가스 인젝터를 갖는 웨이퍼 처리 장치
    1.
    发明公开
    가스 인젝터를 갖는 웨이퍼 처리 장치 审中-实审
    具有气体注射器的加热装置

    公开(公告)号:KR1020170011443A

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:KR1020150104090

    申请日:2015-07-23

    Abstract: 웨이퍼처리장치는수직방향으로연장하며복수개의웨이퍼들을지지하는보트를수용하는반응챔버를정의하는반응튜브, 및상기반응튜브내에서상기수직방향으로연장하며반응가스를분사하기위한복수개의분사구들이연장방향을따라형성된가스분배체를갖는가스인젝터를포함한다. 상기가스분배체의내경은적어도 10mm이고, 상기가스분배체의단면적과상기분사구들의전체단면적의비율은 0.3 이하다.

    Abstract translation: 晶片处理装置可以包括在垂直方向上延伸的反应管并且限定用于接收保持多个晶片的船的处理室。 气体注射器可以被配置为将反应气体供应到处理室中,并且可以包括在反应管中沿垂直方向延伸的气体分布器。 气体喷射器可以具有用于喷射反应气体的多个喷射孔。 气体分配器的内径可以为至少10mm,并且喷射孔的总截面积与气体分配器的截面面积的截面积比为约0.3以下。

    이온 주입 장치
    2.
    发明公开
    이온 주입 장치 失效
    离子植入物

    公开(公告)号:KR1020020012858A

    公开(公告)日:2002-02-20

    申请号:KR1020000046091

    申请日:2000-08-09

    Abstract: PURPOSE: An ion implanter is provided to make an operator easily identify an error by informing the operator of the defect of a scan position transducer, and to prevent an additional defect by making the operator recognize the scan position when the defect occurs. CONSTITUTION: A wafer(42) is loaded on a disc(40). A scan shaft(60) induces a straight reciprocation motion to the disc for an X scan of the wafer, and one end of the scan shaft is coupled to the lower portion of the disc. The scan position transducer(70) measures an X scan position of the scan shaft. A motor(46) induces a straight reciprocation motion to the scan shaft for the X scan. A connection unit connects the scan position transducer with the scan shaft through a variable resistor line, installed in the other end of the scan shaft. A beam faraday(52) measures the state of an ion beam before the ion beam is irradiated into the wafer. A detection unit displays the direction the X scan proceeds, installed between both ends of the scan shaft. An approach switch(66) reacts with the detection unit and generates a signal in a process.

    Abstract translation: 目的:提供离子注入机,使操作员通过向操作者通知扫描位置传感器的缺陷,轻松识别错误,并通过使操作者在出现缺陷时识别扫描位置来防止额外的缺陷。 构成:将晶片(42)装载在盘(40)上。 扫描轴(60)引起对盘的直线往复运动,用于晶片的X扫描,并且扫描轴的一端耦合到盘的下部。 扫描位置传感器(70)测量扫描轴的X扫描位置。 电动机(46)引起对X扫描的扫描轴的直线往复运动。 连接单元通过安装在扫描轴另一端的可变电阻线连接扫描位置传感器与扫描轴。 光束法拉第(52)在将离子束照射到晶片之前测量离子束的状态。 检测单元显示X扫描进行的方向,安装在扫描轴的两端之间。 接近开关(66)与检测单元反应并在过程中产生信号。

    기판 처리 장치
    3.
    发明公开
    기판 처리 장치 审中-实审
    用于处理基板的装置

    公开(公告)号:KR1020160026572A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:KR1020140115690

    申请日:2014-09-01

    Abstract: 본발명의기술적사상의기판처리장치는수평자세로탑재된기판을복수개적층하여처리하는처리실과, 상기처리실의내벽을따라상기기판의적층방향으로설치된처리가스공급노즐을통해상기처리실내부의상기기판을처리하도록처리가스를공급하는처리가스공급유닛과, 상기처리실내부를배기하도록구성된배기유닛; 및상기처리실의둘레방향으로설치된블록가스분사인젝터를통해상기처리실내부의상기처리가스의흐름을제어하는블록가스를공급할수 있는블록가스공급유닛을포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明,一种用于处理基板的设备包括:堆叠和处理多个水平加载的基板的处理室; 处理气体供给单元,其通过沿着处理室的内壁设置在基板的堆叠方向上的处理气体供给喷嘴供给处理气体,以处理处理室内部的基板; 以及从处理室的内部排出气体的排气单元; 以及块状气体供给单元,其通过在所述处理室的周向安装的块状气体喷射喷射器来供给控制处理室内的处理气体的流动的块状气体。

