이기종 컴퓨팅 환경에서 보안 강화 방법 및 장치

    公开(公告)号:KR101895453B1

    公开(公告)日:2018-10-25

    申请号:KR1020110116446

    申请日:2011-11-09

    CPC classification number: G06F21/00 G06F9/445 G06F21/50 G06F21/57

    Abstract: 개방형표준병렬프로그램을지원하는이기종컴퓨팅환경에서보안성및 안정성을강화하는방법및 장치에관한것으로, 이기종컴퓨팅환경에서보안강화방법은호스트시스템에설치될응용프로그램에대응하는소스코드형태의커널을로딩하고, 상기커널을크로스컴파일하기전에, 상기호스트시스템의보안정책에기초하여상기커널이무결성검증(Integrity Check) 대상인지여부를결정하며, 상기커널이무결성검증대상인경우, 컴퓨팅디바이스의시큐리티엔진에상기커널의무결성검증을요청하고, 상기시큐리티엔진으로부터수신한검증결과에기초하여런타임컴파일러의동작을제어한다.

    스레드 프로그레스 트래킹 방법 및 장치

    公开(公告)号:KR101892273B1

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:KR1020110104061

    申请日:2011-10-12

    Abstract: 마이크로아키텍쳐를사용하는컴퓨터환경에서응용프로그램의진행상태또는성능을측정하기위한방법및 장치에관한것으로, 스레드프로그레스트래킹(Thread Progress Tracking) 장치는응용프로그램을구성하는스레드(Thread)를선택하고, 상기스레드를구성하는적어도하나의명령어의수행방식이, 수행시간이일정한유효수행(effective execution) 방식인지또는상기수행시간이일정하지않은지연사이클을가지는비 유효수행(Non-effective execution) 방식인지기 설정된기준에기초하여결정하며, 상기비 유효수행방식으로수행되는명령어를제외한상기유효수행방식으로수행되는명령어의수행시간을누적하는유효프로그레스카운터(EPC, Effective Progress Counter)에기초하여유효프로그레스인덱스(EPI, Effective Progress Index)를생성한다.

    멀티 스레드를 처리하는 방법 및 장치
    3.
    发明公开
    멀티 스레드를 처리하는 방법 및 장치 审中-实审
    用于处理多线程的方法和设备

    公开(公告)号:KR1020160071782A

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:KR1020140179352

    申请日:2014-12-12

    CPC classification number: G06F8/452 G06F9/46 G06F9/461 G06F9/462

    Abstract: 복수개의스레드들에서루프를검색하고, 검색된루프각각의반복횟수를계산하고, 계산된루프의반복횟수를기초로하여스레드를결정하고, 결정된스레드의일부를자식스레드(child thread)로분할하고, 분할된자식스레드를복수개의스레드가나누어처리하는, 멀티스레드를처리하는방법및 장치가개시된다.

    Abstract translation: 公开了一种用于处理多线程的方法和装置。 该方法包括:搜索多个线程以进行循环的步骤; 计算每个搜索循环的重复次数的步骤; 基于所计算的循环重复次数来确定线程的步骤; 将一些确定的线程划分成子线程的步骤; 以及通过线程分开处理分割的子线程的步骤。 根据本发明,一次读取命令并共享,使得许多线程可以被同步以一起执行。

    이전 커맨드 정보를 이용하여 현재 커맨드를 처리하는 방법 및 장치.
    5.
    发明公开
    이전 커맨드 정보를 이용하여 현재 커맨드를 처리하는 방법 및 장치. 审中-实审
    使用以前的命令提交当前命令的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020150060026A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:KR1020130143925

    申请日:2013-11-25

    CPC classification number: G06T15/005 G06T15/205

    Abstract: 이전커맨드정보를이용하여현재커맨드를처리하는방법및 장치를개시한다. 일측면에따른렌더링방법은렌더링의대상이되는현재커맨드에대응하는제 1 데이터를수신하는단계; 상기제 1 데이터와기 처리된이전커맨드에대응하는제 2 데이터를비교함으로써상기제 2 데이터의결과를재사용할지여부를결정하는단계; 및상기결정결과에기초하여상기현재커맨드를처리하는단계;를포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种通过使用先前的命令信息来处理电流命令的方法和装置。 根据一方面的再现方法包括以下步骤:接收与当前命令对应的第一数据,所述当前命令成为用于呈现的对象; 通过将第一数据与对应于预处理的先前命令的第二数据进行比较来确定第二数据的结果的重用; 以及基于所述确定结果来处理所述当前命令。

