公开(公告)号：KR1020070078305A

公开(公告)日：2007-07-31

申请号：KR1020060008470

申请日：2006-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤우 ,  조규종 ,  이혜진

IPC: H03K3/354

CPC classification number: H03K3/03

Abstract: An oscillator operating in multi-frequency is provided to operate in multi-frequency by controlling an operation frequency and to secure enough noise margin. An oscillator(300) operating in multi-frequency includes an oscillation part, a feedback part(330). The oscillation part performs oscillation, is connected between a terminal(XIN) and the terminal(XOUT), generates a sine wave having a predetermined oscillation frequency, and inputs the sine wave to a predetermined semiconductor device. The semiconductor device converts the inputted sine wave to a square wave and uses the square wave as a clock. The oscillator(300) further includes a buffering part(320) and an input control part(310). The buffering part(320) buffers the sine wave having the predetermined oscillation frequency and inputs the buffered sine wave to the semiconductor device. The input control part(310) controls operations of the oscillator(300) as an option circuit of the oscillator(300).

Abstract translation: 提供以多频率工作的振荡器，通过控制操作频率和确保足够的噪声余量来操作多频。 以多频率工作的振荡器（300）包括振荡部分，反馈部分（330）。 振荡部分进行振荡，连接在端子（XIN）和端子（XOUT）之间，产生具有预定振荡频率的正弦波，并将正弦波输入到预定的半导体器件。 半导体器件将输入的正弦波转换成方波，并使用方波作为时钟。 振荡器（300）还包括缓冲部分（320）和输入控制部分（310）。 缓冲部分（320）缓冲具有预定振荡频率的正弦波并将缓冲的正弦波输入到半导体器件。 输入控制部分（310）控制作为振荡器（300）的选择电路的振荡器（300）的操作。

公开(公告)号：KR100881180B1

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：KR1020060008470

申请日：2006-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이윤우 ,  조규종 ,  이혜진

IPC: H03K3/354

CPC classification number: H03K3/03

Abstract: 다양한 주파수에서 동작가능한 오실레이터가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 오실레이터는 발진부, 피드백부, 및 주파수제어부를 구비한다. 발진부는 소정의 발진주파수를 갖는 정현파를 발생한다. 피드백부는 상기 정현파를 상기 발진부로 피드백한다. 주파수제어부는 주파수 제어신호에 응답하여 상기 피드백부를 흐르는 전류량을 조절함으로써 상기 피드백부의 동작주파수를 제어한다. 본 발명에 오실레이터는 동작주파수를 조절함으로써 다양한 주파수에서 동작할 수 있으며, 잡음 마진을 충분히 확보할 수 있는 장점이 있다.
오실레이터, 주파수제어부

公开(公告)号：KR1020170104031A

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：KR1020160025680

申请日：2016-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문성현 ,  홍성재 ,  조규종 ,  강승원

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/62

Abstract: 본발명의실시형태에따른패키지기판은, 복수의실장영역, 및상기복수의실장영역중 적어도하나를포함하는복수의단위발광영역을갖는베이스기판, 상기베이스기판의일면에마련되며, 상기복수의실장영역에서복수의발광소자와연결되는복수의제1 회로패턴, 상기복수의단위발광영역에연결되는복수의제2 회로패턴, 및서로다른상기단위발광영역에각각연결되는상기제2 회로패턴들을서로전기적으로연결하거나, 상기제1 회로패턴과상기제2 회로패턴을서로전기적으로연결하는와이어를포함한다.

Abstract translation: 被设置在所述基底基板的一个表面上，根据本发明，多个安装区域的实施例封装衬底，并且，所述具有多个单元的光的基体基板的发光区域包括所述多个安装区域的中的至少一个，所述多个 多个所述第二连接到第一多个电路图案的，发射连接到所述多个发光器件中的安装区域中的电路图案区域中的多个单元的光，并且所述第二电路图案彼此分别连接到另一所述单元的光发射区 彼此或电连接，包括：第一电路图案和第二电路图案彼此连接电导线。

公开(公告)号：KR1020030025061A

公开(公告)日：2003-03-28

申请号：KR1020010057984

申请日：2001-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조규종 ,  김형우

IPC: H01L21/60

Abstract: PURPOSE: A bonding pad of a semiconductor device and a method for forming the same are provided to prevent a dishing phenomenon in a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process by forming a dummy pattern formed with oxide on a pad pattern. CONSTITUTION: A pad pattern(100) is formed on a semiconductor substrate. A dummy pattern(102) is formed on the pad pattern(100). The pad pattern(100) is formed with Cu. The dummy pattern is formed with oxide. An interlayer dielectric(104) is formed on the resultant. A contact(106) is formed on the interlayer dielectric(104) in order to connect the pad pattern(100) with the pad pattern(100) of an upper portion. A dishing phenomenon is not generated on the pad pattern(100) since the dummy pattern(102) is formed with the oxide. A contact hole of a center portion of the pad pattern(100) is connected with the contact(106).

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的接合焊盘及其形成方法，以通过在焊盘图案上形成由氧化物形成的虚拟图案来防止CMP（化学机械抛光）工艺中的凹陷现象。 构成：在半导体衬底上形成衬垫图形（100）。 在焊盘图案（100）上形成虚设图案（102）。 焊盘图案（100）由Cu形成。 虚拟图案由氧化物形成。 在所得物上形成层间电介质（104）。 在层间电介质（104）上形成接触（106），以将焊盘图案（100）与上部的焊盘图案（100）连接起来。 由于虚拟图案（102）由氧化物形成，所以在焊盘图案（100）上不产生凹陷现象。 焊盘图案（100）的中心部分的接触孔与触头（106）连接。