公开(公告)号：KR1020050000570A

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：KR1020030041015

申请日：2003-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한은영 ,  박재구 ,  김진성 ,  박희정

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A wafer cleaning apparatus is provided to remove uniformly particles from an edge as well as surfaces of a wafer by using an edge cleaning clamp and a brush. CONSTITUTION: A wafer cleaning apparatus includes a plurality of rotary clamps, a cleaning clamp and a brushing part. The plurality of rotary clamps(350) are arranged along an edge of a wafer(W). Each rotary clamp includes a circular groove for holding the wafer edge. The rotary clamp is capable of rotating the wafer by spinning the rotary clamp itself. The cleaning clamp(200) has the same structure as that of the rotary clamp. The cleaning clamp is used for cleaning the wafer edge. The brushing part(300) is used for cleaning a front and rear surface of the wafer.

Abstract translation: 目的：提供晶片清洁设备，通过使用边缘清洁夹具和刷子来均匀地从边缘以及晶片表面除去颗粒。 构成：晶片清洗装置包括多个旋转夹具，清洁夹具和刷子部件。 多个旋转夹具（350）沿着晶片（W）的边缘布置。 每个旋转夹具包括用于保持晶片边缘的圆形槽。 旋转夹具能够通过旋转旋转夹具本身旋转晶片。 清洁夹具（200）具有与旋转夹具相同的结构。 清洁夹用于清洁晶片边缘。 刷洗部（300）用于清洁晶片的前表面和后表面。

公开(公告)号：KR1020010002399A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990022177

申请日：1999-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박희정 ,  박재구 ,  김진성 ,  차훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus is provided to reduce the quantity of byproducts generated by reaction with a shower head and to decrease the quantity of particles caused by the byproducts, by reducing a surface area exposed to plasma, and by eliminating an over-etched portion. CONSTITUTION: A chemical vapor deposition(CVD) apparatus comprises a plurality of spraying holes(142), a shower head(140) and a ceramic guide ring(150). The plurality of spraying holes spray depositing gas of etching gas injected through a gas line into a chamber(20) in which a wafer is settled. The shower head is made of aluminum, having a cooling line inside. The ceramic guide ring fixes the shower head to be isolated from the chamber. The CVD apparatus is electrically connected to a radio frequency power necessary for generating plasma. A bottom surface of the shower head has a plane surface, so as to have a uniform potential regarding the plasma generated from spray gas. An edge portion of an inner bottom surface is protruded lower than the bottom surface of the shower head, having a structure of a streamlined surface regarding exhaust gas.

Abstract translation: 目的：提供化学气相沉积（CVD）装置，以减少与淋浴头反应产生的副产物的量，并通过减少暴露于等离子体的表面积，减少由副产物引起的颗粒的量，并通过消除 过蚀刻部分。 构成：化学气相沉积（CVD）装置包括多个喷射孔（142），喷淋头（140）和陶瓷导向环（150）。 多个喷射孔将通过气体管线注入的蚀刻气体的气体喷射到晶片沉积的室（20）中。 淋浴头由铝制成，内部有冷却线。 陶瓷导向环固定淋浴头与腔室隔离。 CVD装置电连接到产生等离子体所需的射频功率。 淋浴喷头的底面具有平面，从而对于由喷雾气体产生的等离子体具有均匀的电位。 内底表面的边缘部分比淋浴头的底表面突出，具有关于废气的流线型表面的结构。

公开(公告)号：KR1019990066234A

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019980001985

申请日：1998-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박희정 ,  박재구 ,  김진성

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 임팩터 스테이지의 재질을 공정이 진행중인 공정챔버 중에서 직접 파티클의 포집이 가능하도록 내식재질로 제작한 반도체 공정챔버용 파티클분석기의 임팩터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 공정챔버용 파티클분석기의 임팩터는, 샘플로서의 공기가 유입되는 공기흡입구(1); 상기 공기흡입구(1)를 통하여 유입되는 공기의 유속을 조절하는 노즐(2); 상기 노즐(2)을 통하여 유입되는 공기와 충돌하는 웨이퍼(4)를 받쳐주는, 내식재질로 된 스테이지(3); 상기 스테이지(3)를 지지하며, 스테이지(3) 상의 웨이퍼(4)와 충돌된 후의 공기가 빠져나갈 수 있도록 하는 통기구(6)가 형성된 스테이지지지대(5); 상기 공기흡입구(1)와 노즐(2), 스테이지(3) 등을 통하여 흐르는 공기의 양을 조절하는 오리피스(7); 및 펌프와 연결되어 공기를 외부로 방출하는 공기배출구(8);를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
따라서, 스테이지에서 유래되는 파티클의 발생가능성을 줄여 파티클 평가 자체의 신뢰성을 향상시키고, 파티클 포집후 오버플로우에 의하여 세정하여 재사용을 가능하게 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990056589A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970076587