    영상 처리 장치 및 방법
    6.
    发明公开
    영상 처리 장치 및 방법 审中-实审
    图像处理装置及方法

    公开(公告)号:KR1020150041538A

    公开(公告)日:2015-04-16

    申请号:KR1020130120192

    申请日:2013-10-08

    CPC classification number: G06T15/005 G06T15/40 G06T15/80 G06T17/10

    Abstract: 일실시예에따른영상처리방법은이전드로우커맨드와동일한드로우커맨드가입력되는지결정하는단계; 상기이전드로우커맨드에의해수행된이전프레임의투명도에대한정보를획득하는단계; 및상기투명도에대한정보에기초하여현재프레임에대한영상처리를수행하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的图像处理方法包括以下步骤:确定是否输入与先前绘制命令相同的绘制命令; 获取关于由先前绘制命令执行的先前帧的透明度的信息; 并且基于关于透明度的信息对当前帧执行图像处理。

    발광소자 패키지 및 그 제조 방법
    8.
    发明公开
    발광소자 패키지 및 그 제조 방법 审中-实审
    发光器件封装及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140123720A

    公开(公告)日:2014-10-23

    申请号:KR1020130040885

    申请日:2013-04-15

    Abstract: A light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes a substrate which includes a core with a laminate structure on which a plurality of metal layers with different thermal expansion coefficients are bonded, an insulation layer which covers at least one side of the core and an electrode layer which is formed on the insulation layer and is electrically insulated from the core, and a light emitting device which is mounted on the substrate and is electrically connected to the electrode layer.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的发光器件封装包括:衬底,其包括具有层压结构的芯,多个金属层具有不同的热膨胀系数,绝缘层覆盖至少一个 芯和形成在绝缘层上并与芯电绝缘的电极层,以及安装在基板上并与电极层电连接的发光器件。

    결정적 프로그레스 인덱스 기반 락 제어 및 스레드 스케줄링 방법 및 장치
    9.
    发明公开
    결정적 프로그레스 인덱스 기반 락 제어 및 스레드 스케줄링 방법 및 장치 有权
    基于确定性进度指标的螺纹调度和锁定采购订单控制的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020120009907A

    公开(公告)日:2012-02-02

    申请号:KR1020100070964

    申请日:2010-07-22

    Abstract: PURPOSE: A DPI based lock control, a thread scheduling method thereof and a device thereof are provided to efficiently control a lock sequence of a thread by using the DPI as a core unit. CONSTITUTION: A loading unit(530) loads a first and a second core DPI at a lock acquisition time. A comparing unit(540) compares the first and the second core DPI. When the first core DPI is smaller than the second core DPI, which is the last core to be compared, a control unit(550) gives lock to the thread of the first core. When the first core DPI is same as the second core DPI and the first core ID is smaller than the second core ID, the control unit gives lock to the thread of the first core.

    Abstract translation: 目的:提供一种基于DPI的锁定控制,其线程调度方法及其装置,以通过使用DPI作为核心单元来有效地控制线程的锁定序列。 构成:加载单元(530)在锁定获取时间加载第一和第二核心DPI。 比较单元(540)比较第一和第二核心DPI。 当第一核心DPI小于作为要比较的最后核心的第二核心DPI时,控制单元(550)给予锁定第一核心的螺纹。 当第一核心DPI与第二核心DPI相同并且第一核心ID小于第二核心ID时,控制单元对第一核心的线程进行锁定。

    반도체 패키지 및 이의 제조 방법
    10.
    发明公开
    반도체 패키지 및 이의 제조 방법 无效
    半导体封装及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090005873A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:KR1020070069257

    申请日:2007-07-10

    Abstract: The semiconductor package and manufacturing method thereof are provided to reduce the thickness in the mounting of the semiconductor package by rewiring the center pad chip as the edge pad chip. The semiconductor chip(120) comprises the bonding pad(130) and is arranged on the top of the substrate(110). The bonding pad is arranged in the top surface center of the substrate and serves as the input-output terminal of the electric signal. The semiconductor chip comprises a plurality of bonding pads. The protective film(140) is made of the insulating material like the silicon oxide film or the silicon nitride film and is formed in the top surface of the bonding pad and semiconductor chip. The first insulation layer(150) is formed on the protective film. The metal bottom layer(160) is formed on the upper side and the first insulation layer of the exposed bonding pad.

    Abstract translation: 半导体封装及其制造方法被设置为通过重新布线作为边缘焊盘芯片的中心焊盘芯片来减小半导体封装的安装厚度。 半导体芯片(120)包括焊盘(130)并且布置在基板(110)的顶部上。 焊盘设置在基板的顶面中心,作为电信号的输入输出端子。 半导体芯片包括多个接合焊盘。 保护膜(140)由氧化硅膜或氮化硅膜等绝缘材料构成,形成在焊盘和半导体芯片的顶面。 第一绝缘层(150)形成在保护膜上。 金属底层(160)形成在暴露的焊盘的上侧和第一绝缘层上。

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