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公开(公告)号：KR1020060012684A
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：KR1020040061268
申请日：2004-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J37/30
CPC classification number: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3233 , H01J37/3244 , H01J2237/082
Abstract: 반도체 기판에 대한 이온 주입 공정에 사용되는 이온을 형성하기 위한 이온 소스에서, 아크 챔버는 서로 대향하는 제1측벽 및 제2측벽을 가지며, 아크 챔버의 내부로 소스 가스를 이온화하기 위한 전자들을 방출하는 전자 방출부는 상기 제1측벽과 인접하여 배치되고 상기 전자들을 반발시키기 위한 전자 반발부는 상기 제2측벽과 인접하여 배치된다. 소스 가스 공급부는 상기 전자 방출부와 아크 챔버 사이의 제1 내부 공간과, 상기 전자 반발부와 상기 아크 챔버의 중심 사이의 제2 내부 공간으로 소스 가스를 각각 공급한다. 따라서, 상기 소스 가스의 이온화 효율이 향상되며, 상기 아크 챔버에서 형성된 이온들을 포함하는 이온빔의 균일도가 향상된다.
Abstract translation: 从离子源，以在所述离子注入工艺中使用的半导体衬底中的离子，电弧室具有第一侧壁和彼此相对的第二侧壁，以发射电子到源气体电离入电弧室 电子发射部分与第一侧壁相邻设置，用于排斥电子的电子排斥部分与第二侧壁相邻设置。 源气体供应单元向电子发射单元和电弧室之间的第一内部空间以及电子排斥单元和电弧室中心之间的第二内部空间供应源气体。 因此，源气体的离子化效率提高，并且包括在电弧室中形成的离子的离子束的均匀性得到改善。
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公开(公告)号：KR100599037B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020040061268
申请日：2004-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J37/30
CPC classification number: H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3233 , H01J37/3244 , H01J2237/082
Abstract: 반도체 기판에 대한 이온 주입 공정에 사용되는 이온을 형성하기 위한 이온 소스에서, 아크 챔버는 서로 대향하는 제1측벽 및 제2측벽을 가지며, 아크 챔버의 내부로 소스 가스를 이온화하기 위한 전자들을 방출하는 전자 방출부는 상기 제1측벽과 인접하여 배치되고 상기 전자들을 반발시키기 위한 전자 반발부는 상기 제2측벽과 인접하여 배치된다. 소스 가스 공급부는 상기 전자 방출부와 아크 챔버 사이의 제1 내부 공간과, 상기 전자 반발부와 상기 아크 챔버의 중심 사이의 제2 내부 공간으로 소스 가스를 각각 공급한다. 따라서, 상기 소스 가스의 이온화 효율이 향상되며, 상기 아크 챔버에서 형성된 이온들을 포함하는 이온빔의 균일도가 향상된다.
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公开(公告)号：KR1020080109516A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：KR1020070057926
申请日：2007-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: An end station and ion implantation equipment including the end station and method is provided to prevent wafer from being damaged as the queue of wafer is scattered due to vibration generated in a stage by monitoring the vibration generated in a process in the stage. An end station(200) equipped in the ion implantation equipment comprises a stage(210), a driving part(220), and a sensing member. The stage supports the wafer(W). The driving part runs the stage. The sensing member senses the vibration generated in the stage. The diving part positions the stage between a wafer loading position and a processing position for injecting ion to the loaded wafer. The sensing member detects vibration generated in the stage when the stage moves from the loading position to the processing position.
Abstract translation: 提供包括终端站和方法的终端站和离子注入设备，以防止晶片由于通过监视在该阶段中的处理中产生的振动而在一个阶段中产生的振动而被散射的晶片被损坏。 设置在离子注入设备中的端站（200）包括台（210），驱动部（220）和感测构件。 台架支撑晶片（W）。 驾驶部分跑步。 感测构件感测在舞台中产生的振动。 潜水部件将晶片装载位置和用于将离子注入到加载的晶片的处理位置之间进行定位。 当载物台从装载位置移动到处理位置时，感测构件检测在舞台中产生的振动。
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公开(公告)号：KR1020060118747A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：KR1020050041074
申请日：2005-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: A temperature control assembly and an ion implanting apparatus having the same are provided to prevent contamination of a supporting unit by employing a thermoelement array for cooling the supporting unit. An ion supplying source(202) provides an ion beam. An ion implantation chamber(204) is connected to the ion supplying source and performs an ion implantation on a wafer(W). A supporting unit(110) is formed in the ion implantation chamber and supports the wafer. A thermoelement array(120) is formed on a lower portion of the supporting unit and controls temperature of the supporting unit. A power(130) supplies power to the thermoelement array. A temperature sensor(140) is formed on the supporting unit and detects temperature of the supporting unit. A controller(150) compares the temperature detected in the temperature sensor and pre-set temperature to control the power unit so that the temperature of the supporting unit can be controlled to the pre-set temperature.
Abstract translation: 提供一种温度控制组件和具有该温度控制组件的离子注入装置，以通过采用用于冷却支撑单元的热电偶阵列来防止支撑单元的污染。 离子供应源（202）提供离子束。 离子注入室（204）与离子供给源连接，并对晶片（W）进行离子注入。 支撑单元（110）形成在离子注入室中并支撑晶片。 热电偶阵列（120）形成在支撑单元的下部，并控制支撑单元的温度。 电源（130）向热电元件阵列供电。 温度传感器（140）形成在支撑单元上并检测支撑单元的温度。 控制器（150）比较温度传感器检测到的温度和预设温度来控制功率单元，使得支撑单元的温度可以控制在预设温度。
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