公开(公告)号：KR1020170126139A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020160056153

申请日：2016-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 카나모리 ,  송민영 ,  강신환

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575

Abstract: 수직형메모리장치는하부회로패턴, 메모리셀 블록, 및제1 콘택플러그를포함할수 있다. 상기하부회로패턴은기판상에형성될수 있다. 상기메모리셀 블록은상기하부회로패턴상에형성될수 있으며, 상기기판상면에수직한제1 방향을따라적층된복수의게이트전극들, 상기게이트전극들을관통하여상기제1 방향으로연장된채널, 및상기기판상면에평행한제2 방향으로연장된제1 공통소스라인(CSL)을포함할수 있다. 상기제1 콘택플러그는상기하부회로패턴및 상기제1 공통소스라인사이에형성되어이들에각각연결될수 있으며, 상기제1 공통소스라인에상기제1 방향으로오버랩될수 있다.

Abstract translation: 垂直存储器件可以包括下电路图案，存储单元块和第一接触插塞。 下电路图案可以形成在基板上。 存储单元块是延伸到所述底电路的信道，并在所述衬底上的图案的第一方向，多个的栅电极上形成的多个沉积沿垂直于所述上表面上，通过在第一方向上的所述栅电极，并 以及在平行于衬底的上表面的第二方向上延伸的第一公共源极线（CSL）。 第一接触插塞可以形成在下电路图案和第一公共源极线之间并连接到下电路图案和第一公共源极线，并且可以在第一方向上与第一公共源极线重叠。