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公开(公告)号：KR1020160027776A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140116325
申请日：2014-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G09F9/00
CPC classification number: G06F1/1626 , G06F1/1601 , G06F1/1652 , G06F1/1656 , G06F3/04886 , G06F2200/1612 , G06F2203/04102 , H04M1/0268
Abstract: 본발명의다양한실시예에따른디스플레이는, 평면영역및 곡면영역을포함하며, 이미지를표시하는디스플레이영역및 상기디스플레이영역의적어도일 측면으로부터연장되는더미영역을포함하는디스플레이패널, 상기디스플레이패널중 상기디스플레이영역을포함하는일부영역의위에배치된(disposed over) 편광판, 상기편광판의위에배치된윈도우및 상기편광판의부재에의해발생하는단차를감소시키기위해상기더미영역의적어도일부의위에배치된단차보상기재를포함할수 있으며, 단차보상기재의적어도일부는곡면영역에배치될수 있다. 또한, 다른실시예도가능하다.
Abstract translation: 根据本发明的各种实施例的包括平坦区域和弯曲区域的显示器可以包括显示面板，其包括显示图像的显示区域和从显示区域的至少一侧延伸的虚拟区域; 设置在包括所述显示面板的显示区域的部分上的偏振片; 以及台阶补偿基板，其设置在所述虚拟区域的至少一部分上，以减少由所述偏振板的构件产生的台阶和设置在所述偏振板上的窗口。 台阶补偿基板的至少一部分可以设置在弯曲区域中。 此外，可以实现另一个实施例。
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公开(公告)号：KR1020120093531A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：KR1020110013155
申请日：2011-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14 , G11C7/12 , G11C11/419 , G11C8/12
CPC classification number: G11C11/419 , G11C5/145 , G11C7/12 , G11C8/12
Abstract: PURPOSE: A negative voltage capacitor and a semiconductor memory device are provided to accurately perform a writing operation by providing the same negative voltages to memory banks with different low sizes. CONSTITUTION: A negative voltage generator(110) includes a plurality of coupling capacitors, selects one among a plurality of the coupling capacitors according to a low size of a memory bank in which data is written, and charges the selected coupling capacitor with the negative voltage. A switching unit(130) selects one bit line among a bit line pair in response to data and connects the selected coupling capacitor to the selected bit line. A high voltage applying unit(150) applies a high positive voltage to an unselected bit line.
Abstract translation: 目的：提供负电压电容器和半导体存储器件，以通过向具有不同低尺寸的存储体提供相同的负电压来精确地执行写入操作。 构成：负电压发生器（110）包括多个耦合电容器，根据其中写入数据的存储体的低尺寸选择多个耦合电容器中的一个耦合电容器，并且将所选择的耦合电容器与负电压 。 开关单元（130）响应于数据选择位线对中的一个位线，并将所选择的耦合电容器连接到所选择的位线。 高压施加单元（150）向未选位线施加高正电压。
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公开(公告)号：KR1020120076017A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100137975
申请日：2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최재승
IPC: G11C11/413 , G11C11/4074 , G11C5/14
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/4074
Abstract: PURPOSE: A static memory device including a write assist circuit is provided to improve speed performance by easily performing a write operation. CONSTITUTION: A bit cell is connected to an internal voltage line. A power supply control circuit(210) is connected to the internal voltage line and supplies a voltage to the bit cell or blocks the voltage supply according to a control signal. A compensation circuit(220) is connected to the internal voltage line and controls the level of the supply voltage of the power supply control circuit.
