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公开(公告)号：KR100174993B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019960004392
申请日：1996-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한진후
IPC: H01L21/66
Abstract: 공정관리의 효율화를 위하여 각 공정설비를 통계적 공정관리 방식으로 설비 및 공정이상이 자동제어되도록 개선시킨 반도체 설비의 통계적 공정관리 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 공정수행전에 공정 및 시간 데이터를 설비별로 구분가능하도록 출력하는 복수의 공정설비, 이에 연결된 계측기, 공정설비의 출력데이터와 상기 계측기의 계측데이터를 이력으로 저장하는 저장수단, 및 상기 저장수단에 저장된 데이터의 이력사항을 분석하여 공정 및 설비 이상으로 판단되면 상기 공정설비의 동작을 출력시키는 공정관리서보를 포함하여 구성되어, 공정관리서보에서 입력된 데이터를 미리 설정된 기준데이터와 통계적 공정관리 방식으로 비교 및 판단하여 공정 및 설비이상에 대한 자동제어를 수행하도록 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면, 공정이상인지 설비이상인지 즉각적인 판단이 가능하도록 통계적 공정관리 방식에 의한 판단결과를 확보할 수 있고, 자동제어가 수행되어 공정의 관리 및 생산성의 극대화를 꾀할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100224652B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019920011637
申请日：1992-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 소자분리방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체기판상에 패드산화막과 질화막을 차례로 침적한 다음 포토리소그래피공정을 통해 필드영역상의 상기 질화막 및 패드산화막을 제거하여 액티브영역을 한정하는 공정, LOCOS공정에 의해 상기 필드영역상에 필드산화막을 형성하는 공정, 상기 액티브영역상에 남아 있는 질화막을 식각하고, 이어서 노출되는 패드산화막을 습식식각하되 식각시간을 액티브영역 엣지부위에 형성된 필드산화막과 상기 패드산화막을 합한 잔류산화막의 두께에 대한 습식식각 시간으로 환산하여 상기 환산된 시간동안 상기 잔류산화막을 습식식각하는 공정, 상기 결과물상에 완충산화막을 형성하고 Vth조정을 위한 이온주입을 실시하는 공정으로 제공된다. 따라서 상기한 본 발명의 방법에 의하면 안정된 전기적 특성을 갖는 반도체소자의 제조가 가능하게 된다.-
公开(公告)号：KR1019940001355A
公开(公告)日：1994-01-11
申请号：KR1019920011637
申请日：1992-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 소자분리방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 반도체기판상에 패드산화막과 질화막을 차례로 침적한 다음 포토리소그래피공정을 통해 필드영역상의 상기 질화막 및 패드산화막을 제거하여 액티브영역을 한정하는 공정, LOCOS공정에 의해 상기 필드영역상에 필드산화막을 형성하는 공정, 상기 액티브영역상에 남아 있는 질화막을 식각하고, 이어서 노출되는 패드산화막을 습식식각하되 식각시간을 액티브영역 엣지부위에 형성된 필드산화막과 상기 패드산화막을 합한 잔류산화막의 두께에 대한 습식식각 시간으로 환산하여 상기 환산된 시간동안 상기 잔류산화막을 습식식각하는 공정, 상기 결과물상에 완충산화막을 형성하고 Vth조정을 위한 이온주입을 실시하는 공정으로 제공된다. 따라서 상기한 본 발명의 방법에 의하면 안정된 전기적 특성을 갖는 반도체소자의 제조가 가능하게 된다.-
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公开(公告)号：KR1019980030956A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960050437
申请日：1996-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 사고발생시 연관되는 공정요소를 판단기준으로 하여 사고발생의 공정요소를 제어할 수 있도록 개선시킨 반도체 공정요소의 제어방법에 관한 것이다.
