公开(公告)号：KR102122365B1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：KR1020140179564

申请日：2014-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김민환 ,  정재현 ,  김정경 ,  이규옥 ,  장재준 ,  전창기 ,  조수연 ,  고성훈 ,  조규헌

IPC: H01L29/78

公开(公告)号：KR101988425B1

公开(公告)日：2019-06-12

申请号：KR1020120124424

申请日：2012-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장재준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020170071268A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：KR1020150179416

申请日：2015-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장재준

IPC: G06F3/044 ,  G06K9/00

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F2203/04103

Abstract: 본발명은정전식센서에관한것으로, 반도체칩의상면에제공된적어도하나의센서전극, 그리고상기반도체칩의상면에전기적으로연결되고상기반도체칩의상면위에서아치를이루는적어도하나의본딩와이어를포함한다. 상기센서전극은상기반도체칩의상면으로부터상기본딩와이어의아치의상단까지의거리보다큰 높이를가진다.

Abstract translation: 本发明涉及一种电容传感器，包括：键合线中的至少一个，所述至少一个传感器电极被设置在半导体芯片的上表面上，并且电连接到半导体芯片上形成该半导体芯片的上表面上的拱形的上表面 。 传感器电极的高度大于从半导体芯片的上表面到键合线的弓形的上端的距离。

公开(公告)号：KR1020150137888A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：KR1020140066522

申请日：2014-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준호 ,  최원성 ,  윤재구 ,  강윤석 ,  박진환 ,  안성진 ,  장재준 ,  최병진

IPC: H01M4/62 ,  H01M4/48 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M4/13 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/623 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/028

Abstract: 코어활물질; 상기코어활물질상의적어도일부에형성된완전불소화된고분자(fully fluorinated polymer) 및불소함량이 60 내지 90 원자%인고분자중에서선택된하나이상의제1고분자; 및카본나노구조체를포함하는코팅막을함유하는복합양극활물질, 그제조방법, 상기복합양극활물질을포함하는양극및 이를포함하는리튬전지가개시된다.

Abstract translation: 公开了一种复合正极活性物质，其包含：芯活性物质; 一种或多种选自在核活性材料的至少一部分上形成的完全氟化聚合物的聚合物的聚合物和含有60-90％原子百分比的氟含量的聚合物; 以及包含碳纳米结构的涂膜，其制造方法，包含复合正极活性物质的正极和包含正极的锂电池。

公开(公告)号：KR101976481B1

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：KR1020120149897

申请日：2012-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장재준 ,  김현주 ,  박서인

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020180118085A

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：KR1020180124480

申请日：2018-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장재준 ,  김민환 ,  장동은 ,  장훈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66681

Abstract: 발열량을최소화하고, 신뢰성을향상시킬수 있는전력 MOS 트랜지스터를포함하는반도체소자를제공한다. 본발명에따른전력 MOS 트랜지스터를포함하는반도체소자는제1 전도성을가지는불순물영역이형성된반도체기판, 불순물영역내에형성되며제1 전도성을가지는드리프트영역, 드리프트영역에인접하도록불순물영역내에형성되며, 제1 전도성과다른제2 전도성을가지는바디영역, 드리프트영역상에형성되는드레인확장절연막, 바디영역의일부및 드리프트영역의일부상에걸치도록, 반도체기판상에순차적으로적층되는게이트절연막및 게이트전극, 드레인확장절연막상에형성되는드레인확장전극, 드리프트영역내의바디영역에대한반대일측과접하며, 제1 전도성을가지는드레인영역및 바디영역내에형성되며, 제2 전도성을가지는소스영역을포함한다.

