公开(公告)号：KR1020070103915A

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：KR1020060035837

申请日：2006-04-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전병호

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/513

Abstract: An apparatus of high density plasma chemical vapor deposition and a method for forming a dome structure used for the same are provided to expand a lifetime by allowing an insulating material placed between a dome and a high frequency coil to play a role of a capacitor between the dome and the high frequency coil. An apparatus of high density plasma chemical vapor deposition includes a dome(100), a high frequency coil(120), and an insulating material(110). The dome supplies a space to form a vacuum plasma environment. The high frequency coil is wounded around an external wall of the dome to apply high frequency power required for forming the plasma environment. The insulating material is arranged between the dome and the high frequency coil to reduce a potential of a sheath region(200) by the plasma.

Abstract translation: 提供了一种高密度等离子体化学气相沉积的装置和用于形成用于其的圆顶结构的方法，通过允许放置在穹顶和高频线圈之间的绝缘材料起到电容器的作用，从而延长使用寿命 圆顶和高频线圈。 高密度等离子体化学气相沉积的装置包括圆顶（100），高频线圈（120）和绝缘材料（110）。 圆顶供应空间以形成真空等离子体环境。 高频线圈围绕圆顶的外壁缠绕，以施加形成等离子体环境所需的高频功率。 绝缘材料配置在圆顶和高频线圈之间，以通过等离子体降低鞘区（200）的电位。

公开(公告)号：KR1020160098658A

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020150020259

申请日：2015-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지운 ,  박광철 ,  서지연 ,  이종명 ,  장경태 ,  전병호 ,  정원석 ,  최종완 ,  한태종

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76837 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11521 ,  H01L21/31

Abstract: 본발명에따른반도체소자의제조방법은기판상에배치되며, 계단식구조를가지는적층구조체를형성하고, 상기적층구조체를덮으며, 제1 상면, 상기제1 상면보다높은레벨에위치한제2 상면, 및상기제1 상면과상기제2 상면을잇는경사면으로구성된적어도하나의계단부를포함하는제1 층간절연막을형성하고, 그리고상기제1 층간절연막을덮는제2 층간절연막을형성하는것을포함할수 있다. 상기제1 상면과상기경사면이이루는각도는제1 각도로정의되고, 상기제1 각도는둔각일수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的制造半导体器件的方法包括：形成设置在基板上并具有阶梯结构的层状结构; 形成覆盖所述层叠结构的第一层间绝缘膜，并且包括第一上表面，位于比所述第一上表面高的位置的第二上表面，以及至少一个台阶部，所述至少一个台阶部包括将所述第一上表面 表面到第二上表面; 以及形成覆盖所述第一层间绝缘膜的第二层间绝缘膜。 第一上表面和倾斜表面之间的角度被定义为第一角度，其中第一角度可以是钝角。