公开(公告)号：KR1020150097946A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020140018839

申请日：2014-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임준희 ,  허기재 ,  김성환 ,  정해인 ,  홍수진

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 반도체를 포함하는 기판 상에 게이트 구조물을 형성한다. 이온주입 공정을 수행하여, 상기 게이트 구조물에 의해서 노출된 기판 상부에 상기 기판을 구성하는 물질과 동일한 물질을 주입하여 확장된 부피를 갖는 이온주입 영역들을 형성한다.

Abstract translation: 半导体器件的制造方法在具有半导体的衬底上形成栅极结构。 本发明进行离子注入工艺，将与形成衬底的物质相同的物质注入由栅极结构暴露的衬底的上部，以形成具有膨胀体积的离子注入区域。