公开(公告)号：KR1020070042215A

公开(公告)日：2007-04-23

申请号：KR1020050097837

申请日：2005-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한은영 ,  김정주 ,  곽희진 ,  김진성 ,  김오순 ,  허명진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 반도체 소자 제조용 장치는 낱장 단위로 제공되는 반도체 기판을 대상으로 공정이 이루어지는 공간을 갖는 챔버를 포함한다. 이때, 상기 챔버의 일측에는 슬릿이 마련되고, 상기 슬릿을 통하여 상기 반도체 기판이 상기 챔버의 공간 내부로 출입하게 된다. 그리고, 상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 반도체 기판의 이면과 상기 챔버의 저부 사이에 공간이 마련되게 상기 반도체 기판의 주연부를 파지하는 파지부를 포함한다. 또한, 상기 챔버의 저부로부터 마련된 공간에서 이동 가능하게 설치되고, 상기 파지부에 파지된 상기 반도체 기판의 이면과 접촉하여 상기 반도체 기판의 이면에 흡착된 오염원을 제거하는 세정부 및 상기 챔버의 저부에 연결되고, 상기 세정부를 사용하여 상기 반도체 기판의 이면으로부터 제거한 오염원을 펌핑하여 상기 오염원을 상기 챔버로부터 외부로 배출하는 펌핑부를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020070033767A

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：KR1020050088285

申请日：2005-09-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤성준 ,  백계현 ,  곽희진 ,  김진성 ,  김오순 ,  허명진

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32972 ,  H01J37/32981

Abstract: 본 발명은 플라즈마 설비 및 플라즈마 모니터링 방법에 관한 것으로, 플라즈마를 이용하여 공정을 진행하는 플라즈마 설비에 있어서, 상기 플라즈마의 상태를 분석하여 이상 여부를 확인하는 제1 장치와, 상기 플라즈마의 상태가 이상이 발견되었을 경우 상기 플라즈마 상태 이상의 원인을 규명하는 제2 장치를 포함하는 설비를 이용하여 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하고, 플라즈마 상태의 이상 발생시 그 원인을 규명하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마 상태의 이상 여부를 판단하고, 이상 발생시 질량 분석 장비의 데이터를 이용하여 플라즈마 이상의 화학 조성 변동 기인 여부 및 문제가 되는 화학종 확인을 통하여 이상 원인을 규명할 수 있다. 따라서, 플라즈마를 최적의 상태로 유지할 수 있으므로 공정의 안정성을 통한 수율 및 생산량을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
반도체, 플라즈마, SEERS, RGA

公开(公告)号：KR1020070027079A

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020050079462

申请日：2005-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  김진성 ,  임광신 ,  김정주 ,  진태성 ,  한은영 ,  김오순 ,  허명진

IPC: H01L21/304

Abstract: A method for cleaning a boat in a furnace is provided to improve the productivity of semiconductor products by removing effectively contaminants from a surface of the boat using two-step cleaning processes and a rinse process. A first cleaning process is performed on a boat by using a first cleaning solution(S110). The first cleaning solution contains nitric acid, fluoric acid and deionized water. A second cleaning process is performed on the boat by using a second cleaning solution(S120). The second cleaning solution contains the fluoric acid and the deionized water. A rinse process is then performed on the boat by using deionized water(S130).

Abstract translation: 提供了一种用于在炉中清洁船的方法，以通过使用两步清洁过程和冲洗过程从船的表面有效去除污染物来提高半导体产品的生产率。 通过使用第一清洁溶液在船上执行第一清洁处理（S110）。 第一清洗液含有硝酸，氟酸和去离子水。 通过使用第二清洁溶液在船上执行第二清洁处理（S120）。 第二清洗液含有氟酸和去离子水。 然后通过使用去离子水在船上进行漂洗过程（S130）。

公开(公告)号：KR1020070027296A

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020050082753

申请日：2005-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한은영 ,  김정주 ,  김진성 ,  박재구 ,  곽희진 ,  김오순 ,  허명진

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for cleaning a wafer backside is provided to remove contamination from the wafer backside by using an exhausting unit and an exhausting pump arranged on a process chamber. A process chamber has a wafer entrance. A supporting unit(13) is mounted in the process chamber. The supporting unit fixes a wafer(W). A cleaning unit(15) cleans a wafer backside. A moving unit(16) is connected to the cleaning unit. The moving unit moves the cleaning unit on the wafer backside. The supporting unit consists of at least three supporters(13a,13b,13c). The process chamber further has an exhausting unit on a lower surface thereof and an exhausting pump. Particles are exhausted through the exhausting unit. The exhausting pump is connected to the exhausting unit.

Abstract translation: 提供一种用于清洁晶片背面的装置，以通过使用布置在处理室上的排气单元和排气泵来去除晶片背面的污染物。 处理室具有晶片入口。 支撑单元（13）安装在处理室中。 支撑单元固定晶片（W）。 清洁单元（15）清洗晶片背面。 移动单元（16）连接到清洁单元。 移动单元将清洁单元移动到晶片背面。 支撑单元由至少三个支撑件（13a，13b，13c）组成。 处理室还具有在其下表面上的排气单元和排气泵。 颗粒通过排气单元排出。 排气泵连接到排气单元。