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公开(公告)号：WO2018124633A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/KR2017/015232
申请日：2017-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이임성 , 김기원 , 오세기 , 구자민 , 권기영 , 김은영 , 김지민 , 김철귀 , 김형우 , 남궁주 , 박지현 , 유승훈 , 유용주 , 이동규 , 이찬원 , 장시학
Abstract: 본 발명의 다양한 실시예들은 전자 장치 및 그의 메시지 전달 방법에 관한 것으로, 상기 전자 장치는 카메라; 상기 카메라와 기능적으로 연결되는 적어도 하나의 프로세서; 및 상기 적어도 하나의 프로세서에 의하여 실행 가능하도록 구성되는 적어도 하나의 프로그램을 저장하는 메모리를 포함하되, 상기 프로그램은 발신자로부터의 메시지의 입력 감지에 대응하여 상기 카메라를 활성화하여 상기 발신자를 촬영하고, 상기 촬영된 발신자의 이미지 및 상기 입력된 메시지를 분석하고, 상기 분석 결과를 기반으로, 수신자 및 출력 패턴을 결정하고, 상기 수신자가 인식되는지 확인하며, 상기 수신자가 인식되는 경우 상기 결정된 출력 패턴을 기반으로 상기 인식된 수신자에게 상기 메시지를 전달하도록 설정된 명령어를 포함할 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예가 가능하다.
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公开(公告)号：KR100541803B1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：KR1019990014979
申请日：1999-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/78
Abstract: 소잉 공정 진행시 발생되는 미케니컬 스트레스가 메인 칩으로 이동되는 것을 막을 수 있도록 하여 메인 칩의 안정된 소자 특성을 확보할 수 있도록 한 반도체 소자의 스크라이브 라인이 개시된다. 이를 구현하기 위하여 본 발명에서는, 절연 기판과; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판 표면이 소정 부분 노출되도록 복수의 제 1 관통 홀이 구비된 제 1 층간 절연막과; 상기 제 1 관통 홀 내부에 형성되며, 도전성 플러그 형상을 갖는 제 1 스트레스 스토핑 패턴과; 상기 결과물 상에 형성되며, 상기 제 1 스트레스 스토핑 패턴 표면이 소정 부분 노출되도록 복수의 제 2 관통 홀이 구비된 제 2 층간 절연막과; 상기 제 2 관통 홀 내부에 형성되며, 도전성 플러그 형상을 갖는 제 2 스트레스 스토핑 패턴과; 상기 결과물 상에 형성되며, 상기 제 2 스트레스 스토핑 패턴 표면이 소정 부분 노출되도록 복수의 제 3 관통 홀이 구비된 제 3 층간 절연막; 및 상기 제 3 관통 홀을 포함한 상기 제 3 층간 절연막 상의 소정 부분에 형성되며, "도전성 플러그/도전성막 패턴"의 적층막 구조를 갖는 제 3 스트레스 스토핑 패턴으로 이루어진 반도체 소자의 스크라이브 라인이 제공된다.