申请日：1997-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강희세 ,  조성범 ,  김진성 ,  박재구

IPC: H01L21/205

Abstract: 저압기상증착 설비의 수직형 증착로(furnace)와 수직형 증착로로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 용이하게 연결되도록 하는 가요성 스테인레스관에 파티클이 데포(depo)된 후, 데포된 파티클이 가요성 스테인레스관으로부터 분리됨으로써 반응가스와 함께 수직형 증착로로 유입된 파티클에 의한 공정 불량이 발생하는 것을 방지한 파티클 유입 방지 장치를 갖는 LP CVD 설비가 개시되고 있다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 보드가 로딩되어 웨이퍼에 증착막을 형성하는 증착로와, 증착로 내부에 일정 압력을 형성시켜주는 압력발생부와, 웨이퍼에 원하는 증착막이 형성되도록 증착로에 반응 가스를 공급하는 반응가스 공급시스템을 포함하며, 반응가스 공급 시스템과 증착로 사이에는 가요성 튜브가 설치되어 있고, 가요성 튜브와 증착로 사이에는 가요성 튜브에서 발생하는 파티클을 필터링하는 가요성 튜브 필터부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100155881B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950029841

申请日：1995-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  조창민 ,  채승기 ,  문상영

IPC: H01L21/00

Abstract: 반도체에 관련된 여러 가지의 파타클을 평가할 수 있는 파티클 평가용 시험챔버와 이를 이용한 파티클 평가 시스템이 포함되어 있다. 또한 파티클 평가 기준시험(Reference Test)을 할 수 있는 파티클 평가 시스템과 파티클의 구조 및 성분 분석을 할 수 있는 파티클 평가 시스템이 포함되어 있다. 본 발명의 파티클 평가 시스템은, 시험챔버 내부 또는 외부에서 샘플링된 파티클이 환합된 공기를 시험챔버의 이소키네틱 샘플링프루브에 의해 일정하게 샘플링하여, 시험챔버와 연결된 파티클카운터, 멀티플렉서 프로세서, 및 컴퓨터에서 파티클을 카운팅하고 모니터링할 수 있다. 따라서, 크린룸 의복, 제조공정 라인에서 사용하는 여러 가지 지원장비, 기타 청정용품, 작업자의 작업행동 등에서 발생하는 파티클오염의 정도를 평가할 수 있고, 신규 청정용품의 자격인증에도 적용할 수 있다. 또한 파티클 생성 시스템을 파티클 평가 시스템에 연결하여, 상기 파티클 생성 시스템으로부터 샘플링된 파티클을 공급함으로써 파니클 평가기준시험을 행할 수 있고, 임펙터를 파티클 평가 시스템에 연결하여, 샘플링된 공기에 포함되어 있는 파티클을 상기 임펙터에서 크기별로 샘플링한 후 분석장비를 사용하여 파티클의 구조 및 성분을 분석할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130098017A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：KR1020120019789

申请日：2012-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박광호 ,  김경태 ,  김동영 ,  박재구

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67057

Abstract: PURPOSE: A cleaning device is provided to clean a shower head without byproducts in a plurality of nozzles to spray a processing gas and evaporated chemical materials. CONSTITUTION: A main bath (100) receives cleaning solutions and includes a main sidewall (110) and a main bottom (120). A sub bath (200) is located in the cleaning solutions. A suction bump is connected to an outlet (220h) through a first pipe. The suction pump includes a suction part (310) and an output part (320). A shower head (10) includes a receiving area (11), a connecting area (12), and a spraying area (13).

Abstract translation: 目的：提供一种清洁装置，用于清洁多个喷嘴中的不含副产品的淋浴头，以喷射处理气体和蒸发的化学材料。 构成：主浴（100）接收清洁溶液并包括主侧壁（110）和主底（120）。 洗涤液（200）位于清洁溶液中。 吸入凸块通过第一管连接到出口（220h）。 抽吸泵包括抽吸部分（310）和输出部分（320）。 淋浴头（10）包括接收区域（11），连接区域（12）和喷洒区域（13）。

公开(公告)号：KR1020070027296A

公开(公告)日：2007-03-09

申请号：KR1020050082753

申请日：2005-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한은영 ,  김정주 ,  김진성 ,  박재구 ,  곽희진 ,  김오순 ,  허명진

