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公开(公告)号：KR102227770B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140114199A
申请日：2014-08-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/0075 , H01L33/38
Abstract: 본 발명은 제1 영역과 제2 영역을 가지며 제1 도전형 반도체층으로 이루어진 베이스층; 상기 베이스층의 상면에 배치되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어, 상기 복수의 나노 코어 상에 순차적으로 배치된 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 복수의 나노 발광구조물; 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속되도록 상기 복수의 나노 발광구조물의 표면에 배치된 콘택전극; 상기 베이스층과 전기적으로 접속된 제1 전극; 및 상기 제2 영역에 배치된 복수의 나노 발광구조물 중 적어도 일부의 나노 발광구조물의 표면에 배치된 상기 콘택전극을 덮도록 배치되는 제2 전극을 포함하며, 상기 복수의 나노 발광구조물 중 상기 제2 영역에 배치된 나노 발광구조물은 상기 제1 영역에 배치된 나노 발광구조물과 상이한 형상을 가진 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
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公开(公告)号：WO2014119911A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/KR2014/000813
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 제1 개구를 갖는 제1 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어와, 상기 제1 절연막보다 높게 위치한 상기 복수의 나노 코어의 표면에 형성된 활성층과, 상기 제1 절연막 상에 형성되며, 상기 복수의 나노 코어와 그 표면에 형성된 활성층을 둘러싸는 복수의 제2 개구를 갖는 제2 절연막과, 상기 제2 절연막보다 높게 위치한 상기 활성층의 표면에 형성된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 提供了根据本发明的一个方面的纳米结构的半导体发光元件，包括：包括第一导电半导体的基极层; 第一绝缘膜，在所述基底层上，具有暴露所述基底层的部分区域的多个第一开口; 形成在所述基底层的每个所述暴露区域上并且包括所述第一导电半导体的多个纳米芯; 所述多个纳米芯的表面上的活化层位于比所述第一绝缘膜高的位置; 第二绝缘膜，在第一绝缘膜上，具有多个第二开口并且在其表面上包围多个纳米芯和活化层; 以及位于所述活化层的表面上的第二导电半导体层，其位于比所述第二绝缘膜高的位置。
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公开(公告)号：WO2014119910A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/KR2014/000811
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층을 제공하는 단계와, 상기 베이스층 상에 식각정지층이 포함된 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크에 상기 베이스층 영역이 노출된 복수의 개구를 형성하는 단계와, 상기 복수의 개구가 충진되도록 상기 베이스층의 노출된 영역에 제1 도전형 반도체를 성장시킴으로써 복수의 나노 코어를 형성하는 단계와, 상기 복수의 나노 코어의 측면이 노출되도록 상기 식각정지층을 이용하여 상기 마스크를 부분적으로 제거하는 단계와, 상기 복수의 나노 코어의 표면에 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계;를 포함하는 나노구조 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个方面提供了一种制造纳米结构半导体发光器件的方法，包括以下步骤：提供由第一导电半导体形成的基极层; 在所述基底层上形成包括蚀刻停止层的掩模; 形成暴露在所述掩模上的所述基底层的区域的多个开口; 通过在基底层的暴露区域上生长第一导电半导体以填充多个开口来形成多个纳米芯; 通过使用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露多个纳米芯的侧面; 以及在所述多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体。
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公开(公告)号：WO2014119909A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/KR2014/000810
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 본 발명의 일 측면은, 베이스층 상에 복수의 개구를 가지는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 복수의 개구가 충진되도록 상기 베이스층의 노출된 영역에 제1 도전형 반도체를 성장시킴으로써 복수의 나노 코어를 형성하는 단계와, 상기 복수의 나노 코어의 측면이 노출되도록 상기 마스크를 부분적으로 제거하는 단계와, 상기 마스크를 부분적으로 제거한 후에, 상기 복수의 나노 코어를 열처리하는 단계와, 상기 열처리한 후에, 상기 복수의 나노 코어의 표면에 활성층과 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 성장시킴으로써 복수의 나노 발광구조물을 형성하는 단계와, 상기 나노 코어의 상면이 노출되도록 상기 복수의 나노 발광구조물의 상단을 평탄화하는 단계를 포함하는 나노구조 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种纳米结构半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底层上形成具有多个开口的掩模; 通过在基底层的暴露区域中生长第一导电半导体以便在其上填充多个开口来形成多个纳米芯; 部分地去除掩模，使得多个纳米芯的侧面被暴露; 在掩模被部分去除之后对多个纳米芯进行热处理; 在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面依次生长活化层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构; 并且使多个纳米发光结构的上端平整，使得纳米芯的上表面露出。
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公开(公告)号：KR102203460B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020140087228
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본발명의일 실시예는,제1 도전형반도체로이루어진베이스층상에제1 절연층및 제2 절연층을순차적으로형성하여마스크층을마련하는단계, 마스크층을두께방향으로관통하는복수의개구들을형성하는단계, 복수의개구들에제1 도전형반도체로이루어진복수의나노로드들을성장시키는단계, 복수의나노로드들이노출되도록제2 절연층을제거하는단계, 복수의나노로드들을재성장시켜복수의나노코어들을마련하는단계, 및복수의나노코어들의표면에활성층및 제2 도전형반도체층을순차적으로성장시켜나노발광구조물을형성하는단계를포함하며, 복수의개구들은각각제2 절연층내에위치하며나노로드의측면의형상을정의하는몰드영역을가지고, 몰드영역은제1 절연층에근접함에따라측면의경사가변하는적어도하나의굴곡부를포함하는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101898680B1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：KR1020120124462
