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公开(公告)号：KR1020170109466A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：KR1020160033669
申请日：2016-03-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04M15/16 , H04L41/5025 , H04L41/509 , H04L43/0888 , H04L65/4084 , H04L65/80 , H04M15/18 , H04W36/14 , H04W36/26 , H04W48/18 , H04W84/12 , H04W28/0247 , H04W4/24 , H04W4/60 , H04W24/02 , H04W28/0231 , H04W88/06
Abstract: 모바일장치(mobile device)가개시된다. 상기모바일장치는복수의어플리케이션이저장되는메모리; 제1 통신모듈및 제2 통신모듈을포함하는통신회로, 및상기통신회로와전기적으로연결된프로세서를포함할수 있다. 상기프로세서는, 상기복수의어플리케이션중 지정된어플리케이션을실행하고, 상기어플리케이션의실행에응답하여제1 네트워크의통신상태와제2 네트워크의통신상태를판단하고, 상기판단결과, 상기모바일장치에적용되는요금제, 상기지정된어플리케이션에적용되는서비스정책, 상기지정된어플리케이션에적용되는성능기준, 및네트워크선택기준중 적어도하나에기초하여상기제1 네트워크및 상기제2 네트워크중 하나를선택하고상기선택된네트워크를이용하여상기어플리케이션과연관된서버로부터데이터를수신할수 있다.
Abstract translation: 移动设备打开。 该移动设备包括：存储器，其中存储有多个应用程序; 通信电路包括第一通信模块和第二通信模块，以及电连接到通信电路的处理器。 其中，处理器执行多个应用程序中的指定应用程序，并响应于应用程序的执行来确定第一网络的通信状态和第二网络的通信状态， 基于应用于指定应用的服务策略，应用于指定应用的性能标准和网络选择标准中的至少一个来选择第一网络和第二网络中的一个， 可以从已经涉及的服务器接收数据。
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公开(公告)号：KR1020160101446A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150024019
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5286 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L23/585 , H01L27/1085 , H01L28/40 , H01L2924/1205
Abstract: 본발명의반도체소자는내부회로와, 상기내부회로를둘러싸는실링영역과, 상기실링영역내에위치하는디커플링커패시터영역을포함한다. 상기디커플링커패시터영역은디커플링커패시터를포함하며, 상기디커플링커패시터는고 전원라인에연결된제1 커패시터금속배선패턴과, 상기제1 커패시터금속배선패턴과이격되어있고저 전원라인에연결된제2 커패시터금속배선패턴과, 상기제1 커패시터금속배선패턴과상기제2 커패시터금속배선패턴사이에개재된유전패턴을포함한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种半导体器件，其中设置去耦电容器区域和密封区域，以便提高器件性能，减小芯片尺寸（器件尺寸）并提高设计效率。 该半导体器件包括：内部电路; 围绕内部电路的密封区域; 以及设置在密封区域中的去耦电容器区域。 去耦电容器区域包括去耦电容器。 去耦电容器包括：连接到高功率线的第一电容器金属线图案; 第二电容器金属线图案，其与所述第一电容器金属线图案间隔开并且连接到低电力线; 以及设置在第一电容器金属线图案和第二电容器金属线图案之间的电介质图案。
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公开(公告)号：KR1020080022650A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：KR1020060086085
申请日：2006-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An apparatus and a method for searching for a cell in a portable terminal are provided to prevent a waste of resources by adding RAT(Radio Access Technology) information to broadcast messages so as to remove the process of searching for a 3G mobile communication service where only a 2G mobile communication service exists. A portable terminal for executing cell searching comprises a receiving part, a broadcast message deciphering part(104), and an MPU(Micro-Processor Unit)(100). The receiving part receives a broadcast message broadcasted from a network. The broadcast message deciphering part(104) deciphers the received broadcast message according to the control of the MPU(100), acquires RAT information, and provides the acquired RAT information to the MPU(100). The MPU issues an order to search for a communication service depending on the RAT information provided from the broadcast message deciphering part.
