公开(公告)号：KR1020170075887A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020150185181

申请日：2015-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오세진 ,  우제헌 ,  조충호 ,  성덕용 ,  양장규 ,  정재철

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/32128 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069

Abstract: 본발명은플라즈마처리장치, 그의플라즈마처리방법및 플라즈마식각방법을개시한다. 그의장치는, 소스전극과, 소스고주파파워생성부와, 소스고주파파워출력부와, 소스파워출력매니징회로부를포함한다. 소스파워출력매니징회로부는연속파 소스고주파파워의진폭에따른플라즈마에근거하여펄스소스고주파파워의진폭과듀티사이클을결정한다.

Abstract translation: 本发明公开了一种等离子体处理装置，其等离子体处理方法以及等离子体蚀刻方法。 该装置包括源电极，源高频发电单元，源高频功率输出单元和源功率输出管理电路单元。 源功率输出管理电路部分根据连续波源高频功率的幅度确定基于等离子体的脉冲源高频功率的幅度和占空比。

公开(公告)号：KR1020150031782A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：KR1020130111395

申请日：2013-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재철 ,  신동옥 ,  이상헌

IPC: H05H1/00 ,  C23C8/00 ,  H01L21/66

CPC classification number: H05H1/0025

Abstract: The present invention provides a wafer-shaped monitoring tool to monitor plasma characteristic and a monitoring system using the same. The tool includes a housing, a sensor array to be arranged within the housing, a signal processing unit, a data transmitting unit, and a control unit. The sensor array is arranged in two-dimension and includes multiple measurement sensors having a shielding film to block electric interaction with a charged particle within a plasma. The signal processing unit generates measurement data by processing an electric signal generated from the measurement sensors, and the data transmitting unit transmits the measurement data to the outside.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于监测等离子体特性的晶片状监测工具和使用其的监测系统。 该工具包括壳体，布置在壳体内的传感器阵列，信号处理单元，数据发送单元和控制单元。 传感器阵列被布置成二维的并且包括具有屏蔽膜以阻止与等离子体内的带电粒子的电相互作用的多个测量传感器。 信号处理单元通过处理从测量传感器产生的电信号来生成测量数据，并且数据发送单元将测量数据发送到外部。