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公开(公告)号：KR100505669B1
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1020030007156
申请日：2003-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N7/015
CPC classification number: H04N5/455 , H04L25/061 , H04N5/4401
Abstract: 디지털 텔레비전 수신 시스템의 복조 회로 및 수신 신호의 복조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 디지털 텔레비전 수신 시스템의 복조 회로는 다위상 필터, 복소수 승산기, 반송파 복구 회로, 정합 필터부, 소트 회로, DC 제거 회로, 샘플링 율 제어 회로 및 심볼 타이밍 복원 회로를 구비한다. 다위상 필터는 어드레스 선택 신호에 응답하여 디지털화 된 중간 주파수 신호를 원하는 데이터 율을 가지도록 변환하고, 실수 성분의 제 1 신호와 허수 성분의 제 2 신호로 분할하여 출력한다. 복소수 승산기는 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호에 반송파가 복구된 복소 정현파를 곱하여 상기 제 1 신호 및 상기 제 2 신호에서 주파수 오프셋이 제거된 제 1 및 제 2 기저대역 신호를 발생한다. 반송파 복구 회로는 상기 제 1 및 제 2 기저대역 신호로부터 반송파의 주파수 오프셋을 검출하고 상기 주파수 오프셋에 비례하는 상기 복소 정현파를 발생한다. 심볼 타이밍 복원 회로는 상기 반송파 복구 회로에서 발생되며 반송파 복구가 이루어졌음을 나타내는 반송파 복구 신호에 응답하고, 상기 DC 제거 회로의 출력으로부터 현재 심볼들의 타이밍 에러를 구한 후, 상기 타이밍 에러에 비례하는 상기 어드레스 선택 신호를 발생한다. 본 발명에 따른 디지털 텔레비전 수신 시스템의 복조 회로에 의하여 큰 주파수 오차가 존재하더라도 주파수 동기를 빠르게 할 수 있고 잡음 저하도 가능한 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR101577959B1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020090093355
申请日：2009-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 인피니언 테크놀로지스 아게
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L21/76805 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76844 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 전기배선형성방법은반도체기판상에구리패턴을형성하고, 그후 전기적절연캡핑층을구리패턴상에형성하고, 전기적절연캡핑층사에층간절연층을형성한다. 그후, 콘택홀이형성되며, 이는층간절연층과전기적절연캡핑층을관통하여연장되어구리패턴의상부표면을노출시킨다. 이어서, 무전해도금공정을진행하여, 구리패턴확장부를구리패턴의노출된상부표면상에형성한다. 구리패턴확장부는전기적절연캡핑층의두께보다작은두께를가질수 있고, 이는 SiCN층으로형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130037550A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110102008
申请日：2011-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L23/585 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor chip and a manufacturing method thereof are provided to form different semiconductor chips in one semiconductor chip. CONSTITUTION: A silicon layer is formed(S110). A first layer including a first sealing and a second sealing is formed in the upper part of the silicon layer(S120). The first sealing covers a first chip region. The second sealing covers a second chip region. Whether a necessary semiconductor chip is formed or not is determined(S131). A second layer connecting the first chip region to an external terminal is formed(S132). A second layer connecting the first chip region or the second chip region to the external terminal is formed(S133). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Forming a silicon layer; (S120) Forming a first layer including a first sealing and a second sealing; (S131) Manufactured chip is a first chip?; (S132) Forming a second layer connecting the first chip region to an external terminal; (S133) Forming a second layer connecting the first chip region or the second chip region to the external terminal;
Abstract translation: 目的：提供半导体芯片及其制造方法，以在一个半导体芯片中形成不同的半导体芯片。 构成：形成硅层（S110）。 在硅层的上部形成包括第一密封和第二密封的第一层（S120）。 第一密封件覆盖第一芯片区域。 第二密封件覆盖第二芯片区域。 确定是否形成必要的半导体芯片（S131）。 形成将第一芯片区域与外部端子连接的第二层（S132）。 形成将第一芯片区域或第二芯片区域连接到外部端子的第二层（S133）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）形成硅层; （S120）形成包括第一密封和第二密封的第一层; （S131）制造芯片是第一芯片？ （S132）形成将第一芯片区域连接到外部端子的第二层; （S133）形成将第一芯片区域或第二芯片区域连接到外部端子的第二层;
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100886142B1
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020060087070
申请日：2006-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김형우
CPC classification number: H04W48/18 , Y02D70/122 , Y02D70/142 , Y02D70/146 , Y02D70/164
Abstract: 본 발명은 GPS 를 이용하여 서비스 영역의 확인이 가능한 무선 휴대 통신 시스템 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 다수의 단말에 대해 망 접속 서비스를 제공하는 적어도 하나의 접속노드를 포함하는 무선 통신 시스템의 단말은 상기 접속노드를 통해 동일한 통신 규격을 이용하는 타 단말과 통신을 수행하기 위한 통신 모듈과, 위치 파악 시스템을 통해 현재 단말의 위치 정보를 수신하기 위한 위치 파악 모듈과, 상기 접속 노드의 전파 도달 상태에 따라 결정된 통신 가/불가 지역이 명시되어 있는 서비스 맵을 포함하며 상기 단말의 위치 정보와 상기 서비스 맵을 이용하여 망 접속을 관리하는 망 접속 모듈을 포함한다.
