公开(公告)号：KR100578136B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020040005085

申请日：2004-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하민호 ,  전진호 ,  정이하

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45578

Abstract: 플라즈마 강화된 화학기상 증착 장비를 제공한다. 이 장비는 공정 챔버을 관통하는 가스 분사관을 포함한다. 가스 분사관에는 그것의 측벽일부로 이루어진 분사 영역이 배치된다. 분사 영역 내에는 복수개의 분사 슬롯들이 배치된다. 분사 슬롯들에 의하여 공정 챔버의 내부에 유도된 플라즈마력이 가스 분사관 내로 침투하는 현상을 최소화하여 파티클성 오염을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050077155A

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：KR1020040005085

申请日：2004-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하민호 ,  전진호 ,  정이하

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45578

Abstract: 플라즈마 강화된 화학기상 증착 장비를 제공한다. 이 장비는 공정 챔버을 관통하는 가스 분사관을 포함한다. 가스 분사관에는 그것의 측벽일부로 이루어진 분사 영역이 배치된다. 분사 영역 내에는 복수개의 분사 슬롯들이 배치된다. 분사 슬롯들에 의하여 공정 챔버의 내부에 유도된 플라즈마력이 가스 분사관 내로 침투하는 현상을 최소화하여 파티클성 오염을 최소화할 수 있다.