Abstract translation: 提供了一种用于在便携式终端中搜索小区的装置和方法，以通过向广播消息中添加RAT（无线接入技术）信息来防止资源浪费，从而消除仅搜索3G移动通信业务的处理 存在2G移动通信服务。 用于执行小区搜索的便携式终端包括接收部分，广播消息解密部分（104）和MPU（微处理器单元）（100）。 接收部分接收从网络广播的广播消息。 广播消息解密部（104）根据MPU（100）的控制对接收的广播消息进行解密，获取RAT信息，并将取得的RAT信息提供给MPU（100）。 MPU根据从广播消息解密部分提供的RAT信息发出搜索通信服务的命令。
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公开(公告)号：KR100764054B1
公开(公告)日：2007-10-08
申请号：KR1020060079538
申请日：2006-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53223 , H01L21/76807 , H01L21/76843 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A metal interconnection and its forming method are provided to reduce the resistance of a metal interconnection by forming contact plugs in various shapes. A first metal interconnection(125) is formed on a substrate(110), and a first barrier metal layer(120) is formed on a sidewall and bottom surface of the first metal interconnection. A first insulating layer(135) is formed to cover the first metal interconnection, and a second metal interconnection(175) is formed on the first insulating layer. A contact plug(171) penetrates the first insulating layer to connect the first and second metal interconnections. A second barrier metal layer(170) is formed on a sidewall and bottom of the contact plug and a sidewall and bottom of the second metal interconnection.
Abstract translation: 提供金属互连及其形成方法，以通过形成各种形状的接触塞来减小金属互连的电阻。 第一金属互连（125）形成在基板（110）上，并且在第一金属互连的侧壁和底表面上形成第一阻挡金属层（120）。 形成第一绝缘层（135）以覆盖第一金属互连，并且在第一绝缘层上形成第二金属互连（175）。 接触插塞（171）穿过第一绝缘层以连接第一和第二金属互连。 第二阻挡金属层（170）形成在接触插塞的侧壁和底部以及第二金属互连的侧壁和底部上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100675280B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020050054167
申请日：2005-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76807 , H01L21/76846 , H01L21/76847 , H01L21/76864 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53233 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체소자의 선택적 구리 합금 배선을 제공한다. 상기 배선은 기판, 상기 기판 상에 배치된 절연막, 및 상기 절연막 내에 배치된 제 1 배선을 포함한다. 상기 제 1 배선은 제 1 순수 구리 패턴을 구비한다. 또한, 상기 절연막 내에 상기 제 1 배선보다 큰 폭을 가지는 제 2 배선이 제공된다. 상기 제 2 배선은 구리 합금 패턴을 구비한다. 상기 구리 합금 패턴은 구리(Cu) 및 첨가물질로 이루어진 합금 층일 수 있다. 상기 선택적 구리 합금 배선의 형성방법 또한 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020050015190A
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020030053890
申请日：2003-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/76847
Abstract: PURPOSE: A metallic interconnection structure for preventing voids and a method for interconnecting metals are provided to improve device stability by forming a void diffusion barrier layer on a diffusion path of the voids into a via contact hole. CONSTITUTION: A lower metallic interconnection pattern is implemented in a first interlayer dielectric(106). A metallic insulating layer(112) includes a via contact hole(120a,120b) exposing a portion of a surface of the lower metallic interconnection pattern. A second interlayer dielectric includes a trench for exposing the via contact hole on the metallic insulating layer. A barrier metallic layer(122a,122b) is formed on a side portion of the via contact hole and the exposed surface of the second lower metallic interconnection pattern. A first upper metallic interconnection pattern(124a) fills the via contact hole and a portion of the trench. A void diffusion barrier layer(128) is formed on the first upper metallic interconnection pattern. A second upper metallic interconnection layer pattern(124b) fills all inner portion of the trench on the void diffusion barrier layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于防止空隙的金属互连结构和用于互连金属的方法，以通过在空隙的扩散路径上形成通孔接触孔中的空隙扩散阻挡层来提高器件的稳定性。 构成：在第一层间电介质（106）中实现较低的金属互连图案。 金属绝缘层（112）包括露出下部金属互连图案的表面的一部分的通孔接触孔（120a，120b）。 第二层间电介质包括用于暴露金属绝缘层上的通孔接触孔的沟槽。 阻挡金属层（122a，122b）形成在通孔接触孔的侧部和第二下部金属互连图案的暴露表面上。 第一上金属互连图案（124a）填充通孔接触孔和沟槽的一部分。 在第一上金属互连图案上形成空隙扩散阻挡层（128）。 第二上金属互连层图案（124b）填充空隙扩散阻挡层上的沟槽的所有内部部分。
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公开(公告)号：KR1020040098214A
公开(公告)日：2004-11-20
申请号：KR1020030030510
申请日：2003-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5228 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device with a metal line and a metal resistor and a manufacturing method thereof are provided to prevent the damage of the metal resistor due to etching by connecting the metal resistor with an upper portion of a lower metal line through an opening window. CONSTITUTION: A plurality of metal lines(210,230,251,270) are enclosed with an insulating layer(110). A capping layer(300) is formed on the metal lines to protect the metal lines. A plurality of metal resistors(431',435') are connected with upper portions of the metal lines through opening windows(301,305). The metal resistors are prolonged to an upper portion of the capping layer.
