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公开(公告)号:KR20210026546A
公开(公告)日:2021-03-10
申请号:KR1020190107487A
申请日:2019-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/56 , H01L21/52 , H01L23/00 , H01L23/485 , H01L23/498 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/6835 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/485 , H01L23/49816 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L21/568 , H01L2221/68345 , H01L23/293
Abstract: 반도체 패키지 제조 방법이 제공된다. 반도체 패키지 제조 방법은, 제1 캐리어 상에 제1 배리어층(barrier layer)을 형성하고, 제1 배리어층 상에, 제1 배리어층의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 포함하는 희생층을 형성하고, 제1 배리어층 및 희생층 상에 제2 배리어층을 형성하고, 개구부 내에 제1 절연층을 형성하되, 제1 절연층의 상면은 희생층 상의 제2 배리어층의 상면보다 높게 형성되고, 제1 절연층 및 제2 배리어층 상에, 재배선층과 재배선층을 감싸는 제2 절연층을 포함하는 재배선 구조체를 형성하고, 재배선 구조체 상에 반도체 칩을 실장하고, 반도체 칩 상에 제2 캐리어를 부착하고 제1 캐리어를 제거하고, 제1 배리어층, 희생층 및 제2 배리어층을 제거하고, 노출된 재배선 구조체 상에 솔더볼을 형성한다.