的存储器控制器。 存储器控制器将第一至第四控制信号发送到非易失性存储器件，通过数据线发送命令，地址和输入数据，并通过数据线接收输出数据。 非易失性存储器件接收第一至第四控制信号，并响应于所接收的第一至第三控制信号，以便识别通过第四控制信号的上升沿或下降沿中的数据线接收的信号，作为命令 ，地址和输入数据，或者通过基于第四控制信号的数据线将输出数据发送到存储器控制器。
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