본 발명의 무선 휴대 통신 시스템 및 방법에서는 GPS와 단말에 저장되어 있는 WiBro 서비스 맵 정보를 이용하여 현재 위치가 WiBro 서비스 가/불가 지역인지 판단 할 수 있기 때문에 서비스 불가 지역에서의 불필요한 연결 시도에 의한 전력 낭비를 방지할 수 있다.
와이브로(WiBro), 위치 확인 시스템 (GPS), 휴대 통신Abstract translation: 提供了可以使用GPS检查服务区域的无线移动通信终端和方法。 使用位置检测系统的无线通信终端和具有至少一个用于向多个无线通信终端提供网络连接服务的连接节点的无线通信系统包括通信模块，位置检测模块和网络连接模块，其包括 指定根据从连接节点到达的无线电波的状态确定的区域中的通信可用性的服务映射。 网络连接模块使用关于无线通信终端和服务地图的位置信息来管理网络连接。 因此，无线通信终端可以使用GPS和WiBro服务地图信息来确定其当前位置是否在可用的WiBro服务区域中，从而防止由于不可用服务区域中的不必要的连接尝试而导致的功耗。
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公开(公告)号：KR1020070079541A
公开(公告)日：2007-08-07
申请号：KR1020060010313
申请日：2006-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A method for performing a communication service using a SIM(Subscriber Identity Module), a communication terminal therefor, and a communication system are provided to allow a user to make a call by using a nearby general phone when he/she cannot use his/her mobile terminal, to thus conveniently receive his/her service continuously. A transmitting/receiving unit(130) is connected with a private switched telephone network or a PSTN(Public Switch Telephone Network). A memory unit(110) stores a set operation mode and a service performing procedure by the set operation mode. A SIM connection unit(190) mounts a SIM storing subscriber information of a mobile communication network. When a SIM is mounted at the SIM connection unit, a controller(120) sets an operation mode using the SIM and performs a communication service by the private switched telephone network and the PSTN through an authentication procedure with respect to the subscriber information read from the SIM.
Abstract translation: 提供一种使用SIM（用户识别模块），通信终端和通信系统进行通信服务的方法，以便用户在不能使用他/她时通过使用附近的通用电话进行呼叫 移动终端，从而方便地接收他/她的服务。 发送/接收单元（130）与专用交换电话网络或PSTN（公共交换电话网络）连接。 存储单元（110）通过设置操作模式存储设置操作模式和服务执行过程。 SIM连接单元（190）安装存储移动通信网络的用户信息的SIM卡。 当SIM安装在SIM连接单元上时，控制器（120）使用SIM设置操作模式，并且通过专用交换电话网络和PSTN通过相对于从该接口读取的用户信息的认证过程来执行通信服务 SIM卡。
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公开(公告)号：KR1020000067291A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990014979
申请日：1999-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/78
Abstract: PURPOSE: A scribe line is provided to prevent a mechanical stress generated by sawing from transmitting into a main chip to obtain a stable operative property of the main chip. CONSTITUTION: A scribe line comprises an insulating substrate(10), a first interlevel insulating film(12a) formed on the substrate(10) and having a plural of first through holes to allow the substrate to be exposed in part, a first stress stopping pattern(s1) formed the internal of the first through holes and taking a conductive plug shape, a second interlevel insulating film(12b) formed on the resulting product and having a plural of second through holes to allow the first stress stopping