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公开(公告)号:KR1020160136062A
公开(公告)日:2016-11-29
申请号:KR1020150069754
申请日:2015-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76873 , H01L21/76882 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L23/53295 , H01L27/088
Abstract: 배선구조물은기판, 기판상에형성된하부절연막, 하부절연막내에형성된하부배선, 하부배선을커버하며금속유전성물질을포함하는제1 식각저지막, 제1 식각저지막및 하부절연막상에형성된제2 식각저지막, 상기제2 식각저지막상에형성된층간절연막, 및상기층간절연막, 상기제2 식각저지막및 상기제1 식각저지막을관통하여상기하부배선과전기적으로연결되는도전패턴을포함한다.
Abstract translation: 布线结构包括衬底,衬底上的下绝缘层,下绝缘层中的下布线,覆盖下布线并包括金属电介质材料的第一蚀刻停止层,第一蚀刻停止层 蚀刻停止层和下绝缘层,在第二蚀刻停止层上的绝缘中间层,以及延伸穿过绝缘中间层,第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并电连接到下部绝缘层的导电图案 接线。