公开(公告)号：KR1020140073826A

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：KR1020120141743

申请日：2012-12-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 김재훈 ,  고영배 ,  이병준 ,  이성원 ,  임성화 ,  장명욱 ,  정규환

IPC: H04L12/741

CPC classification number: H04L67/2842 ,  H04L45/742

Abstract: Provided is a method of caching content by a node in a content centric network, which includes setting a mark bit corresponding to a first chunk in a pending interest table (PIT) according to the reception of a content request packet requesting the first chunk of the content from a content requester, and caching the first chunk in a content store of the corresponding node according to the reception of the data packet including the first chunk from a content provider.

Abstract translation: 提供了一种由内容中心网络中的节点高速缓存内容的方法，其包括根据请求第一组的内容请求分组的接收来设置与未决兴趣表（PIT）中的第一组相对应的标记位 来自内容请求者的内容，以及根据从内容提供商接收包括第一组块的数据分组，缓存相应节点的内容存储中的第一组块。

公开(公告)号：KR100234239B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019930022972

申请日：1993-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정규환

IPC: H04N19/124

Abstract: 본 발명은 영상신호 부호화에 관한 것으로, 특히 영상신호를 압축부호화할 때 발생하는 블록킹효과를 줄이기 위한 블록킹효과 경감방법과 장치에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 의한 블럭킹효과 경감을 위한 양자화수단은 비트율제어수단에서 전송되는 현재 처리할 블럭에 상측방향과 좌측방향으로 인접한 블럭의 양자화 스텝사이즈의 평균값을 산출하고, 현대 처리할 블럭의 양자화 스텝사이즈와 산출된 평균값의 차이를 연산하여 소정의 값을 초과하는지를 검사하는 연산부와, 소정의 값을 초과하는 경우에는 입력되는 이산여현변환계수중 양자화시 양자화오차가 작게 발생하는 값에 해당하면 그대로 출력하고, 크게 발생하는 값에 해당하면 이산여현변환계수에 양자화오차가 작게 발생할 수 있게 하는 소정의 값을 더하여 출력하는 수정양자화기와, 수정양자화기에서 전송되는 이산여현변환계수를 양자화하는 양자화기를 포함한다. 본 발명은 양자화오차가 심한 이산여현변환계수를 양자화오차가 작은 값으로 변형시켜 양자화하므로써, 블럭킹효과를 완화시켜 고품위의 화질을 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100219883B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019970042584

申请日：1997-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원용광 ,  이윤우 ,  엄우식 ,  정규환

IPC: G11B20/18

Abstract: 본 발명은 디지털 신호를 저장하는 광디스크 저장 기기의 초기화방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 초기화를 간단히 처리할 수 있도록 하는 것이 목적으로 한다.
본 발명의 초기화방법은, 초기화용 패턴신호 00H를 포멧터의 내부 블록의 변조기에 입력하여 그에 해당하는 특정 변조코드로 변조하는 과정; 상기 포맷터로부터 신호를 받아들여 펄스를 성형하는 과정; 상기 과정에서 성형된 펄스신호를 읽어들여서 디스크에 기록하거나 상기 디스크에 기록된 정보를 읽어내는 픽업과정; 상기 픽업과정을 거친 신호를 증폭하기 위한 증폭과정; 상기 증폭과정에서 증폭된 신호를 처리하는 등화기 검출과정; 상기 등화기 검출과정을 거친 신호를 디포맷팅하는 과정; 및 상기 디포맷팅과정을 거친 신호를 결함처리기가 받아들여 디스크 공간의 섹터 오류를 조사해서, 오류가 있는 섹터를 디스크의 특정 영역에 기록하는 결함처리과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 초기화장치는, 초기화를 위한 패턴 신호를 받아들이는 포맷터; 상기 포맷터로부터 신호를 받아들여 펄스를 성형하는 펄스성형기; 상기 펄스성형기로부터 성형된 펄스신호를 읽어들여서 디스크에 기록하거나 상기 디스크에 기록된 정보를 읽어내는 픽업부; 상기 픽업장치로부터의 신호를 증폭하기 위한 증폭기; 상기 증폭기로부터 증폭된 신호를 처리하는 등화기 검출기; 상기 등화기 검출기로부터의 신호를 디포맷팅하는 디포맷터; 및 상기 디포맷터로부터 신호를 받아들여 결함을 처리하는 결함처리기를 포함하여 이루어지는 것이 특징이다.
그리고 본 발명은, 오류 정정 인코딩 및 디코딩 과정이 없이 초기화 과정을 간단히 처리할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100213015B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019940006801

申请日：1994-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정태윤 ,  정규환

IPC: H04N19/124 ,  H04N19/60

CPC classification number: H04N19/18 ,  H04N19/105 ,  H04N19/112 ,  H04N19/115 ,  H04N19/126 ,  H04N19/13 ,  H04N19/137 ,  H04N19/14 ,  H04N19/146 ,  H04N19/152 ,  H04N19/172 ,  H04N19/176 ,  H04N19/61 ,  H04N19/91

