公开(公告)号：KR1020170120443A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：KR1020160048953

申请日：2016-04-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안준구 ,  김지훈 ,  박성훈 ,  조윤재 ,  박희숙 ,  손웅희

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10891

Abstract: 본발명의기술적사상에의한텅스텐박막의형성방법은, 공정챔버내에기판을배치하는단계, 기판상에텅스텐핵생성층을형성하는핵생성층형성단계, 공정챔버내에텅스텐함유가스및 환원가스를교번적으로공급하여, 텅스텐핵생성층상에텅스텐벌크층을일부형성하는제1 공정단계, 및텅스텐함유가스및 환원가스의공급을중단하고, 공정챔버내에존재하는잔존가스를제거하는제2 공정단계를포함하고, 원하는두께로텅스텐벌크층이형성될때까지, 제1 공정단계및 제2 공정단계를적어도 2회반복하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 根据本发明的技术构思的形成钨薄膜的方法包括以下步骤：将衬底布置在处理室中;形成成核层以在衬底上形成钨成核层;将钨 - 在钨成核层上形成钨本体层的第一工艺步骤和停止供应含钨气体和还原气体并除去存在于处理室中的残留气体的第二工艺步骤 并且重复第一处理步骤和第二处理步骤至少两次，直到形成具有期望厚度的钨本体层。