본 발명은, 각각의 공정요소를 데이터베이스로 구축시켜 상기 공정요소를 관리 및 감시하기 위한 반도체 공정요소의 제어방법에 있어서, 공정수행시 상기 각 공정요소의 관리 및 감시 수행 중 사고가 발생하는 단계, 상기 데이터베이스의 이용으로 상기 사고발생이 일어난 공정요소와 연계되는 공정요소를 판단기준으로 하여 상기 사고발생의 공정요소 제어를 분석 및 판단하는 단계 및 상기 제어판단의 제공으로 상기 사고발생 공정요소를 제어하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 사고발생을 최소화시켜 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970063608A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004392
申请日：1996-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한진후
IPC: H01L21/66
Abstract: 공정관리의 효율화를 위하여 각 공정설비를 통계적 공정관리 방식으로 설비 및 공정이상이 자동제어되도록 개선시킨 반도체 설비의 통계적 공정관리 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명은 공정수행전에 공정 및 시간 데이터를 설비별로 구분가능하도록 출력하는 복수의 공정설비, 이에 연결된 계측기, 공정설비의 출력데이타와 상기 계측기의 계측데이터를 이력으로 저장하는 저장수단, 및 상기 저장수단에 저장된 데이터의 이력사항을 분석하여 공정 및 설비 이상으로 판단되면 상기 공정 설비의 동작을 출력시키는 공정관리서보를 포함하여 구성되어, 공정관리서보에서 입력된 데이터를 미리 설정된 기준데이터와 통계적 공정관리 방식으로 비교 및 판단하여 공정 및 설비 이상에 대한 자동제어를 수행하도록 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면, 공정이상인지 설비이상인지 즉각적인 판단이 가능하도록 통계적 공정관리 방식에 의한 판단결과를 확보할 수 있고, 자동제어가 수행되어 공정의 관리 및 생산성의 극대화를 꾀할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970063478A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004821
申请日：1996-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한진후
IPC: H01L21/265
Abstract: 이온주입될 막의 두께와 이온주입된 결과 계측된 문턱전압값을 비교하여 이온주입공정을 위한 파라미터를 자동으로 제어하는 이온주입설비의 제어 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼의 두께데이터와 문턱전압데이터가 입력되어 상기 데이터간의 상관관계에 따른 이온주입에너지를 계산하는 제어서버가 구성됨으로써, 이온주입될 웨이퍼의 게이트 막 두께데이터와 이온주입된 웨이퍼의 문턱전압데이터를 각 계측기로부터 제어서버로 수집 및 저장하는 단계, 두께데이터와 문턱전압데이터의 상관관계에 따른 이온주입에너지를 계산하는 단계 및 이온주입기에서 이온주입될 웨이퍼 두께데이터에 따라 계산된 이온주입에너지로 이온주입공정이 수행되도록 이온주입기의 파라미터를 가변제어하는 단계가 수행되도록 이루어진다.
따라서, 계측 데이터의 관리와 저장된 데이터의 상관관계의 유도와 이온주입에너지 값의 계산 및 파라미터제어가 자동으로 이루어져서 생산성 및 작업성이 극대화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019930011300A
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019910021913
申请日：1991-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/112
Abstract: 다결정 실리콘과 이 위에 실리사이드로 된 폴리사이드 구조의 게이트 전극구조를 갖는 MOS 트랜지스터를 정보저장 수단으로 하는 마스크 층의 제조방법에 있어서, 공핍형의 상기 구조의 M0S 트랜지스터를 형성하는 단계와, 코팅을 위해서 상기 형성된 트랜지스터중 선택된 트랜지스터에 대해서 게이트 전극부분을 오픈하는 포트 마스킹작업후 기간과 동일 도전형이 불순물 이온을 상기 게이트 전극의 다결정 실리콘층에 주입하므로써 중배형의 M0S트랜지스터를 형성시켜 코팅 즉 프로그램되는 단계를 갖고 형성됨을 특징으로 하는 mROM제조방법에 관한 것.
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公开(公告)号：KR1019980067204A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003102
申请日：1997-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한진후
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 가변적으로 샘플 크기를 제어하여 정확한 품질관리가 가능하도록 한 반도체 계측 공정의 가변적 샘플 제어방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 샘플링 룰(sampling rule)에 따라 샘플의 크기가 결정되어 웨이퍼를 계측하는 반도체 공정에 있어서, 상기 공정이 진행된 웨이퍼의 불량율을 산출하는 단계와; 상기 산출된 불량율을 근거로 하여 샘플 크기를 재결정하는 단계와; 상기 샘플 크기가 '0'인지를 판단하여 상기 샘플 크기가 '0'이면 계측 공정을 생략하여 종료하는 단계와; 상기 샘플 크기가 '0'이 아니면 상기 불량율이 통계적 관리 기법에 의거한 허용 범위 내에 있는가를 판단하여 상기 불량율이 허용 범위 내에 들면 계측 공정을 실시한 후, 종료하고, 상기 불량율이 허용 범위를 벗어나면 공정을 홀드하여 다시 처음부터 수행하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 계측 공정의 가변적 샘플 제어방법을 개시한다. 본 발명에 의하면, 지속적인 공정 개선의 효과로 공정 불량의 감소를 가져오고 이에 따른 계측 샘플의 감소로 계측 공정의 로드를 최소화하여 계측 설비 구입에 따른 비용 절감을 가져온다.-
公开(公告)号：KR1019980067203A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003101
申请日：1997-01-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 한진후
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 최적의 스페이서 모델을 구하여 이에 의한 정확한 스페이서 식각제어를 실시하여 균일성 및 제품의 신뢰성을 높일 수 있는 반도체 장치의 스페이서 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체 장치의 스페이서 형성방법에 있어서, 스페이서 형성용 막이 증착된 반도체 기판을 식각하기 전에 막의 두께를 측정하는 단계; 반도체 스페이서 형성공정 진행에 준해서 정해진 식각율(etch rate)에 근거로 하여 건식식각 장비를 이용하여 스페이서 식각을 실시하는 단계; 상기 식각된 스페이서의 두께를 측정하는 단계; 상기 측정된 데이터를 제어 서버(sever)로부터 출력받아 실 데이터를 기준으로 최적 모델을 구하는 단계; 및 상기 측정된 데이터에 따라 산출된 식각식간을 식각설비에 다운로드하여 스페이서 공정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 스페이서 형성방법을 개시한다.
상기한 본 발명에 의하면, 정확한 스페이서 식각제어에 의해 스페이서의 균일성(unoformity) 및 제품의 신뢰성을 크게 높일 수 있다.
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