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公开(公告)号：KR1020170071676A
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020150179368
申请日：2015-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/7408 , H01L29/7436
Abstract: 본발명의실시예에따른정전기방전보호소자는제 1 도전형의웰을포함하는제 2 도전형의기판, 기판에형성되고캐소드전극에연결되는제 2 도전형의제 1 확산영역및 제 1 도전형의제 2 확산영역, 웰에형성되고애노드전극에연결되는제 2 도전형의제 3 확산영역및 제 1 도전형의제 4 확산영역, 기판과웰의경계에형성되는제 1 도전형의제 5 확산영역, 그리고제 1 확산영역및 제 2 확산영역과제 5 확산영역사이의기판에형성되고외부로부터바이어스전압을입력받는제 1 도전형의제 6 확산영역을포함할수 있다.
Abstract translation: 导电型的第二基片，形成在衬底的第一扩散区和根据本发明的一个实施例的静电放电住所，其连接到所述阴极电极包括第一导电类型的阱的第二导电型的第一导电型上 在阱中形成并与阳极连接的第二导电类型的第二扩散区和第一导电类型的第四扩散区，在衬底和阱之间的边界处形成的第一导电类型的第五扩散区， 以及第一导电类型的第六扩散区域，其形成在第一扩散区域与第二扩散区域分配扩散区域之间的基板中，并从外部接收偏置电压。
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公开(公告)号：KR1020140071791A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020120139780
申请日：2012-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/027
Abstract: The present invention relates to an electrostatic discharge protection apparatus. An electrostatic discharge protection apparatus of the present invention comprises a first conductivity type well, a second conductivity type well, a first doping region and a second doping region which are formed on the first conductivity type well and have different conductivity types, a third doping region and a fourth doping region which are formed on the second conductivity type well and have different conductivity types, and a fifth doping region which is formed on the second conductivity type well between the first and second doping regions and the third and fourth doping regions.
Abstract translation: 本发明涉及静电放电保护装置。 本发明的静电放电保护装置包括第一导电类型阱，第二导电类型阱，第一掺杂区和第二掺杂区，其形成在第一导电类型阱上且具有不同的导电类型，第三掺杂区 以及第四掺杂区，其形成在第二导电类型阱上且具有不同的导电类型，以及在第一和第二掺杂区之间的第二导电类型以及第三和第四掺杂区上形成的第五掺杂区。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020100097420A
公开(公告)日：2010-09-03
申请号：KR1020090016348
申请日：2009-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/0676 , H01L27/0288 , H01L27/04
Abstract: PURPOSE: An electrostatic discharge protection element and an electrostatic discharge protection circuit including the same are provided to protect the internal circuit from the damage due to the static electricity discharge by forming the poly resistance on a diode. CONSTITUTION: A first diode(120) is connected between a first voltage and an input-output pad. A second diode(110) is connected between the input-output pad and the second voltage. The second diode comprises a first N well area(112) and a first N type impurity area(114) formed inside the first N-well region.
Abstract translation: 目的：提供一种静电放电保护元件和包括该静电放电保护元件的静电放电保护电路，以通过在二极管上形成多晶硅电阻来保护内部电路免受静电放电引起的损坏。 构成：第一二极管（120）连接在第一电压和输入 - 输出焊盘之间。 第二二极管（110）连接在输入 - 输出焊盘和第二电压之间。 第二二极管包括形成在第一N阱区域内的第一N阱区域（112）和第一N型杂质区域（114）。
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公开(公告)号：KR101547309B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020090016348
申请日：2009-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L29/861
Abstract: 정전기 방전 보호 소자는 제1 다이오드, 제2 다이오드, 및 폴리 저항을 포함한다. 제1 다이오드는 제1 전압과 입출력 패드 사이에 연결되고, 제2 다이오드는 입출력 패드와 제2 전압 사이에 연결된다. 폴리 저항은 상기 제2 다이오드 상에 형성된다. 정전기 방전 보호 소자는 작은 크기로 구현 가능하며 향상된 정전기 방전 보호 기능을 가진다.
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公开(公告)号：KR1020140095706A
公开(公告)日：2014-08-04
申请号：KR1020130008397
申请日：2013-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/861 , H01L23/60
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/823418 , H01L27/0255 , H01L27/0705 , H01L29/8611 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/13034 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: A diode based on a lateral double diffused metal semiconductor (LDMOS) transistor includes a cathode electrode and an anode electrode. The cathode electrode includes a gate of a P-type LDMOS transistor and an N-type doping region which is formed in an N-type wall region of the P-type LDMOS transistor. The anode electrode includes a P-type doping region which is formed in a P-type drift region of the P-type LDMOS transistor.
Abstract translation: 基于横向双扩散金属半导体（LDMOS）晶体管的二极管包括阴极电极和阳极电极。 阴极包括P型LDMOS晶体管的栅极和形成在P型LDMOS晶体管的N型壁区域中的N型掺杂区域。 阳极包括形成在P型LDMOS晶体管的P型漂移区中的P型掺杂区域。
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