公开(公告)号：KR1020170017366A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：KR1020150111177

申请日：2015-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재현 ,  전창기 ,  김민환 ,  이규옥 ,  김정경 ,  장재준 ,  조수연

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/94 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 반도체소자는기판, 기판의상부에형성된제1 도전형웰 및제2 도전형바디영역, 제1 도전형웰 상에배치되며반도체물질또는절연성질화물을포함하는필드플레이트, 및상기기판상에서횡방향을따라제2 도전형바디영역의일 측부로부터제1 도전형웰의일 측부로연장하고필드플레이트와중첩되는게이트전극을포함한다.

Abstract translation: 一种半导体器件，包括衬底; 在所述基板的上部的第一导电型阱和第二导电型体区; 在第一导电型阱上的场板，场板包括半导体材料或绝缘氮化物; 以及从所述第二导电型体区域的横向部分向所述第一导电型阱的侧面部分在所述基板上沿横向延伸的栅电极，所述栅电极与所述场板重叠。

公开(公告)号：KR1020160071856A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：KR1020140179564

申请日：2014-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민환 ,  정재현 ,  김정경 ,  이규옥 ,  장재준 ,  전창기 ,  조수연 ,  고성훈 ,  조규헌

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824

Abstract: 제1 도전형의반도체기판, 상기반도체기판상에형성된제2 도전형의에피택셜층, 상기에피택셜층에형성되며, 상기반도체기판의활성영역을한정하는소자분리영역, 상기에피택셜층에서로인접형성되어있는제1 도전형의바디영역및 제2 도전형의드리프트영역, 상기드리프트영역상에형성되며, 측면및 하면이상기드리프트영역에둘러싸여있는로코스(LOCOS) 절연막, 상기로코스절연막의일측부에인접형성되며, 측면및 하면이상기드리프트영역에둘러싸여있는드레인영역, 상기바디영역내에형성되며, 측면및 하면이상기바디영역에둘러싸여있는바디콘택영역및 소오스영역, 그리고상기바디영역으로부터상기드리프트영역을거쳐상기로코스절연막상에일부영역이중첩되어있는게이트영역을포함하는반도체소자가제공된다.

Abstract translation: 提供具有低导通电阻特性的半导体器件。 半导体器件包括：第一导电型半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的第二导电型外延层; 元件隔离区，其形成在所述外延层上并限制所述半导体衬底的有源区; 在外延层上彼此相邻形成的第一导电型体区域和第二导电型漂移区域; 形成在漂移区上的LOCOS绝缘膜，其中LOCOS绝缘膜的侧表面和底表面被漂移区包围; 与LOCOS绝缘膜的一个侧面相邻形成的漏极区域，其中漏极区域的侧表面和底表面被漂移区域包围; 身体接触区域和源区域，其形成在身体区域中，其中身体接触区域和源区域的侧表面和底表面被身体区域包围; 以及部分地叠加在体区域，漂移区域和LOCOS绝缘膜上的栅极区域。

公开(公告)号：KR102122365B1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：KR1020140179564

申请日：2014-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민환 ,  정재현 ,  김정경 ,  이규옥 ,  장재준 ,  전창기 ,  조수연 ,  고성훈 ,  조규헌

IPC: H01L29/78