公开(公告)号：KR1020160061615A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：KR1020140164129

申请日：2014-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최경인 ,  김욱제 ,  최백합 ,  한진희 ,  홍현기

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7842

Abstract: 반도체장치의제조방법에있어서, 반도체기판상에스트레스채널막을형성한다. 스트레스채널막상에 100 oC 내지 600 oC의온도범위에서제1 이온주입공정을수행한다. 스트레스채널막상에게이트구조물을형성한다. 게이트구조물과인접한스트레스채널막의상부에제1 소스-드레인영역을형성한다. 고온이온주입공정에의해스트레스이완현상을방지할수 있다.

Abstract translation: 公开了制造半导体器件的方法。 公开的实施例包括：在半导体衬底上形成应力通道膜; 在100-600℃的温度范围内在应力通道膜上进行第一离子注入工艺，在应力通道膜上形成栅极结构; 以及在与栅极结构相邻的应力通道膜的上部上形成第一源极 - 漏极区域。 该实施例可以通过高温离子注入工艺来防止应力松弛。