公开(公告)号：KR1019960000836B1

公开(公告)日：1996-01-13

申请号：KR1019920021849

申请日：1992-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오승철 ,  김문곤 ,  유승문 ,  학애재 ,  이승훈

IPC: G11C11/407

Abstract: The device comprises a power-up unit in which voltage with upper level than power supply level, an input unit which outputs signals by responding to the enable status of decoded low address signals, and an output unit which is composed of a n-MOS transistor which inputs output signals from the input unit and has a source inputting word line operating signals and a drain connected to word line and a pull-down n-MOS transistor that is connected between the drain of the p-MOS transistor and the ground.

Abstract translation: 该装置包括上电单元，其上电高于电源电平的电压，通过响应于解码的低地址信号的使能状态输出信号的输入单元和由n-MOS晶体管组成的输出单元 其输入来自输入单元的输出信号，并且具有源极输入字线操作信号和连接到字线的漏极和连接在p-MOS晶体管的漏极与地之间的下拉n-MOS晶体管。

公开(公告)号：KR100098216B1

公开(公告)日：1996-04-12

申请号：KR1019920021849

申请日：1992-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오승철 ,  김문곤 ,  유승문 ,  학애재 ,  이승훈

IPC: G11C11/407

公开(公告)号：KR1019980015747A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960035185

申请日：1996-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 학애재 ,  윤세승 ,  한진만

IPC: H01L27/11

Abstract: CSL 스큐를 감소시킬 수 있는 반도체 메모리장치가 포함되어 있다. 본 발명은, 각 칼럼데코더의 출력이 게이팅되는 칼럼데코더의 위치에 따른 로딩 차이를 보상해 주기 위한 로딩 수단을 구비함으로써, 또는 칼럼데코더로 부터 선택된 워드라인까지의 거리에 의한 CSL 인에이블 시점을 보상해 주기 위한 로딩 수단을 구비함으로써, CSL 스큐를 감소시킬 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019930010998A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：KR1019920021849

申请日：1992-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오승철 ,  김문곤 ,  유승문 ,  학애재 ,  이승훈

IPC: G11C11/407

Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 행 어드레스(row address)를 디코딩(decoding)하여 메모리 셀에 연결된 워드라인을 구동시키기 위한 워드라인 구동회로에 관한 것으로, 본 발명에 의한 워드라인 구동회로는, 입력단을 소정의 디코딩된 어드레스들만에 의해서 컨트롤하고 상기 디코딩된 어드레스들을 메모리 쎌 어레이의 주변회로에서 Vcc전압 및 Vpp전압레벨의 “하이”신호로 생성하므로서, 설계 및 레이아웃이 간단하여 고집적화의 효율이 향상되고 입력신호의 인에이블 순서가 간단하여 고집적화에 용이하며 입력신호의 인에이블 시점이 고속으로 이루어져 그에 따른 고속의 출력동작이 이루어져 신뢰성 및 그 성능을 향상시킨다. 또한 저 전원전압하에서 특히 고속의 출력동작을 수행하고, 워드라인의 방전시 노이즈의 발생이 최대한 억제되는 장점이 있다.