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公开(公告)号：KR1020160144164A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：KR1020150080591
申请日：2015-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/4991 , H01L21/7682 , H01L21/76897 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L23/485 , H01L27/0886 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848
Abstract: 반도체소자및 그의형성방법이제공된다. 상기반도체소자는소자분리막상에위치하는게이트어셈블리; 상기게이트어셈블리의측면상에위치하는게이트스페이서; 상기게이트스페이서상에위치하는컨택어셈블리; 상기소자분리막과상기컨택어셈블리사이에위치하는에어갭; 및상기게이트스페이서와상기에어갭 사이에위치하는제 1 스페이서캡핑막을포함한다. 상기제 1 스페이서캡핑막은상기게이트스페이서와식각선택비를갖는다.
Abstract translation: 半导体器件包括设置在器件隔离层上的栅极组件，设置在栅极组件的侧表面上的栅极间隔件，设置在栅极间隔物上的接触组件，设置在器件隔离层和接触组件之间的气隙， 以及设置在所述栅极间隔物和所述气隙之间的第一间隔物封盖层。 第一间隔物覆盖层相对于栅极间隔物具有蚀刻选择性。
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公开(公告)号：KR1020160112105A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150037177
申请日：2015-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/42356 , H01L29/785 , H01L29/7846 , H01L21/76283 , H01L21/76831
Abstract: 반도체장치이제공된다. 상기반도체장치는, 기판내에형성되는액티브영역을정의하는 STI 트렌치, 상기 STI 트렌치의측벽및 바닥면을따라컨포멀하게형성되는 STI 라이너(liner), 상기 STI 라이너상에형성되고, 상기 STI 트렌치의적어도일부를매립하는소자분리막, 상기액티브영역상에배치되는제1 게이트구조체, 및상기제1 게이트구조체와이격된제2 게이트구조체를포함하되, 상기제2 게이트구조체는, 상기소자분리막과접하는게이트절연막과, 상기게이트절연막상에위치하는게이트전극과, 상기게이트전극의양측에배치되는스페이서를포함하며, 상기스페이서의하면은, 상기 STI 라이너의상면과접하도록형성된다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件。 所述半导体器件包括：STI沟槽，其限定形成在衬底中的有源区; 沿着STI沟槽的底表面和侧壁以保形方式形成的STI衬套; 形成在STI衬垫上的元件分离膜，并且嵌入STI沟槽的至少一部分; 放置在活动区域上的第一门结构; 以及与第一栅极结构分离的第二栅极结构。 第二栅极结构包括：接触元件分离膜的栅极绝缘膜; 栅极放置在栅极绝缘膜上; 以及放置在栅电极两侧的间隔物。 间隔件的下表面形成为接触STI衬套的上表面。 因此，本发明能够防止晶体管的缺陷。
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公开(公告)号：KR102258109B1
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：KR1020150080591
申请日：2015-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체소자및 그의형성방법이제공된다. 상기반도체소자는소자분리막상에위치하는게이트어셈블리; 상기게이트어셈블리의측면상에위치하는게이트스페이서; 상기게이트스페이서상에위치하는컨택어셈블리; 상기소자분리막과상기컨택어셈블리사이에위치하는에어갭; 및상기게이트스페이서와상기에어갭 사이에위치하는제 1 스페이서캡핑막을포함한다. 상기제 1 스페이서캡핑막은상기게이트스페이서와식각선택비를갖는다.
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