公开(公告)号：KR1020160115019A

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：KR1020150041645

申请日：2015-03-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정재엽 ,  유제민 ,  윤종식 ,  이화성 ,  정희돈 ,  차규만 ,  김현조 ,  윤종밀

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/7846

Abstract: 집적회로장치는기판으로부터돌출되고, 상기기판의주면과평행한제1 방향으로연장하고, 제1 도전형을갖는채널영역을가지며, 적어도일 측벽상에스텝부(stepped portion)를구비하는핀형활성영역, 상기핀형활성영역의상기적어도일 측벽상에배치되며, 상기스텝부에접하는스텝절연층, 및상기스텝절연층을사이에두고상기핀형활성영역의상기적어도일 측벽상에배치되며, 상기제1 방향과는다른제2 방향으로연장하는제1 고레벨소자분리막을포함한다

Abstract translation: 集成电路（IC）装置包括形成在衬底中的翅片型有源区，翅片型有源区的至少一个侧壁上的阶梯绝缘层，以及至少一个侧壁上的第一高电平隔​​离层 的鳍式活性区域。 翅片型有源区域从基板突出并且在平行于基板的主表面的第一方向上延伸，包括具有第一导电类型的沟道区域，并且包括台阶部分。 台阶绝缘层接触翅片型有源区的台阶部分。 台阶绝缘层在第一高电平隔​​离层和鳍式有源区的至少一个侧壁之间。 第一高级隔离层在与第一方向不同的第二方向上延伸。