公开(公告)号：KR1020160133751A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：KR1020150066684

申请日：2015-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전환철 ,  김문자 ,  권성원 ,  김병국 ,  찰릭로만 ,  정용석 ,  최재혁

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/027 ,  G03F1/62

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62

Abstract: 펠리클및 이를포함하는극자외선(Extremely Ultra-Violet light; EUV) 리소그래피장치가제공된다. 상기펠리클은멤브레인; 및상기멤브레인의제 1 표면상에위치하는제 1 열완화층을포함한다. 상기제 1 열완화층의방사율은상기멤브레인의방사율보다높다.

Abstract translation: 用于光刻工艺的防护薄膜，包括极紫外（EUV）光刻术可以减轻防护薄膜中的热积聚。 防护薄膜组件包括膜和膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。 热缓冲层的发射率可以大于膜的发射率。 热缓冲层的碳含量可以大于膜的碳含量。 多个热缓冲层可以在膜的分开的表面上，并且热缓冲层可以具有不同的性质。 封盖层可以在至少一个热缓冲层上，并且封盖层可以包括耐氢材料。 热缓冲层可以在膜的一些或全部表面上延伸。 热缓冲层可以在至少两个膜之间。

公开(公告)号：KR102101837B1

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：KR1020130066795

申请日：2013-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상현 ,  김문자 ,  김성수 ,  찰릭로만 ,  이동근

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/72

公开(公告)号：KR1020140144610A

公开(公告)日：2014-12-19

申请号：KR1020130066795

申请日：2013-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상현 ,  김문자 ,  김성수 ,  찰릭로만 ,  이동근

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/72

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/38 ,  G03F1/42 ,  G03F1/74 ,  Y10T428/24802 ,  H01L21/0274

Abstract: 포토마스크의 레지스트레이션 에러 보정 방법을 개시한다. 포토마스크에서, 메인 패턴 영역에 있는 패턴 요소에 대하여 레지스트레이션 에러를 측정한다. 레지스트레이션 에러의 측정 결과로부터 패턴 요소가 그 공칭 위치(nominal position)로부터 시프트되는 제1 방향을 확인한다. 패턴 요소의 위치로부터 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 이격되어 있고 보조 패턴 영역 및 블랙 보더 영역 중 적어도 하나의 영역 내에 위치되는 선택 지점을 물리적으로 변형시켜 패턴 요소의 위치에서 포토마스크의 스트레인(strain)을 변화시킨다.

Abstract translation: 提供了一种校正光掩模的配准误差的方法。 测量相对于光掩模中的主图案区域中的图案元素的配准误差。 通过使用测量注册误差的结果来识别图案元素从标称位置偏移的第一方向。 在图案元件的位置处的光掩模的应变通过在与第一方向不同的第二方向上和在辅助图案区域和第二方向中的至少一个中物理地使从图案元件的位置间隔开的选择点变形 黑色边界地区。