Abstract translation: 目的：提供包括写辅助电路的静态存储装置，通过轻松执行写操作来提高速度性能。 构成：位单元连接到内部电压线。 电源控制电路（210）连接到内部电压线，并将电压提供给位单元，或根据控制信号阻断电压源。 补偿电路（220）连接到内部电压线，并控制电源控制电路的电源电平。
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公开(公告)号：KR101013369B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020080064521
申请日：2008-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 최재승
IPC: G02F1/1335 , H04B1/38
CPC classification number: G02B6/0055 , G02F1/133555 , G02F1/133615 , G02F2001/133557 , G02F2001/133567
Abstract: 본 발명은 휴대 단말기의 표시 장치에 관한 것으로, 내부광을 생성하여 출력하는 광원과, 일측면을 통해 출력되는 내부광 입사 시, 입사된 내부광을 상부면으로 굴절시키는 표시 소자와, 표시 소자 상에서 굴절된 내부광 도달 시, 굴절된 내부광을 투과시키기 위한 하프 미러막 및 광원 상에서 출력되는 내부광 도달 시, 출력되는 내부광을 반사시키는 플린지 미러막을 구비하는 표시 미러막을 포함한다. 본 발명에 따르면, 표시 미러막이 표시 소자 및 표시 윈도우 사이에 개재됨에 따라, 표시 영역에서 표시되는 영상의 명확성을 향상시킬 수 있으며, 휴대 단말기의 미관을 개선할 수 있다.
휴대 단말기, 표시 장치, 광원, 표시 소자, 하프 미러막-
公开(公告)号：KR1020150135031A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020140099854
申请日：2014-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/4074 , G11C11/4076
CPC classification number: G11C7/22 , G11C11/412 , G11C11/413 , G11C2207/2227
Abstract: 휘발성메모리장치는, 제1 전원전압배선을통하여제1 전원전압을공급받고, 제1 전원전압에기초하여데이터를저장하는메모리셀 어레이, 및제2 전원전압배선을통하여제2 전원전압을공급받고, 제2 전원전압에기초하여메모리셀 어레이를제어하는주변회로부를포함한다. 주변회로부는, 주변회로부의동작타이밍을결정하는셀프타이밍펄스회로를포함한다. 셀프타이밍펄스회로는, 제1 전원전압배선을통하여제1 전원전압을공급받고, 제1 전원전압의전압레벨에따라주변회로부의상기동작타이밍을조절한다. 이에따라, 휘발성메모리장치의동작성능을유지또는향상시키면서동작안정성이확보될수 있다.
Abstract translation: 易失性存储器件包括：通过第一电源电压线提供有第一电源电压并且存储基于第一电源电压线的数据的存储单元阵列; 以及通过第二电源电压线提供有第二电源电压的外围电路，并且基于第二电源电压线控制存储单元阵列。 外围电路具有确定外围电路的动作定时的自定时脉冲电路。 自定时脉冲电路通过第一电源电压线被提供第一电源电压，并且根据第一电源电压的电压电平来调整外围电路的操作定时。 因此，本发明能够在保持或改善设备的操作性能的同时确保易失性存储器件的操作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101556016B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020090023993
申请日：2009-03-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/18 , G11C7/22 , G11C2207/2227
Abstract: 본발명의반도체메모리장치는, 행들및 열들로배열된메모리셀 어레이와, 외부로부터입력된행 어드레스를디코딩하고, 내부클럭신호에동기해서상기메모리셀 어레이와연결된워드라인들을구동하는행 디코더, 그리고클럭신호, 칩선택신호및 모드신호를입력받고, 상기내부클럭신호를발생하되, 상기모드신호가슬립모드에서노말모드로천이할때 상기칩 선택신호에응답해서상기행 디코더가소정시간동안비동작상태를유지하도록상기내부클럭신호를발생하는제어회로를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020080067143A
公开(公告)日：2008-07-18
申请号：KR1020070004339
申请日：2007-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W28/0289 , H04W24/00 , H04W28/22 , H04W72/12
Abstract: A method and an apparatus for uplink congestion control in a mobile communication system are provided to solve uplink congestion by detecting a congestion state at the uplink between a BS(Base Station) and a BSC(Base Station Controller). A base station receives data from mobile stations through the uplink(500). The base station judges whether the volume of received data is larger than the second threshold which indicates that the uplink is in a second-stage congestion state(505). If so, the base station confirms whether the data received through an auxiliary path exist(510). If so, the base station discards the data(515). In case the data received through the auxiliary path are not detected, however, the base station transmits data, received through a main path, to a base station controller(520). The base station controller issues an order to a mobile station, connected to the main path, through the base station in order to control the uplink data rate of the mobile station(525).
