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公开(公告)号:KR1020170125653A
公开(公告)日:2017-11-15
申请号:KR1020160055764
申请日:2016-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/44 , H01L33/507
Abstract: 본발명의기술적사상에의한발광장치는제1 도전형반도체층, 활성층 및제2 도전형 반도체층이적층된발광적층체에상기제1 도전형반도체층과전기적으로연결된제1 전극층및 상기제2 도전형반도체층과전기적으로연결된제2 전극층구비하는발광구조, 상기발광구조상에배치된렌즈, 및, 상기렌즈상에배치된반사막을포함하는포함하는것을특징으로한다
Abstract translation: 一英尺平方值是第一导电类型半导体层,有源层mitje第二导电类型半导体层,其中,所述层叠发光层压在所述第一导电型半导体层和第一电极层电连接到与本发明的技术特征的第二导电 型的特征在于,它包括:包括半导体层和第二电发光结构,发光结构布置在光透镜,而且,设置在所述电极层上形成反射膜被连接到具有透镜
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公开(公告)号:KR101799946B1
公开(公告)日:2017-11-22
申请号:KR1020140161215
申请日:2014-11-18
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C11D3/43 , C11D3/20 , H01L21/304
CPC classification number: C11D1/008 , C11D1/662 , C11D1/667 , C11D1/72 , C11D3/2079 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D11/0047
Abstract: 본발명은유기용매, 유기산, 킬레이트화제, 말단에수산기(OH)를함유하는계면활성제, 및초순수를포함하고, pH값이 12 이상인유기막연마후 세정조성물및 이를이용한세정방법에관한것이다. 상기세정조성물은유기막연마후 세정효과가우수하고, 세정후 유기막표면의잔류오염물이브러쉬및 유기막에재흡착되는것을방지할수 있고, 유기막표면에스크래치가발생하는것을최소화할수 있으며, 세정후 잔류하는오염물의위치편차를최소화할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机溶剂,有机酸,螯合剂,表面活性剂,和包括超纯水,然后抛光有机膜不超过12的pH值,并使用含有末端羟基(OH)的清洗组合物的清洗方法少。 所述清洁组合物可被最小化,这可以防止有机层的表面上的残余污染物固体后和抛光的有机膜进行重新吸附在刷子和有机膜后洗涤的清洗效果,所述有机膜的表面上的划痕发生 ,可以最小化清洁后剩余污染物的位置偏差。
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公开(公告)号:KR1020130087160A
公开(公告)日:2013-08-06
申请号:KR1020120008226
申请日:2012-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/08
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A light emitting device array and a light emitting device package are provided to implement uniform brightness and to reduce a dark part between chips by using a plurality of light emitting devices which are integrally connected to a sapphire substrate. CONSTITUTION: A plurality of light emitting devices (121-124) are integrally connected to a sapphire substrate (110). The light emitting devices include first semiconductor layers (121a), active layers (121b), and second semiconductor layers (121c). The light emitting devices include isolation areas (130) formed by an etching process. First electrodes (121d) are formed on the exposed first semiconductor layers. Second electrodes (121e) are formed on the second semiconductor layers.
Abstract translation: 目的:提供一种发光器件阵列和发光器件封装,以通过使用与蓝宝石衬底整体连接的多个发光器件来实现均匀的亮度并减少芯片之间的暗部分。 构成:多个发光器件(121-124)与蓝宝石衬底(110)整体连接。 发光器件包括第一半导体层(121a),有源层(121b)和第二半导体层(121c)。 发光器件包括通过蚀刻工艺形成的隔离区域(130)。 第一电极(121d)形成在暴露的第一半导体层上。 第二电极(121e)形成在第二半导体层上。
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公开(公告)号:KR1020160059594A
公开(公告)日:2016-05-27
申请号:KR1020140161215
申请日:2014-11-18
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: C11D3/43 , C11D3/20 , H01L21/304
CPC classification number: C11D1/008 , C11D1/662 , C11D1/667 , C11D1/72 , C11D3/2079 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D11/0047 , C11D3/00 , C11D3/20 , H01L21/304
Abstract: 본발명은유기용매, 유기산, 킬레이트화제, 말단에수산기(OH)를함유하는계면활성제, 및초순수를포함하고, pH값이 12 이상인유기막연마후 세정조성물및 이를이용한세정방법에관한것이다. 상기세정조성물은유기막연마후 세정효과가우수하고, 세정후 유기막표면의잔류오염물이브러쉬및 유기막에재흡착되는것을방지할수 있고, 유기막표면에스크래치가발생하는것을최소화할수 있으며, 세정후 잔류하는오염물의위치편차를최소화할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种清洗组合物,该清洗组合物在抛光pH值大于或等于12的有机薄膜之后; 和使用其的清洁方法。 更具体地,清洁组合物包含有机溶剂,有机酸,螯合剂,末端含有羟基的表面活性剂和超纯水。 清洗组合物在抛光有机膜之后具有优异的清洁效果,并且可以防止在清洁之后残留在有机层的表面上的污染物再次吸附到刷子和有机层。 此外,清洁组合物可以最小化在有机层的表面上的划痕的产生,同时最小化清洁后残留的污染物的位置的偏差。
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