pattern to be exposed in part, a second stress stopping pattern(s2) formed the internal of the second through holes and taking a conductive plug shape, a third interlevel insulating film(12c) formed on the resulting product and having a plural of third through holes to allow the second stress stopping pattern(s2) to be exposed in part, a third stress stopping pattern(s3) formed on the third interlevel insulating film(12c) including the second through holes and having a laminated structure of conductive plug/conductive film pattern,
Abstract translation: 目的：提供划线，以防止锯切产生的机械应力传输到主芯片，以获得主芯片的稳定操作性能。 构成：划线包括绝缘基板（10），形成在基板（10）上的第一层间绝缘膜（12a），并且具有多个第一通孔以允许基板部分露出，第一应力停止 图案（s1）形成第一通孔的内部并且具有导电塞形状，形成在所得产品上的第二层间绝缘膜（12b），并具有多个第二通孔，以允许第一应力停止图案露出 部分地形成有形成在第二通孔的内部并且具有导电塞形状的第二应力停止图案（s2），形成在所得产品上的具有多个第三通孔的第三层间绝缘膜（12c），以允许 形成在包括第二通孔的第三层间绝缘膜（12c）上形成的具有导体层叠结构的第三应力停止图案（s3）的第二应力停止图案（s2） ve插头/导电膜图案，
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公开(公告)号：KR1020070053505A
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020050111359
申请日：2005-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 다수의 단말기 중 다채널 음원 데이터를 저장하고 있는 단말기를 서버 단말기로 설정함과 아울러 그 외의 단말기를 클라이언트 단말기로 설정하여 각각의 위치에 따라 클라이언트 아이디를 할당하고, 상기 서버 단말기와 클라이언트 단말기의 데이터 통신 인터페이스를 동기화한 뒤, 상기 서버 단말기에서 다채널 음원 데이터를 상기 다수의 클라이언트 단말기로 전송하면, 상기 다수의 클라이언트 단말기에서는 수신된 다채널 음원 데이터를 분석하여 자신의 클라이언트 아이디와 비교한 뒤 일치되는 음원 데이터를 추출하여 출력함으로써 다수의 단말기를 이용하여 다채널 음향을 출력 가능하도록 한다.
단말기, 다채널, 음원-
公开(公告)号：KR1020030025061A
公开(公告)日：2003-03-28
申请号：KR1020010057984
申请日：2001-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
Abstract: PURPOSE: A bonding pad of a semiconductor device and a method for forming the same are provided to prevent a dishing phenomenon in a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process by forming a dummy pattern formed with oxide on a pad pattern. CONSTITUTION: A pad pattern(100) is formed on a semiconductor substrate. A dummy pattern(102) is formed on the pad pattern(100). The pad pattern(100) is formed with Cu. The dummy pattern is formed with oxide. An interlayer dielectric(104) is formed on the resultant. A contact(106) is formed on the interlayer dielectric(104) in order to connect the pad pattern(100) with the pad pattern(100) of an upper portion. A dishing phenomenon is not generated on the pad pattern(100) since the dummy pattern(102) is formed with the oxide. A contact hole of a center portion of the pad pattern(100) is connected with the contact(106).
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的接合焊盘及其形成方法，以通过在焊盘图案上形成由氧化物形成的虚拟图案来防止CMP（化学机械抛光）工艺中的凹陷现象。 构成：在半导体衬底上形成衬垫图形（100）。 在焊盘图案（100）上形成虚设图案（102）。 焊盘图案（100）由Cu形成。 虚拟图案由氧化物形成。 在所得物上形成层间电介质（104）。 在层间电介质（104）上形成接触（106），以将焊盘图案（100）与上部的焊盘图案（100）连接起来。 由于虚拟图案（102）由氧化物形成，所以在焊盘图案（100）上不产生凹陷现象。 焊盘图案（100）的中心部分的接触孔与触头（106）连接。
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