公开(公告)号：KR101872942B1

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：KR1020120032504

申请日：2012-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이응규 ,  장재준 ,  장훈 ,  김민환 ,  배성렬 ,  장동은

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66681

Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는, 제1 도전형의기판상에형성되고제1 도전형과다른제2 도전형의매몰층, 매몰층상에형성된제2 도전형의에피층, 에피층내에서로중첩되어형성된제1 도전형의포켓웰및 제1 드리프트영역, 에피층내에형성되고, 제1 드리프트영역과분리되어형성된제2 드리프트영역, 포켓웰내에형성된제1 도전형의바디영역, 및기판상에형성되고, 일단이제1 및제2 드리프트영역사이의에피층상에배치된게이트전극을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170017366A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：KR1020150111177

申请日：2015-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재현 ,  전창기 ,  김민환 ,  이규옥 ,  김정경 ,  장재준 ,  조수연

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/94 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 반도체소자는기판, 기판의상부에형성된제1 도전형웰 및제2 도전형바디영역, 제1 도전형웰 상에배치되며반도체물질또는절연성질화물을포함하는필드플레이트, 및상기기판상에서횡방향을따라제2 도전형바디영역의일 측부로부터제1 도전형웰의일 측부로연장하고필드플레이트와중첩되는게이트전극을포함한다.

Abstract translation: 一种半导体器件，包括衬底; 在所述基板的上部的第一导电型阱和第二导电型体区; 在第一导电型阱上的场板，场板包括半导体材料或绝缘氮化物; 以及从所述第二导电型体区域的横向部分向所述第一导电型阱的侧面部分在所述基板上沿横向延伸的栅电极，所述栅电极与所述场板重叠。

公开(公告)号：KR1020170010587A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：KR1020150102407

申请日：2015-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지상민 ,  구준환 ,  손정국 ,  송민상 ,  장재준 ,  황승식 ,  권문석 ,  최재만

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/64 ,  H01M10/04 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/70 ,  H01M4/04

Abstract: 집전체; 및상기집전체상의적어도일부에배치된전극활물질층;을포함하는전극구조체; 및상기전극구조체의일 측면에서전극구조체의상면상의일 지점까지상기집전체와전극활물질층을관통하며배치되는적어도하나의슬릿을포함하는전극판, 이를포함하는전극구조체및 이차전지가제시된다.

Abstract translation: 电极板包括电极结构，所述电极结构包括：集电器; 设置在所述集电体的至少一部分上的电极活性物质层; 以及从电极结构的第一侧表面延伸到电极结构的顶表面上的点的至少一个狭缝，其中至少一个狭缝延伸穿过电极活性材料层。 电极组件和二次电池也包括电极板。

公开(公告)号：KR1020160040047A

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：KR1020140133556

申请日：2014-10-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권문석 ,  최재만 ,  도은철 ,  장재준 ,  정연지

IPC: H01M2/02 ,  H01M2/20 ,  H01M2/26 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M2/204 ,  H01M2/021 ,  H01M2/0212 ,  H01M2/0267 ,  H01M2/0275 ,  H01M2/24 ,  H01M2/263 ,  H01M6/46 ,  H01M10/0431 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0587 ,  H01M2002/0205 ,  H01M2220/30

Abstract: 다수의전극조립체들을전기적으로연결하여반복적인굽힘이가능한플렉서블전기화학소자가개시된다. 개시된전기화학소자는이격되어배열된적어도 2개의전극조립체및 상기적어도 2개의전극조립체들을포장하는외장재를포함한다. 외장재는각각의전극조립체를개별적으로수용하는적어도 2개의수용부및 인접한두 수용부사이를연결하는연결부를가질수 있다. 여기서, 연결부의내부에는적어도 2개의전극조립체를전기적으로연결하는도선및 전해질을위한통로가형성되어있다.

Abstract translation: 多个电极组件彼此电连接，使得柔性电化学装置可以重复弯曲。 柔性电化学装置包括：至少两个彼此分离的电极组件; 以及封装所述至少两个电极组件的外壳构件。 壳体构件包括：至少两个容纳部分，电极组件单独地容纳在其中; 以及连接部，其连接所述至少两个相邻的容纳部分，在所述连接部分中形成有用于将至少两个电极组件彼此电连接的导电线路径。