Abstract translation: 提供了一种用于移动通信系统中的上行链路拥塞控制的方法和装置，以通过检测BS（基站）和BSC（基站控制器）之间的上行链路的拥塞状态来解决上行链路拥塞。 基站通过上行链路从移动台接收数据（500）。 基站判断接收数据的容量是否大于指示上行链路处于第二级拥塞状态的第二阈值（505）。 如果是，则基站确认是否存在通过辅助路径接收到的数据（510）。 如果是，则基站丢弃数据（515）。 然而，在没有检测到通过辅助路径接收到的数据的情况下，基站将通过主路径接收的数据发送到基站控制器（520）。 基站控制器通过基站向连接到主路径的移动站发出命令，以便控制移动站的上行数据速率（525）。
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公开(公告)号：KR100604876B1
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020040051525
申请日：2004-07-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C5/14 , G11C11/413
CPC classification number: G11C11/417
Abstract: 본 발명은 다양한 PVT 변화에 대비하여 안정적인 버츄얼 레일 스킴을 적용한 SRAM 장치에 대하여 개시된다. SRAM 장치는 전원 전압으로부터 트랜지스터의 문턱 전압 만큼 낮아진 버츄얼 전원 전압과 접지 전압으로부터 트랜지스터의 문턱 전압 만큼 높아진 버츄얼 접지 전압을 SRAM 셀로 공급한다. 전원 전압과 버츄얼 전원 전압 사이에 연결되는 다이오드 유형의 피모스 트랜지스터와 엔모스 트랜지스터, 그리고 접지 전압과 버츄얼 접지 전압 사이에 연결된 다이오드 유형의 엔모스 트랜지스터와 피모스 트랜지스터에 의해, 다양한 PVT 변화에 대해서도 안정적인 버츄얼 전원 전압과 버츄얼 접지 전압을 제공하여 저 누설 전류 특성이 안정적이다.
저 누설 전류, 버츄얼 레일 스킴, 다양한 PVT 변화, 바이어스 장치-
公开(公告)号：KR102256055B1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：KR1020170044757
申请日：2017-04-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/11 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L29/66 , H01L21/768
Abstract: 본발명은반도체소자에관한것으로, 보다상세하게는기판상의메모리셀 트랜지스터들; 상기메모리셀 트랜지스터들상에배치되고, 비트라인및 제1 도전패턴을포함하는제1 배선층; 및상기제1 배선층상에배치되고, 접지라인을포함하는제2 배선층; 상기메모리셀 트랜지스터들중 제1 메모리셀 트랜지스터의소스/드레인과상기비트라인사이에개재되어, 이들을전기적으로연결하는제1 비아; 상기메모리셀 트랜지스터들중 제2 메모리셀 트랜지스터의소스/드레인과상기제1 도전패턴사이에개재되어, 이들을전기적으로연결하는제1 확장된비아; 및상기제1 도전패턴과상기접지라인사이에개재되어, 이들을전기적으로연결하는제2 확장된비아를포함한다. 상기제1 확장된비아의폭은상기제1 비아의폭보다더 크고, 상기제2 확장된비아의폭은상기제1 비아의폭보다더 크다.
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公开(公告)号：KR102219440B1
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR1020140099854
申请日：2014-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C7/22 , G11C11/412 , G11C11/413
Abstract: 휘발성메모리장치는, 제1 전원전압배선을통하여제1 전원전압을공급받고, 제1 전원전압에기초하여데이터를저장하는메모리셀 어레이, 및제2 전원전압배선을통하여제2 전원전압을공급받고, 제2 전원전압에기초하여메모리셀 어레이를제어하는주변회로부를포함한다. 주변회로부는, 주변회로부의동작타이밍을결정하는셀프타이밍펄스회로를포함한다. 셀프타이밍펄스회로는, 제1 전원전압배선을통하여제1 전원전압을공급받고, 제1 전원전압의전압레벨에따라주변회로부의상기동작타이밍을조절한다. 이에따라, 휘발성메모리장치의동작성능을유지또는향상시키면서동작안정성이확보될수 있다.
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