公开(公告)号：KR1020140106977A

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：KR1020130021386

申请日：2013-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  인하대학교 산학협력단

Inventor： 손경석 ,  류명관 ,  정재경

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742

Abstract: Disclosed are a thin film transistor with high performance and a manufacturing method thereof. The thin film transistor according to one embodiment of the present invention includes a gate electrode which is formed on a substrate, a gate insulation layer which is formed on the gate electrode, a channel layer which is formed on the gate insulation layer, a first electrode which covers one end of the channel layer, a second electrode which covers the other end of the channel layer, and a protective layer which covers the channel layer between the first and second electrodes. The channel layer includes an In-rich metal oxide layer. The protective layer is a single layer or multiple layers and includes at least aluminum oxide. The channel layer is processed by O2 HPA before or after the protective layer is formed.

Abstract translation: 公开了一种具有高性能的薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极电极，形成在栅电极上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的沟道层，第一电极 其覆盖沟道层的一端，覆盖沟道层的另一端的第二电极和覆盖第一和第二电极之间的沟道层的保护层。 沟道层包括富铟金属氧化物层。 保护层是单层或多层，并且至少包括氧化铝。 在保护层形成之前或之后，通道层由O 2 HPA处理。

公开(公告)号：KR100247904B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019920019220

申请日：1992-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이우성 ,  정재경 ,  박진성 ,  손민영

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 장치의 절연막 형성 방법이 개시되어 있다. 로(furnace)의 분위기를 800℃ 근처의 저온에서 질소 가스 분위기로 유지하고, 로의 질소 가스 분위기에 반도체 기판을 도입하여 유지하고, 로의 온도를 950℃ 근처의 고온으로 상승시키며 질소 가스 분위기에 산소 가스를 유입하여 질소 가스에 의해 희석된 산소 가스를 사용하여 반도체 기판상에 실리콘 산화막을 형성한 후, 연속적으로 아산화 질소(nitrous oxide; N
2 O)를 사용하여 실리콘 산화막을 질회시켜 실리콘 옥시나이트라이트막을 형성한다. 용이하게 고품질의 절연막인 균일성이 좋은 옥시나이트라이트막을 수득할 수 있고, 이를 반도체 장치의 게이트 절연막으로서 사용하는 경우에는 보론 침투 억제 효과가 우수하다. 또한, 반도체 장치의 캐패시터 유전막으로서 이용하는 경우에는 신뢰성이 우수한 반도체 장치의 캐패시터를 수득할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990069659A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980004050

申请日：1998-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재경

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 벌크디펙트의 모폴로지 분석방법에 관한 것으로써, 웨이퍼의 표면에 에프아이비(FIB)를 이용하여 일정한 간격으로 소정의 표식을 마킹하는 제1차마킹단계; 엘에스티(LST)를 이용하여 상기 소정의 표식과 상기 웨이퍼 내의 벌크디펙트의 이미지를 분석하여 상기 벌크디펙트의 위치를 파악하는 제1차위치파악단계; 상기 벌크디펙트가 존재하는 근접 위치에 상기 에프아이비를 이용하여 적어도 둘이상의 서로 다른 깊이를 가지는 소정의 표식을 마킹하는 제2차마킹단계; 상기 엘에스티를 이용하여 적어도 둘이상의 서로 다른 깊이를 가지는 소정의 표식과 상기 벌크디펙트의 이미지를 분석하여 상기 벌크디펙트가 존재하는 깊이를 파악하는 제2차위치파악단계; 상기 벌크디펙트의 모폴로지를 분석할 수 있는 반도체 시료로 제조하는 시료제조단계; 및 상기 벌크디펙트의 모폴로지를 분석하는 분석단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다
따라서, 웨이퍼 내에 존재하는 벌크디펙트의 모폴로지를 분석할 수 있음으로 인해 이에 따른 불량의 원인을 규명할 수 있어 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990080530A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980013852

申请日：1998-04-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재경

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 시료로 제조할 수 있는 시편과 그리드를 용이하게 접착시킬 수 있는 반도체 시료로 제조할 수 있는 시편의 접착장치에 관한 것이다.
본 발명은, 압력플레이트가 구비되는 본체와 상기 본체의 압력플레이트에 수용시킬 수 있는 베이스와 상기 베이스에 안착되는 그리드를 고정시킬 수 있도록 상기 베이스에 대응하는 저면에 반원형태의 그리드고정부가 구비되는 픽서 및 상기 베이스에 안착되는 시편을 고정시켜 접착할 수 있도록 상기 베이스에 대응하는 저면에 양단부가 돌출된 반원형태의 시편고정부가 구비되는 포지서너를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 시료로 제조할 수 있는 시편과 그리드의 접착을 용이하게 수행함으로써 이를 이용하는 분석공정의 효율성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990069090A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980003116

申请日：1998-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재경

IPC: H01J37/26

Abstract: 본 발명은 바이노큘러의 렌즈를 작업자의 시력에 따라 구비시켜 용이하게 교체할 수 있는 투과전자현미경의 바이노큘러에 관한 것이다.
본 발명은 일렉트론빔의 정렬시 형광판에 주사되는 상기 일렉트론빔의 이미지를 확대하여 확인할 수 있는 렌즈가 좌,우측으로 구비되는 투과전자현미경의 바이노큘러에 있어서, 상기 좌,우측으로 구비되는 렌즈를 보호할 수 있는 렌즈부의 상단의 양측부에 형성되는 걸림턱; 및 상기 렌즈부를 수용할 수 있는 크기로 형성되어, 상기 걸림턱에 의해 상기 렌즈부를 지지하여 고정시키는 지지부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 작업자의 시력에 따른 렌즈가 구비되는 렌즈부를 이용하여 투과전자현미경을 이용한 분석공정을 수행함으로써 분석에 따른 데이터의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100165332B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950066874

