公开(公告)号：KR101900273B1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：KR1020110070544

申请日：2011-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영환 ,  안정착 ,  이상주 ,  박종은 ,  장영흡

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14641

Abstract: 본발명에따른이미지센서는, 밀러효과를통해소스폴로워증폭기로동작하는드라이브트랜지스터의입력캐패시턴스를감소시켜변환이득을증가시킬수 있다. 이를위해, 센싱노드와메탈콘택사이를격리시켜이들간의기생캐패시턴스를최소화하도록배치한다. 출력라인과센싱노드사이의캐패시터는소스폴로워증폭기의피드백캐패시터로작용하며, 상기기생캐패시턴스를상쇄시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101703746B1

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：KR1020100053033

申请日：2010-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경호 ,  안정착 ,  이상주 ,  박영환 ,  장동윤 ,  장영흡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/361

CPC classification number: H04N5/361 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3594

Abstract: 본발명은백사이드로입사되는장파장의빛이스토리지다이오드로의영향을최소한으로하는단위이미지센서, 상기단위이미지센서로구현된이미지센서어레이및 상기이미지센서어레이의빛 샘보상방법을개시한다. 상기단위이미지센서는, 포토다이오드(photo diode) 및스토리지다이오드(storage diode)를구비하는백사이드일루미네이션(Backside illumination) 방식이적용되며, 백사이드로인가되는빛은상기포토다이오드의하나의전극을형성하는영역만으로수신하며, 상기포토다이오드의다른전극을형성하는영역및 상기스토리지다이오드의두 개의전극을형성하는영역은웰(Well)에의해서로격리된다.

Abstract translation: 背面照明方式的漏光补偿单元图像传感器包括：光电二极管和存储二极管，其中仅通过形成光电二极管的电极的区域仅接收单元图像传感器背面的光，以及区域 用于形成光电二极管的另一个电极和用于形成存储二极管的两个电极的区域由阱彼此分离，从而补偿光泄漏。

公开(公告)号：KR1020130009427A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：KR1020110070544

申请日：2011-07-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영환 ,  안정착 ,  이상주 ,  박종은 ,  장영흡

IPC: H04N5/374 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3577

Abstract: PURPOSE: A CMOS image sensor is provided to improve sensitivity by increasing a transducer gain. CONSTITUTION: A photodiode outputs an optical charge by converting a received optical signal. A sensing node(17) senses the optical charge. A driving circuit converts the optical charge into an electric signal. The driving circuit includes one or more conductive contacts adjacent to the sensing node. An output line(18) is connected with the driving circuit to output the electric signal.

Abstract translation: 目的：提供CMOS图像传感器，通过增加传感器增益来提高灵敏度。 构成：光电二极管通过转换接收到的光信号来输出光电荷。 感测节点（17）感测光电荷。 驱动电路将光电转换成电信号。 驱动电路包括与感测节点相邻的一个或多个导电触点。 输出线（18）与驱动电路连接以输出电信号。

公开(公告)号：KR1020110133355A

公开(公告)日：2011-12-12

申请号：KR1020100053033

申请日：2010-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이경호 ,  안정착 ,  이상주 ,  박영환 ,  장동윤 ,  장영흡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/361

CPC classification number: H04N5/361 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3594 ,  H01L27/14643

Abstract: PURPOSE: A unit image sensor for compensating for leaked light, an image sensor array made of the unit image sensor, and a method for compensating for leaked light of the image sensor array are provided to compensate for leaked light currents remaining a storage diode configuring a normal image sensor array. CONSTITUTION: A unit image sensor receives light(LIGHT) from a backside area(DEEP PD1,DEEP PD2). Charges generated in the backside area are transferred to the storage diode through several processes. A global shutter step transfers signals which are optically converted from all photo diodes into a floating diffusion area. An electrical signal corresponding to charges transferred to the floating diffusion area is outputted by a line unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于补偿泄漏光的单元图像传感器，由单位图像传感器制成的图像传感器阵列，以及用于补偿图像传感器阵列的泄漏光的方法，以补偿构成图像传感器阵列的存储二极管剩余的泄漏光电流 正常图像传感器阵列。 构成：单元图像传感器从背面区域（DEEP PD1，DEEP PD2）接收光（LIGHT）。 在背面产生的电荷通过几个过程传送到存储二极管。 全局快门步骤将从所有光电二极管光学转换的信号转移到浮动扩散区域。 对应于转移到浮动扩散区域的电荷的电信号由线路单元输出。