公开(公告)号：KR1020160144164A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：KR1020150080591

申请日：2015-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유현관 ,  김국태 ,  박찬진 ,  신동석 ,  임영달 ,  홍사환

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

Abstract: 반도체소자및 그의형성방법이제공된다. 상기반도체소자는소자분리막상에위치하는게이트어셈블리; 상기게이트어셈블리의측면상에위치하는게이트스페이서; 상기게이트스페이서상에위치하는컨택어셈블리; 상기소자분리막과상기컨택어셈블리사이에위치하는에어갭; 및상기게이트스페이서와상기에어갭 사이에위치하는제 1 스페이서캡핑막을포함한다. 상기제 1 스페이서캡핑막은상기게이트스페이서와식각선택비를갖는다.

Abstract translation: 半导体器件包括设置在器件隔离层上的栅极组件，设置在栅极组件的侧表面上的栅极间隔件，设置在栅极间隔物上的接触组件，设置在器件隔离层和接触组件之间的气隙， 以及设置在所述栅极间隔物和所述气隙之间的第一间隔物封盖层。 第一间隔物覆盖层相对于栅极间隔物具有蚀刻选择性。

公开(公告)号：KR102258109B1

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：KR1020150080591

申请日：2015-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유현관 ,  김국태 ,  박찬진 ,  신동석 ,  임영달 ,  홍사환

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49

Abstract: 반도체소자및 그의형성방법이제공된다. 상기반도체소자는소자분리막상에위치하는게이트어셈블리; 상기게이트어셈블리의측면상에위치하는게이트스페이서; 상기게이트스페이서상에위치하는컨택어셈블리; 상기소자분리막과상기컨택어셈블리사이에위치하는에어갭; 및상기게이트스페이서와상기에어갭 사이에위치하는제 1 스페이서캡핑막을포함한다. 상기제 1 스페이서캡핑막은상기게이트스페이서와식각선택비를갖는다.