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公开(公告)号：KR101648446B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020140135167
申请日：2014-10-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F15/16 , G06F3/0354 , G06F3/046
CPC classification number: H04L65/403 , G06F3/03545 , G06F3/038 , G06F3/0414 , G06F3/0416 , G06F3/046 , G06F3/0481 , G06F3/0484 , G06F3/04883 , G06F17/24 , G06F2203/0383 , G09B5/00 , G09B11/00 , G09B11/02 , H04L51/04 , H04L65/601
Abstract: 전자회의시스템및 이의제어방법, 그리고디지털펜이제공된다. 본전자회의시스템은잉크를이용하여필기정보를입력하는제1 필기부및 터치센싱을이용하여필기정보를입력하는제2 필기부를포함하는디지털펜, 제1 필기부를이용하여종이에필기정보를입력하는동안제2 필기부를통해디지털펜의터치지점을감지하는감지부, 감지부에의해감지된터치지점을이용하여필기정보를생성하는제어부및 생성된필기정보를외부로전송하는통신부를포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020060000416A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049272
申请日：2004-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/38
CPC classification number: H04M1/0237 , H04M1/23
Abstract: 본 발명은 단말기의 슬라이딩 이동을 용이하게 할 수 있도록 구성한 휴대용 통신 장치의 슬라이딩 장치에 관한 것으로서, 이를 위해 본체 하우징과, 상기 본체 하우징에서 길이방향을 따라서 대면한 상태로 슬라이딩 개폐되는 슬라이딩 하우징으로 구성된 휴대용 통신 장치의 슬라이딩 장치에 있어서, 상기 슬라이딩 하우징의 슬라이딩 길이 이상으로 상기 본체 하우징의 일측단을 따라서 형성되고, 상기 본체 하우징의 상면 수직 방향으로 돌출됨과 아울러 길이방향을 따라서 연장되어 상기 슬라이딩 하우징의 일측면을 감싸게 형성된 적어도 하나 이상의 가이드 홀딩부와, 상기 가이드 홀딩부와 대면하게 장착되어 상기 본체 하우징에서 상기 슬라이딩 하우징의 슬라이딩 종료 지점을 촉각적으로 제공하는 사이드 슬라이딩 모듈로 구성되어짐을 특징� �로 하며, 이에 따라, 단말기의 슬라이딩 장치의 슬라이딩 이동의 종료 시점을 인지하여 단말기의 슬라이딩 이동을 용이하게 할 수 있는 이점이 있다.
휴대용 통신 장치, 본체 하우징, 슬라이딩 하우징, 사이드 슬라이딩 모듈.-
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公开(公告)号：KR1020040077298A
公开(公告)日：2004-09-04
申请号：KR1020030012808
申请日：2003-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/32155
Abstract: PURPOSE: A method for measuring and controlling density of dopant of a thin film in a semiconductor fabrication process is provided to shorten the measurement time and reduce the wafer consumption by measuring directly the density of the dopant of the thin film from a wafer having a pattern. CONSTITUTION: The first density measurement process is performed to obtain the first density of dopant before a thin film is deposited on the wafer(S401). The thin film is deposited on the wafer(S402). The second density measurement process is performed to obtain the second density of the dopant after the thin film is deposited on the wafer(S403). The density of the dopant of the thin film deposited on the wafer is obtained by using a difference between the first density and the second density(S404).
Abstract translation: 目的：提供一种在半导体制造工艺中测量和控制薄膜掺杂剂密度的方法，通过从具有图案的晶片直接测量薄膜掺杂剂的密度来缩短测量时间并减少晶片消耗 。 构成：在薄膜沉积在晶片上之前，进行第一密度测量处理以获得掺杂剂的第一密度（S401）。 薄膜沉积在晶片上（S402）。 执行第二密度测量处理以在薄膜沉积在晶片上之后获得掺杂剂的第二密度（S403）。 通过使用第一密度和第二密度之间的差来获得沉积在晶片上的薄膜的掺杂剂的密度（S404）。
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