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公开(公告)号：KR102227770B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140114199A
申请日：2014-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/0075 , H01L33/38
Abstract: 본 발명은 제1 영역과 제2 영역을 가지며 제1 도전형 반도체층으로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층의 상면에 배치되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어, 상기 복수의 나노 코어 상에 순차적으로 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되도록 상기 복수의 나노 발광구조물의 표면에 배치된 콘택전극; 상기 베이스층과 전기적으로 접속된 제1 전극; 및 상기 제2 영역에 배치된 복수의 나노 발광구조물 중 적어도 일부의 나노 발광구조물의 표면에 배치된 상기 콘택전극을 덮도록 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 복수의 나노 발광구조물 중 상기 제2 영역에 배치된 나노 발광구조물은 상기 제1 영역에 배치된 나노 발광구조물과 상이한 형상을 가진 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR102227770B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140114199
申请日：2014-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체층으로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 상기제2 도전형반도체층에전기적으로접속되도록상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극; 상기베이스층과전기적으로접속된제1 전극; 및상기제2 영역에배치된복수의나노발광구조물중 적어도일부의나노발광구조물의표면에배치된상기콘택전극을덮도록배치되는제2 전극을포함하며, 상기복수의나노발광구조물중 상기제2 영역에배치된나노발광구조물은상기제1 영역에배치된나노발광구조물과상이한형상을가진나노구조반도체발광소자를제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160027431A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140114199
申请日：2014-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체층으로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 상기제2 도전형반도체층에전기적으로접속되도록상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극; 상기베이스층과전기적으로접속된제1 전극; 및상기제2 영역에배치된복수의나노발광구조물중 적어도일부의나노발광구조물의표면에배치된상기콘택전극을덮도록배치되는제2 전극을포함하며, 상기복수의나노발광구조물중 상기제2 영역에배치된나노발광구조물은상기제1 영역에배치된나노발광구조물과상이한형상을가진나노구조반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：具有第一区域和第二区域并由第一导电型半导体层形成的基极层; 多个纳米发光结构，其设置在基底层的上表面上，并且具有由第一导电型半导体形成的多个纳米芯，依次设置在纳米芯上的有源层，以及第二导电型半导体层 ; 接触电极，其设置在与第二导电型半导体层电连接的纳米发光结构的表面上; 电连接到所述基底层的第一电极; 以及第二电极，其设置成覆盖设置在设置在第二区域中的纳米发光结构的至少一部分的表面上的接触电极，其中设置在纳米发光结构中的第二区域中的纳米发光结构具有 形状与设置在第一区域中的纳米发光结构的形状不同。
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公开(公告)号：KR1020150054383A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136763
申请日：2013-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체베이스층, 제1 도전형반도체베이스층상에서로이격되어형성되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들, 및복수의나노발광구조물들의사이에위치하는굴절부및 복수의나노발광구조물들사이에충진되며굴절부를둘러싸는커버부를포함하는충진층을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括第一导电半导体基底层，多个纳米发光结构，其分开形成在第一导电半导体基底层上并且包括第一导电半导体芯，有源层和第二导电半导体基底层 导电半导体层，以及填充层，其包括位于纳米发光结构之间的折射部分和填充在纳米发光结构之间并且包围折射部分的覆盖部分。
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公开(公告)号：KR102203460B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020140087228
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명의일 실시예는,제1 도전형반도체로이루어진베이스층상에제1 절연층및 제2 절연층을순차적으로형성하여마스크층을마련하는단계, 마스크층을두께방향으로관통하는복수의개구들을형성하는단계, 복수의개구들에제1 도전형반도체로이루어진복수의나노로드들을성장시키는단계, 복수의나노로드들이노출되도록제2 절연층을제거하는단계, 복수의나노로드들을재성장시켜복수의나노코어들을마련하는단계, 및복수의나노코어들의표면에활성층및 제2 도전형반도체층을순차적으로성장시켜나노발광구조물을형성하는단계를포함하며, 복수의개구들은각각제2 절연층내에위치하며나노로드의측면의형상을정의하는몰드영역을가지고, 몰드영역은제1 절연층에근접함에따라측면의경사가변하는적어도하나의굴곡부를포함하는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170031289A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020150128351
申请日：2015-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체발광소자는, 서로대향하는제1 및제2 면을가지고, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을구비하며, 상기제1 및제2 면을연결하는적어도하나의관통홀을갖는반도체적층체와, 상기적어도하나의관통홀내에배치되며, 상기제1 도전형반도체층에접속되어상기반도체적층체의제2 면까지연장되는콘택층과, 상기반도체적층체의제2 면상에배치되며, 상기콘택층을통해상기제1 도전형반도체층에접속되는제1 전극층과, 상기제1 전극층으로부터전기적으로분리되도록상기반도체적층체의제2 면상에배치되며상기제2 도전형반도체층과접속되는제2 전극층을포함함으로써, 전류가활성층에대해수직방향으로흐르게하여발광효율을개선시킬수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施方案的半导体发光器件，具有第一mitje第二表面彼此相对，设置有各第一mitje的设置在所述第一mitje第二导电型半导体层上并在有源层之间提供第二表面 以及至少一个连接所述第一和第二表面的通孔;以及设置在所述至少一个通孔中的第二半导体层，所述第二半导体层连接到所述第一导电类型半导体层， 第一电极层，设置在半导体层压体的第二表面上并且通过接触层连接到第一导电类型半导体层;以及第二电极层，电连接到第一电极层， 并且，第二电极层设置在半导体层叠体的第二表面上并且连接到第二导电类型半导体层，电流可以在垂直于有源层的方向上流动，由此提高发光效率。
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公开(公告)号：KR1020160007997A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087228
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/24 , F21K9/232 , F21S41/147 , F21S41/192 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/22 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의일 실시예는,제1 도전형반도체로이루어진베이스층상에제1 절연층및 제2 절연층을순차적으로형성하여마스크층을마련하는단계, 마스크층을두께방향으로관통하는복수의개구들을형성하는단계, 복수의개구들에제1 도전형반도체로이루어진복수의나노로드들을성장시키는단계, 복수의나노로드들이노출되도록제2 절연층을제거하는단계, 복수의나노로드들을재성장시켜복수의나노코어들을마련하는단계, 및복수의나노코어들의표면에활성층및 제2 도전형반도체층을순차적으로성장시켜나노발광구조물을형성하는단계를포함하며, 복수의개구들은각각제2 절연층내에위치하며나노로드의측면의형상을정의하는몰드영역을가지고, 몰드영역은제1 절연층에근접함에따라측면의경사가변하는적어도하나의굴곡부를포함하는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了能够有效且稳定地形成纳米结构发光结构的纳米结构半导体发光元件的制造方法。 根据本发明的实施例，纳米结构半导体发光器件的制造方法包括：通过在包括第一导电半导体的基底层上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层来制备掩模层的步骤 ; 在厚度方向形成通过掩模层的多个开口的步骤; 在开口中生长包括第一导电半导体的多个纳米棒的步骤; 去除第二绝缘层以暴露所述纳米棒的步骤; 通过重新生长纳米棒制备纳米孔的步骤; 通过在纳米孔的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成纳米发光结构的步骤。 开口各自位于第二绝缘层中，并且分别具有限定纳米棒侧面形状的模具区域。 模具区域包括至少一个弯曲单元，其中侧面的倾斜朝着第一绝缘层改变。
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