Abstract translation: 目的：提供具有金属线和金属电阻器的半导体器件及其制造方法，以通过将开关窗将金属电阻器与下金属线的上部连接来防止金属电阻器由于蚀刻而造成的损坏。 构成：多个金属线（210,230,251,270）用绝缘层（110）包围。 在金属线上形成覆盖层（300）以保护金属线。 多个金属电阻器（431'，435'）通过开口窗（301,305）与金属线的上部连接。 金属电阻器延长到覆盖层的上部。
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9.发明授权
公开(公告)号：KR100382721B1
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020000061549
申请日：2000-10-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/24 , G01B7/34 , G01Q30/02 , H01L22/12 , Y10S977/852
Abstract: 기판 표면을 측정하는 방법 및 장치에 관하여 개시한다. 기판 표면의 일부를 파티클 카운터를 사용하여 측정하여 기판 표면상의 복수의 포인트들에 대응하는 제1 측정치를 제공한다. 복수의 포인트들중 하나를 포함하는 기판 표면의 선택된 영역을 AFM을 사용하여 측정하여 선택된 영역의 마이크로러프니스 측정치를 제공한다. 선택된 영역은 파티클 카운터를 사용하여 측정된 기판 표면 부분의 로칼 영역이다. 기판 표면의 측정치로서 제1 측정치 및 마이크로러프니스 측정치를 제공한다. 파티클 카운터를 사용하여 측정되는 부분은 예를 들면 실질적으로 기판 표면 전체로 될 수 있다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供了用于测量晶片表面的方法。 使用颗粒计数器测量晶片表面的一部分以提供对应于晶片表面上的多个点的第一测量。 使用原子力显微镜（AFM）测量包括多个点中的一个的晶片表面的选定区域，以提供所选区域的微粗糙度测量。 所选区域是使用粒子计数器测量的晶片表面部分的局部区域。 提供第一次测量和微粗糙度测量作为晶圆表面的测量。 例如，使用颗粒计数器测量的部分可以基本上是整个晶片表面。
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公开(公告)号：KR100321240B1
公开(公告)日：2002-04-22
申请号：KR1019980026870
申请日：1998-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 안정훈
IPC: F24F11/00
Abstract: 본 발명은 공기조화기의 청정운전 제어장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 실내팬모터 및 전기집진기를 구동시켜 청정운전을 시작하는 청정운전시작단계와, 소정시간 동안 실내오염도감지수단을 예열하는 예열단계와, 상기 실내오염도감지수단을 이용하여 감지한 실내공기의 오염도를 기준값으로 설정하는 초기기준값설정단계와, 상기 실내오염도감지수단을 이용하여 실내공기의 오염도를 감지하는 오염도감지단계와, 상기 오염도감지단계에서 감지된 실내공기의 오염도가 기준값 이상인가를 판단하여 실내공기의 오염도가 기준값 이상이면 실내팬모터를 강풍으로 구동시키고, 실내공기의 오염도가 기준값 보다 작으면 실내팬모터를 약풍으로 구동시키는 풍속조절단계와, 상기 오염도감지단계에서 감지된 실내공기의 오염도가 소정시간 이상 변 화되지 않으면 상기 기준값을 재설정하는 기준값재설정단계와, 상기 오염도감지단계에서 감지된 실내공기의 오염도가 소정값 이상인 상태로 소정시간 이상 지속되면 환기하라는 표시를 하는 환기표시단계로 이루어져, 청정운전을 장시간동안 계속해도 실내공기의 오염도가 소정값 보다 낮아지지 않을 경우에 청정운전을 정지하고 실내를 환기하라는 표시를 함으로써, 실내를 쾌적한 상태로 유지할 수 있도록 하는 효과가 있다.
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