Abstract: 본 발명은 양자화 방법 및 회로에 관한 것이다. 그 방법은 1매크로 블럭내의 제1화소값들의 수평 방향의 기울기와 수직방향의 기울기를 계산하는 수평방향 및 수직방향 기울기 계산단계, 상기 수평방향 기울기와 수직방향 기울기들 중 최대 수평방향 기울기와 최대 수직방향 기울기값을 결정하는 최대값 결정단계, 만일 상기 최대값이 제1스레쉬홀드 값보다 큰 경우에는 복잡부 클래스, 만일 상기 최대값이 제2스레쉬홀드 값보다 크고 제3스레쉬홀드 값보다 작은 경우에는 엣지클래스로 각각 분류하는 분류단계, 1매크로 블럭의 제1화소값에 대해 상기 매크로 블럭내의 4개의 블럭의 이산 여현 변환계수의 절대값의 합을 계산하여 변화도 값을 계산하는 변화도 값 계산단계, 1매크로 블럭의 변화도 계수와 동일 종류의 전 화소의 평균 변화도 값을 이용하여 변화도 정규화 계수를 계산하는 변화도 정규화 계수 계산단계, 및 클래스 분류와 이산 여현 계수의 에너지에 따른 시각 특성 및 부호와 효율을 고려한 순방 추측을 통하여 후방 비율 제어에서 산출되는 기준 양자화 값을 계산하는 기준 양자화 값 계산단계로 이루어져 있다. 따라서, 고능률, 고화질의 동화상 압축회로를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990024325A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970042584

申请日：1997-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 원용광 ,  이윤우 ,  엄우식 ,  정규환

IPC: G11B20/18

Abstract: 본 발명은 디지털 신호를 저장하는 광디스크 저장 기기의 초기화방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 초기화를 간단히 처리할 수 있도록 하는 것이 목적으로 한다.
본 발명의 초기화방법은, 초기화용 패턴신호 00H를 포멧터의 내부 블록의 변조기에 입력하여 그에 해당하는 특정 변조코드로 변조하는 과정; 상기 포맷터로부터 신호를 받아들여 펄스를 성형하는 과정; 상기 과정에서 성형된 펄스신호를 읽어들여서 디스크에 기록하거나 상기 디스크에 기록된 정보를 읽어내는 픽업과정; 상기 픽업과정을 거친 신호를 증폭하기 위한 증폭과정; 상기 증폭과정에서 증폭된 신호를 처리하는 등화기 검출과정; 상기 등화기 검출과정을 거친 신호를 디포맷팅하는 과정; 및 상기 디포맷팅과정을 거친 신호를 결함처리기가 받아들여 디스크 공간의 섹터 오류를 조사해서, 오류가 있는 섹터를 디스크의 특정 영역에 기록하는 결함처리과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 초기화장치는, 초기화를 위한 패턴 신호를 받아들이는 포맷터; 상기 포맷터로부터 신호를 받아들여 펄스를 성형하는 펄스성형기; 상기 펄스성형기로부터 성형된 펄스신호를 읽어들여서 디스크에 기록하거나 상기 디스크에 기록된 정보를 읽어내는 픽업부; 상기 픽업장치로부터의 신호를 증폭하기 위한 증폭기; 상기 증폭기로부터 증폭된 신호를 처리하는 등화기 검출기; 상기 등화기 검출기로부터의 신호를 디포맷팅하는 디포맷터; 및 상기 디포맷터로부터 신호를 받아들여 결함을 처리하는 결함처리기를 포함하여 이루어지는 것이 특징이다.
그리고 본 발명은, 오류 정정 인코딩 및 디코딩 과정이 없이 초기화 과정을 간단히 처리할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040045184A

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：KR1020020073228

申请日：2002-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한동화 ,  정규환

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a contact hole of a semiconductor device is provided to be capable of improving the profile of a contact hole. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(3) is formed on a semiconductor substrate(1). A photoresist pattern(5) is formed on the interlayer dielectric. A pre-contact hole(7) is formed on the resultant structure for exposing the predetermined portion of the semiconductor substrate by carrying out an etching process on the interlayer dielectric using the photoresist pattern as an etching mask. At this time, the pre-contact hole has a bowing portion(7a) at its inner sidewall. The photoresist pattern is then removed from the resultant structure. A contact hole is completed by carrying out an etching process on the interlayer dielectric until the bowing portion is completely removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的接触孔的方法，以能够改善接触孔的轮廓。 构成：在半导体衬底（1）上形成层间电介质（3）。 在层间电介质上形成光刻胶图案（5）。 在所得结构上形成预接触孔（7），用于通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对层间电介质进行蚀刻处理来暴露半导体衬底的预定部分。 此时，预接触孔在其内侧壁具有弯曲部（7a）。 然后从所得结构中除去光致抗蚀剂图案。 通过对层间电介质进行蚀刻处理，直到弯曲部分被完全去除来完成接触孔。