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재근 ,  정재경 ,  조규철 ,  최수열

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 장치의 분석방법에 있어서, 산화막 내의 결함을 분석하는 방법에 대해 기재되어 있다.
이는, MOS 캐패시터 방법, 전자빔 유도 전류(EBIC) 방법 및 포커스드 이온빔(FIB) 방법을 결합하여 사용하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 산화막 내에 존재하는 결함의 정확한 형태를 관찰할 수 있고, 산화막 브레이크 다운의 정확한 메카니즘을 해석할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970063614A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960005308

申请日：1996-02-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 옥창혁 ,  정재경

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 투과 전자현미경(TEM) 시료 제조방법에 관해 개시한다.
본 발명에 의한 TEM 시료 제조방법은 분석대상물과 표식을 포함하고 있는 시료 샘플의 전면에 유리를 부착하는 단계, 상기 유리가 부착된 면과 반대되는 면을 연마하는 제1가공단계, 사기 제1가공이 끝난 샘플을 이은 연마하는 제2가공단계를 포함하는 투과 전자 현미경(TEM) 시료 제조방법에 있어서, 상기 제2가공단계는 상기 유리가 부착된 면과 반대되는 면의 전면을 균일한 두께로 연마한 다음, 시료 샘플을 그리드에 부착한 후 FIB를 이용하여 이온연마한다.
본 발명은 시료를 평면형태로 형성하므로 공정이 단순하고 다층박막의 어느 층에 형성되는 불량에 대해서도 시료를 만들어 분석하는 것이 가능하다. 또한, 종래기술에 의한 시료와 같이 분석대상물이 있는 부분의 두께가 특별히 얇지 않으므로 분석이 완성된 시료가 쉽게 깨어지는 것을 방지할 수도 있다. 따라서 반도체장치의 불량부분에 대한 분석효율을 높일 수도 있다.

公开(公告)号：KR1019970052162A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950066874

申请日：1995-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재근 ,  정재경 ,  조규철 ,  최수열

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 장치의 분석방법에 있어서, 산화막 내의 결함을 분석하는 방법에 대해 기재되어 있다.
이는, MOS 캐패시터 방법, 전자빔 유도 전류(EBIC) 방법 및 포커스드 이온빔(FIB) 방법을 결합하여 사용하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 산화막 내에 존재하는 결함의 정확한 형태를 관찰할 수 있고, 산화막 브레이크 다운의 정확한 메카니즘을 해석할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960026512A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940034409

申请日：1994-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이홍규 ,  정재경 ,  옥창혁 ,  강성철

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 전자 현미경 분석을 위한 미세 영역의 단면 관찰용 시료 제작 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 실리콘 웨이퍼 기질내에 존재하는 미세-D-결함을 분석하기 위한 시료의 제작에 관한 것이다.
실리콘 단결정 웨이퍼에서의 결정 결함은 A- 및 D- 결함이 주로 알려져 있다. A-결함은 투과 전자 현미경 분석으로 실리콘 틈새 전위루-프라고 알려져 있다. 단면에, D-결함은 확인하기가 매우 어려워 그 정체가 잘 알려져 있지 않고 있다.
본 발명은 D-결함의 위치를 찾아 시료의 표면에 표시하여 FIB를 이용한 시료의 가공시 정확한 위치를 알 수 있도록 하는 TEM 시료의 제작 방법을 제공하려는 목적에서, 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscpoe)과 전 빔 유도 전류(Electron Beam Induced Current) 장치를 적용하여 전자 빔 유도 전류 장치에 의한 이미지(Image)로부터 시료내에 존재하는 결함의 정확한 위치를 찾고 주사 전자 현미경의 X, Y 전자 빔 주사(Electron Beam Scanning) 기능을 이용하여 시료 표면에 그 위치를 표시함으로써 집속 전자 빔(Focused Electron Beam) 장비에서 그 정확한 위치를 알 수 있도록 하는 전자 현미경 분석을 위한 미세 영역의 단면 관찰용 시료의 제작 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019950001155B1

公开(公告)日：1995-02-11

申请号：KR1019910025343

申请日：1991-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이우성 ,  정재경

IPC: H01L29/94

Abstract: The method includes the steps of forming a field region and an active region by a LOCOS process, growing a silicon oxide film thereon with maintaining an standby temperature at N2 purge, raising the temperature to 1100 deg.C by a rapid thermal process, and implanting O2 thereinto, forming an oxynitride film with maintaining the standby temp. by ramp idling, raising the temp. to 1150 deg.C, and implanting N2O, and patterning the film with maintaining the standby temp. by ramp idling at N2 purge and POCl3 doping, thereby forming the oxynitride (SiOxNy) to improve the film quality.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：通过LOCOS工艺形成场区域和有源区域，在其上生长氧化硅膜，其中待机温度保持在N2吹扫，通过快速热处理将温度升高至1100℃， O2，形成氧氮化膜，保持备用温度。 通过斜坡空转，提高温度。 至1150摄氏度，并注入N2O，以及保持待机温度对胶片进行图案化。 通过在N2吹扫和POCl3掺杂时斜坡空转，从而形成氧氮化物（SiO x N y）以提高膜质量。