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公开(公告)号：KR100468691B1
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：KR1019970047195
申请日：1997-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: PURPOSE: A wafer cleaning method simultaneously using chemical and physical methods is provided to effectively eliminate the particles on a wafer as compared with a conventional technique using only a physical method without etch damage to each layer formed on the wafer. CONSTITUTION: A wafer on which a metal layer is formed is cleaned. A diluted ammonia water in which pure water and ammonia water of 30 weight percent are mixed in a volume ratio of 50:1 to 1000:1 and a megasonic generator are simultaneously used. The diluted ammonia water is put into a receptacle including the megasonic generator in its bottom. The wafer is dipped into the receptacle for a predetermined interval of time.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990025530A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047195
申请日：1997-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 화학적 및 물리적 방법을 동시에 사용하는 웨이퍼 세정 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 상면에 금속층이 형성된 웨이퍼를 순수와 30중량%의 암모니아수가 50:1∼1,000:1의 부피비로 혼합된 희석 암모니아수와, 메가소닉 제너레이터(megasonic generator)를 동시에 사용하여 세정한다.
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公开(公告)号：KR1020000073821A
公开(公告)日：2000-12-05
申请号：KR1019990017368
申请日：1999-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 전재범
IPC: H01L27/10
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor is provided to increase capacitance by maximizing the electrode surface area of the capacitor. CONSTITUTION: A first insulating layer(210) is formed on a semiconductor substrate wherein the insulating layer has a contact plug(212) inside. A second insulating layer is formed on the first insulating layer, and the second insulating layer is etched by using a mask to form a storage electrode. A first conductive layer(218) is formed on the second insulating layer including the first opening. A spacer is formed on both sidewalls of the first opening. A second conductive layer(222) is evaporated on the entire surface of the substrate. The second conductive layer, first conductive layer and the spacer are etched for planarization to expose the first insulating layer. The spacer is eliminated. A HSG(Hemispherical Grain) layer is formed on the first and second conductive layers. The second insulating layer is etched to form a storage electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电容器的方法，以通过使电容器的电极表面积最大化来增加电容。 构成：在绝缘层内部具有接触插塞（212）的半导体衬底上形成第一绝缘层（210）。 在第一绝缘层上形成第二绝缘层，通过使用掩模来蚀刻第二绝缘层以形成存储电极。 在包括第一开口的第二绝缘层上形成第一导电层（218）。 间隔件形成在第一开口的两个侧壁上。 在基板的整个表面上蒸发第二导电层（222）。 蚀刻第二导电层，第一导电层和间隔物以进行平坦化以暴露第一绝缘层。 间隔物被消除。 在第一和第二导电层上形成HSG（半球状晶粒）层。 蚀刻第二绝缘层以形成存储电极。
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公开(公告)号：KR1019990011638A
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019970034798
申请日：1997-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조시 발생하는 폴리머를 제거하는 데 이용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 40 Wt%의 불화암모늄(NH
4 F) 수용액과 99 Wt% 이상의 에칠렌 글리콜(ethylene glycol) 수용액이 혼합되어 있다. 상기 불화암모늄 수용액과 에칠렌 글리콜 수용액의 혼합비는 1:1이다. 본 발명의 세정액은 건식식각 후 발생하는 하드한 폴리머를 완벽히 제거할 수 있어 후속의 막질과의 틈새가 벌어지는 문제를 해결할 수 있고 고온의 어닐공정을 실시하지 않아도 된다.-
公开(公告)号：KR100144905B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950007592
申请日：1995-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 금속 배선층 형성시 발생되는 유기물 및 다중합체 부산물과 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있는 반도체 기판 세정방법 및 이에 사용되는 세정액에 관한 것이다. 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 세정액으로 반도체 기판을 세정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 것을 특징으로 하는 세정액을 제공한다. 본 발명에 의하면, 금속 배선층의 형성시 발생되는 유기물, 다중합체 및 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있어 고집적화된 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1019960035857A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019950007592
申请日：1995-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 금속 배선층 형성시 발생되는 유기물 및 다중합체 부산물과 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있는 반도체 기판 세정방법 및 이에 사용되는 세정액에 관한 것이다. 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 세정액으로 반도체 기판을 세정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 세정방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 암모니아 수용액, 메탄올 또는 이소프로필 알콜 및 물을 혼합한 것을 특징으로 하는 세정액을 제공한다. 본 발명에 의하면, 금속 배선층의 형성시 발생되는 유기물, 다중합체 및 파티클을 금속 배선층의 손상없이 제거할 수 있어 고집적화된 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
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