    온도 조절 어셈블리 및 이를 갖는 이온 주입 장치
    4.
    发明公开
    온도 조절 어셈블리 및 이를 갖는 이온 주입 장치 无效
    温度控制组件和带有其的离子植入物

    公开(公告)号:KR1020060118747A

    公开(公告)日:2006-11-24

    申请号:KR1020050041074

    申请日:2005-05-17

    Abstract: A temperature control assembly and an ion implanting apparatus having the same are provided to prevent contamination of a supporting unit by employing a thermoelement array for cooling the supporting unit. An ion supplying source(202) provides an ion beam. An ion implantation chamber(204) is connected to the ion supplying source and performs an ion implantation on a wafer(W). A supporting unit(110) is formed in the ion implantation chamber and supports the wafer. A thermoelement array(120) is formed on a lower portion of the supporting unit and controls temperature of the supporting unit. A power(130) supplies power to the thermoelement array. A temperature sensor(140) is formed on the supporting unit and detects temperature of the supporting unit. A controller(150) compares the temperature detected in the temperature sensor and pre-set temperature to control the power unit so that the temperature of the supporting unit can be controlled to the pre-set temperature.

    Abstract translation: 提供一种温度控制组件和具有该温度控制组件的离子注入装置,以通过采用用于冷却支撑单元的热电偶阵列来防止支撑单元的污染。 离子供应源(202)提供离子束。 离子注入室(204)与离子供给源连接,并对晶片(W)进行离子注入。 支撑单元(110)形成在离子注入室中并支撑晶片。 热电偶阵列(120)形成在支撑单元的下部,并控制支撑单元的温度。 电源(130)向热电元件阵列供电。 温度传感器(140)形成在支撑单元上并检测支撑单元的温度。 控制器(150)比较温度传感器检测到的温度和预设温度来控制功率单元,使得支撑单元的温度可以控制在预设温度。

    이온 주입 장치
    6.
    发明授权
    이온 주입 장치 失效
    离子注入装置

    公开(公告)号:KR100594220B1

    公开(公告)日:2006-06-30

    申请号:KR1020000046091

    申请日:2000-08-09

    Abstract: 이온 주입 장치에 관해 개시되어 있다. 웨이퍼가 로딩되는 디스크, 일단이 상기 디스크의 하부에 체결되어 있고 상기 웨이퍼의 X 스캔을 위해 상기 디스크에 직선 왕복 운동을 유발시키는 스캔 샤프트, 상기 스캔 샤프트의 X 스캔 위치를 측정하기 위한 스캔 위치 트랜스 듀서, 상기 X 스캔을 위해 상기 스캔 샤프트에 직선 왕복 운동을 유발시키는 모터, 상기 스캔 샤프트의 타단에 구비되어 있고, 가변 저항선을 통해 상기 스캔 위치 트랜스 듀서와 상기 스캔 샤프트를 연결시키는 연결 유닛 및 상기 웨이퍼에 이온빔을 주입하기 전에 상기 이온빔의 상태를 측정하는데 사용되는 빔 패러데이를 구비하는 이온 주입 장치에 있어서, 상기 스캔 샤프트의 일단과 타단 사이에 상기 X 스캔 진행 방향을 표시하는 감지 수단이 구비되어 있고, 상기 감지 수단과 반응하여 공정 진행 중에 신호를 발생하는 근접 스위치가 구비되어 있다.

    이온 주입 장치의 아크 챔버
    7.
    发明公开
    이온 주입 장치의 아크 챔버 无效
    离子植物园ARC

    公开(公告)号:KR1020040018863A

    公开(公告)日:2004-03-04

    申请号:KR1020020050944

    申请日:2002-08-27

    Abstract: PURPOSE: An arc chamber of an ion implanter is provided to lengthen the lifespan of a filament by preventing a short of an arc chamber and improve productivity. CONSTITUTION: An arc chamber of an ion implanter comprises an arc chamber(110), a filament(120), and a first insulating unit(130a). The arc chamber provides space for generating ions and includes a first hole at a first sidewall. The filament is spaced apart from the first hole and emits thermal electrons to the inside of the arc chamber. The first insulating unit is formed on the circumference of the first sidewall, insulates the arc chamber from the filament and supports fixedly the position of the filament.

    Abstract translation: 目的:提供离子注入机的电弧室,以通过防止电弧室短路并提高生产率来延长灯丝的使用寿命。 构成:离子注入机的电弧室包括电弧室(110),灯丝(120)和第一绝缘单元(130a)。 电弧室提供用于产生离子的空间,并且在第一侧壁处包括第一孔。 灯丝与第一孔间隔开,并向电弧室的内部发射热电子。 第一绝缘单元形成在第一侧壁的圆周上,使电弧室与灯丝绝缘,并且固定地支撑灯丝的位置。

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