IPC: H01L21/304

Abstract: An apparatus for cleaning a wafer backside is provided to remove contamination from the wafer backside by using an exhausting unit and an exhausting pump arranged on a process chamber. A process chamber has a wafer entrance. A supporting unit(13) is mounted in the process chamber. The supporting unit fixes a wafer(W). A cleaning unit(15) cleans a wafer backside. A moving unit(16) is connected to the cleaning unit. The moving unit moves the cleaning unit on the wafer backside. The supporting unit consists of at least three supporters(13a,13b,13c). The process chamber further has an exhausting unit on a lower surface thereof and an exhausting pump. Particles are exhausted through the exhausting unit. The exhausting pump is connected to the exhausting unit.

Abstract translation: 提供一种用于清洁晶片背面的装置，以通过使用布置在处理室上的排气单元和排气泵来去除晶片背面的污染物。 处理室具有晶片入口。 支撑单元（13）安装在处理室中。 支撑单元固定晶片（W）。 清洁单元（15）清洗晶片背面。 移动单元（16）连接到清洁单元。 移动单元将清洁单元移动到晶片背面。 支撑单元由至少三个支撑件（13a，13b，13c）组成。 处理室还具有在其下表面上的排气单元和排气泵。 颗粒通过排气单元排出。 排气泵连接到排气单元。

公开(公告)号：KR1020060102174A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR1020050024119

申请日：2005-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배동관 ,  고영범 ,  박재구 ,  박종범 ,  배종용

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4407 ,  H01L21/67028

Abstract: 본 발명은 반도체 디바이스 제조를 위한 챔버의 쉴드 세정장치 및 세정방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 챔버 내부에 장착된 쉴드를 세정함에 있어서 종래의 드라이 오븐 베이크 방식 아닌, 진공상태하에서 수행되는 드라이 오븐 베이크 방식을 취한다. 그리고, 상기 드라이 오븐의 진공 상태는 RGA를 이용하여 철저히 검사함으로써, 피엠 로스 및 품질불량 로스로 인해 야기되는 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성 저하를 최소화한다.
반도체, 챔버, 쉴드, RGA, SUS

公开(公告)号：KR1020010088090A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：KR1020000012103

申请日：2000-03-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박희정 ,  김도형 ,  박재구 ,  박정태

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A heating chuck of wafer ashing equipment is provided to effectively eliminate polymer exposed to plasma and adhered to a wafer in an etching process, by forming a circular groove in the heating chuck used in a conventional ashing process. CONSTITUTION: A heating chuck(300) for an ashing process is formed in semiconductor manufacturing equipment having a groove of a straight line type. A circular groove(340) is formed in an edge portion of the heating chuck. A wafer(10) is exposed to plasma in an etching process so that the circular groove formed in the heating chuck contacts a portion to which polymer is adhered.

Abstract translation: 目的：提供晶片灰化设备的加热卡盘，通过在常规灰化过程中使用的加热卡盘中形成圆形凹槽，有效地消除了暴露于等离子体的聚合物，并在蚀刻过程中粘附在晶片上。 构成：在具有直线型槽的半导体制造装置中形成用于灰化处理的加热卡盘（300）。 在加热卡盘的边缘部分形成圆形槽（340）。 在蚀刻工艺中将晶片（10）暴露于等离子体，使得形成在加热卡盘中的圆形槽与聚合物粘附的部分接触。

公开(公告)号：KR1019970030280A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950043657

申请日：1995-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  이성재

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 반도체 제조를 위하여 반응가스를 공급하는 시스템에 구성되는 각 요소들의 이오닉(Ionic) 성분에 의한 오염도를 측정하여 정확한 오염분석을 수행하는 반도체 제조 공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치에 관한 것이다. 본 발명은, 반도체장치 제조 공정에서 가스 공급을 위하여 설치되는 요소의 오염분석을 상기 요소로 질소가스를 유입시킴으로 인하여 포함되는 물리적 및 화학적 불순물의 정량 및 성분 등을 테스트하는 반도체 제조 공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치에 있어서; 상기 물리적 및 화학적 불순물을 포함한 질소가스를 배기라인으로 배출하도록 구성되고, 상기 배기라인에 상기 질소가스에 포함된 이오닉 성분 불순물을 포집 및 분석하는 임핀저(Impinger)가 접속됨을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 입자성 불순물 오염도를 측정 및 포집 뿐만 아니라 이오닉 성분을 샘플링하여 오염도를 복합적으로 측정할 수 있으므로, 정확한 오염 분석 자료를 얻을 수 있는 효과가 있다.