申请日：2012-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/002 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 나노구조발광소자가개시된다. 개시된나노구조발광소자는제1반도체층과, 상기제1반도체층상에구비된것으로, 나노코어, 상기나노코어의표면에구비되는활성층및 제2반도체층을포함하며상부가평탄화된나노구조체와, 상기나노구조체의측면을둘러싸는도전층과, 상기제1반도체층에전기적으로연결되는제1전극; 및상기도전층에전기적으로연결되는제2전극;을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170059068A
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150162778
申请日：2015-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/14 , F21V19/00 , H05B37/00 , F21S2/00 , F21V23/00 , F21V17/10 , H01L33/48 , H05B37/02 , H01L33/40
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/505 , H01L33/62 , H05K1/00 , H05K1/181 , H05K1/183 , H05K3/301 , H05K3/325 , H05K2201/083 , H05K2201/0939 , H05K2201/09472 , H05K2201/10106 , H05K2201/10674 , H05K2201/209 , H05K2203/104 , H05K2203/168 , Y02P70/611
Abstract: 본발명의일 실시예는, 복수의칩 탑재영역을가지며상기각 칩탑재영역에적어도하나의접속패드가배치된회로기판과, 상기복수의칩 탑재영역에각각배치되며볼록하거나오목한형상을갖는적어도하나의정렬용컴포넌트와, 상기복수의칩 탑재영역에각각탑재되어상기접속패드에전기적으로연결된전극을가지며상기정렬용컴포넌트와결합된구조를갖는복수의 LED 칩을포함하는광원모듈을제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例中，至少一个具有多个芯片安装区域与至少一个连接焊盘的布置的电路板，设置为凸的或凹的形状，以所述多个芯片上的每个芯片安装区域的安装区域 据分别安装在用于该组件的一个对准，并且所述多个所述芯片安装区域的所述提供一种光源模块，包括多个具有电连接到具有与该组件的对准相关联的结构的连接焊盘上的电极的LED芯片。
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公开(公告)号：KR1020160141362A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는발광구조물과, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기발광구조물의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기발광구조물의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的技术构思的一个实施例包括第一和第二导电类型半导体层，其具有彼此相对的第一和第二表面并分别提供第一和第二表面以及设置在它们之间的活性层 一种发光结构，具有朝向第二侧开口的第一导电类型半导体层的一侧，并且具有形成在第一侧上的凹陷和突起，第一导电类型半导体层的第一区域， 型半导体层以及设置在所述发光结构的第一表面上的透光支撑基板，其中所述第一电极和所述第二电极设置在所述发光结构的第一表面与所述发光结构之间， 以及半透明粘合层，其折射率在第一导电类型半导体层的折射率与半透明支撑衬底的折射率之间。
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公开(公告)号：KR1020160054073A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140152522
申请日：2014-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0452 , G09G2300/0852 , G09G2310/0297 , H01L27/156
Abstract: 본발명의실시형태에따른디스플레이장치는, 복수의스위치소자, 적어도하나의커패시터, 및반도체발광소자를포함하는복수의화소, 및상기복수의스위치소자및 상기적어도하나의커패시터를통해상기반도체발광소자에전류를인가하는구동회로부를포함하고, 상기복수의화소각각은상기반도체발광소자를하나씩포함하며, 상기반도체발광소자는, 상기구동회로부가인가하는전류에의해적색, 녹색, 및청색빛을발광한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的显示装置包括多个像素，包括多个开关器件，至少一个电容器和半导体发光器件; 以及通过所述多个开关器件和所述至少一个电容器向所述半导体发光器件施加电流的驱动电路部分。 多个像素分别包括一个半导体发光器件。 半导体发光器件通过由驱动电路部分施加的电流发出读取，绿色和蓝色光。 自然色可以通过低功率驱动实现。
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公开(公告)号：KR1020160007997A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087228
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/24 , F21K9/232 , F21S41/147 , F21S41/192 , F21Y2101/00 , F21Y2115/10 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/22 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의일 실시예는,제1 도전형반도체로이루어진베이스층상에제1 절연층및 제2 절연층을순차적으로형성하여마스크층을마련하는단계, 마스크층을두께방향으로관통하는복수의개구들을형성하는단계, 복수의개구들에제1 도전형반도체로이루어진복수의나노로드들을성장시키는단계, 복수의나노로드들이노출되도록제2 절연층을제거하는단계, 복수의나노로드들을재성장시켜복수의나노코어들을마련하는단계, 및복수의나노코어들의표면에활성층및 제2 도전형반도체층을순차적으로성장시켜나노발광구조물을형성하는단계를포함하며, 복수의개구들은각각제2 절연층내에위치하며나노로드의측면의형상을정의하는몰드영역을가지고, 몰드영역은제1 절연층에근접함에따라측면의경사가변하는적어도하나의굴곡부를포함하는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了能够有效且稳定地形成纳米结构发光结构的纳米结构半导体发光元件的制造方法。 根据本发明的实施例，纳米结构半导体发光器件的制造方法包括：通过在包括第一导电半导体的基底层上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层来制备掩模层的步骤 ; 在厚度方向形成通过掩模层的多个开口的步骤; 在开口中生长包括第一导电半导体的多个纳米棒的步骤; 去除第二绝缘层以暴露所述纳米棒的步骤; 通过重新生长纳米棒制备纳米孔的步骤; 通过在纳米孔的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成纳米发光结构的步骤。 开口各自位于第二绝缘层中，并且分别具有限定纳米棒侧面形状的模具区域。 模具区域包括至少一个弯曲单元，其中侧面的倾斜朝着第一绝缘层改变。
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