公开(公告)号：KR1020020047862A

公开(公告)日：2002-06-22

申请号：KR1020000076491

申请日：2000-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 성평용 ,  정규환

IPC: G11B7/0045

CPC classification number: G11B7/0045 ,  G11B7/0037

Abstract: PURPOSE: A method of recording an optical disk recordable at a high double speed is provided to divide into two areas according to a disk radius, and to differentiate a recording double speed in each area, thereby reducing a recording time. CONSTITUTION: A micro processor divides into an inner area and an outer area(410), and sets a recording double speed in the inner and the outer areas by a clock time(420). The micro processor checks whether a disk is a recording disk or a reproducing disk(430). If the disk is the recording disk, the micro processor stands by a recording command from a host(440). The micro processor sets an optimum recording power value to make asymmetry of a signal recorded through an OPC(Optimum Power Control) process become a determined value in a PCA(Power Calibration Area)(450). The micro processor moves a pickup to an external read-out area, and sets an optimum recording power value to make a signal recorded through an OPC process become a determined value in an utmost external part(460). The micro processor decides whether a disk area for recording present data is the inner area or the outer area(470). If the area is the inner area, the micro processor sets a reference clock(484), and controls a linear velocity, then controls a signal processor to record with a preset recording power value(486).

Abstract translation: 目的：提供以高倍速记录的光盘的方法，以根据盘半径分成两个区域，并且区分每个区域中的记录倍速，从而减少记录时间。 构成：微处理器分为内部区域和外部区域（410），并且在内部区域和外部区域中设定记录双倍速度（420）。 微处理器检查磁盘是记录盘还是再现盘（430）。 如果磁盘是记录盘，则微处理器由来自主机的记录命令（440）等待。 微处理器设置最佳记录功率值，以使通过OPC（最佳功率控制）过程记录的信号的不对称性在PCA（功率校准区域）（450）中变为确定的值。 微处理器将拾取器移动到外部读出区域，并且设置最佳记录功率值以使通过OPC处理记录的信号在最大外部部分中变为确定值（460）。 微处理器决定用于记录当前数据的磁盘区域是内部区域还是外部区域（470）。 如果该区域是内部区域，则微处理器设置参考时钟（484）并控制线速度，然后控制信号处理器以预设记录功率值（486）进行记录。

公开(公告)号：KR100161409B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950013691

申请日：1995-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오용철 ,  신동호 ,  정규환

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L21/823892

Abstract: 신규한 반도체장치의 제조방법이 개시되어 있다. 통상의 리트로그레이드 웰 형성을 위하여 사용하는 다수의 이온주입 공정에서, 특히 800 KeV 이상의 고에너지를 사용하는 웰 이온주입 공정을 생략(skip)하고, 400 KeV 이하로 적정화된 공정조건을 사용하는 이온주입 공정을 사용하여 펀치쓰로우 스톱 및 채널 스톱 역할을 동시에 수행하는 웰을 형성한다. 또한, 본 발명의 개선된 웰 프로세스에 의해 제작된 소자의 신뢰성 테스트 결과, 종래기술에 의한 소자와 대비하여 유의차가 없음을 확인하였다. 따라서, 제품의 동작특성 및 신뢰성을 저하시키지 않으면서 공정 단순화 및 생산성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970018572A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031085

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현창석 ,  박형무 ,  정규환

IPC: H01L27/108

Abstract: 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법에 개시되어 있다. 반도체기판상에 제1절연층, 식각저지층, 및 제2절연층을 차례로 형성하고, 상기 제2절연층 상에 스토리지 전극 패턴을 형성한 다음, 상기 제2절연층의 일부를 등방성 식각한다. 이어서, 상기 결과물 상에 제2도전층을 형성하고, 상기 결과물을 이방성식각한 다음, 상기 제2절연층을 제거하여 상기 스토리지 전극 패턴 및 제2도전층을 구비하는 스토리지 전극을 형성한다. 따라서 커패시터의 유효면적을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960043263A

公开(公告)日：1996-12-23

申请号：KR1019950013691

申请日：1995-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오용철 ,  신동호 ,  정규환

IPC: H01L29/00

Abstract: 신규한 반도체장치의 제조방법이 개시되어 있다. 통상의 리트로그레이트 웰 형성을 위하여 사용하는 다수의 이온주입 공정에서, 특히 800KeV 이상의 고에너지를 사용하는 웰 이온주입 공정을 생략(skip)하고, 400KeV이하로 적정화된 공정조건을 사용하는 이온주입 공정을 사용하여 펀치쓰로우 스톱 및 채널 스톱 역할을 동시에 수행하는 웰을 형성한다. 또한, 본 발명의 개선된 웰 프로세스에 의해 제작된 소자의 신뢰성 테스트 결과, 종래기술에 의한 소자와 대비하여 유의차가 없음을 확인하였다. 따라서, 제품의 동작특성 및 신뢰성을 저하시키지 않으면서 공정 단순화 및 생산성을 향상시킬 수 있다.