-
-
公开(公告)号：KR100562484B1
公开(公告)日：2006-06-23
申请号：KR1019980037391
申请日：1998-09-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 홍성현
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 연마패드의 컨디셔닝 능력이 향상되도록 컨디셔닝 디스크를 효과적으로 세정할 수 있는 반도체소자 제조용 씨엠피장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
본 발명은, 상부에 연마패드가 부착되어 있으며, 회전가능한 연마테이블, 상기 연마패드상에 연마액을 공급하는 연마액공급수단, 상기 연마액공급수단에 의해 상기 연마패드상에 공급되는 상기 연마액을 사용하여 웨이퍼를 지지, 가압 및 회전운동시킴으로서 연마하는 연마헤드, 상기 연마헤드에 의해 연마공정이 수행된 상기 연마패드를 컨디셔닝하는 컨디셔너 및 상기 연마테이블의 일측에 위치하며, 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급관 및 케미컬을 공급하는 케미컬 공급관이 형성되어 있으며, 저면부에 브러쉬가 부착되어 있는 상기 컨디셔너가 대기하는 컨디셔너 파킹 배쓰를 구비하여 이루어진다. 또한 상기 브러쉬능력을 대신하는 초음파 발생기를 부착할 수 있다. 따라서, 컨디셔닝 디스크를 효율적으로 세정함으로서 공정의 안정화 및 재현성을 기할 수 있으며, 생산수율을 향상시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100190288B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019960014748
申请日：1996-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 여러 가지 물질의 박막을 웨이퍼 표면에 성장시키는 저압 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼상에 증착된 폴리 실리콘막과 텅스텐 실리콘 사이드막의 상호 박리를 막아 줌과 동시에 반응 챔버 내부에 형성된 파티클(particle)을 제거할 수 있는 저압 화학 증착 장치에 관한 것이다.
-
公开(公告)号：KR100153207B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950032523
申请日：1995-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/223
Abstract: 액체가스를 사용하는 반도체 제조공정에 적용할 수 있는 액체가스 사용량 계측 시스템이 개시되어 있다.
본 발명의 액체가스 사용량 계측 시스템은, 액체가스 실린더(10)로부터 공정챔버(20)에 연결되며, 중간에 온/오프밸브(12)와 가스유량제어기(16)가 차례로 설치되어 있는 액체가스 공급라인과; 상기 온오프밸브(12)의 온/오프신호시간과 상기 가스유량제어기(16)의 유속을 이용하여 사용량을 계측하는 적산계(22)와; 상기 계측된 액체가스 사용량을 표시하는 스크린(24); 을 구비하여 이루어진다.
따라서, 액체가스의 교체시기를 사전감지하여 공정불량을 방지할 수 있으며, 액체가스를 효율적으로 관리할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980077890A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970015215
申请日：1997-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 CMP(Chemical - Mechanical Polishing)설비로 공급되는 탈이온수의 공급압력을 조절하는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 관한 것이다.
본 발명은, 일정압으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급장치와 상기 탈이온수공급장치와 연결되는 주공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 폴리셔와 연결되는 제 1 공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 클리너와 연결되는 제 2 공급라인이 구비되는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 있어서, 상기 주공급라인 상에 상기 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 한다.
따라서, 탈이온수공급원에서 방출되는 탈이온수는, CMP공정 진행을 위한 약 4 Kg/㎠ 정도로 조절된 후, 클리너 및 폴리셔로 공급됨으로 인해서 CMP공정의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970023677A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034995
申请日：1995-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 화학기상증착설비에서 라인의 필터와 공정챔버 사이에 벨브를 설치하여 진공펌프 이상시 라인 내부에 존재하는 분진들이 역류되어서 필터를 오염시키는 것을 방지하는 화학기상증착설비의 배기 시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 복수개의 라인을 통하여 유입되는 가스가 필터에 의하여 필터링된후 공정챔버에서 웨이퍼 제조 공정에 이용된 후 진공펌프에 의하여 배기되도록 시스템 제어부에 의하여 동작이 제어되는 화학증착설비에 있어서, 상기 필터와 상기 공정챔버 사이에 제 1 밸브가 구성되고, 상기 제 1 밸브의 개폐가 상기 시스템 제어부의 제어신호에 의하여 수행되며, 상기 진공펌프의 동작 중지에 따른 전기적 신호가 상기 시스템 제어부를 통하여 상기 제 1 밸브에 인가되면 상기 제 1 밸브가 닫혀 배기가스의 역류가 방지되도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 진공펌프가 동작이 정지될 때 발생되는 배기가스의 역류현상을 차단하므로 불순물에 의한 필터의 오염을 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100181903B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950034556
申请日：1995-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 콘베이어 방식의 화학 기상 증착법에 관한 본 발명은 식각 세정부에서 콘베이어 벨트의 저면에 식각가스를 공급하는 플레이트의 세공에 가해지는 식각가스의 압력을 일정하게 유지시켜, 즉 플레이트에 공급되는 식각가스를 다수개의 식각가스 공급구를 통해 공급함으로써, 플레이트의 내압, 더 나아가서는 각 세공을 통해 콘베이어 벨트의 저면에 분사되는 식각가스의 압력이 일정하게 되어 콘베이어 벨트의 세정을 위한 식각이 고르게 이루어지는 것이다.
-
公开(公告)号：KR1019970053337A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950067564
申请日：1995-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조공정중 웨이퍼를 이송하는 이송장비의 세정장치에 관한 것으로 특히 벨트를 통한 웨이퍼 이송시 벨트의 오염물질을 제거하기 위한 세정가스를 공급하는 웨이퍼 이송벨트의 오염제거 시스템에 대한 것이다.
종래의 오염제거 시스템은 플래이트에 식각증기가 응축되 고인 식각액을 제거하기 위해서는 장비로부터 분리하여야 하기 때문에 이에따른 번거럼움과 시간적 손실 및 안전성에 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 웨이퍼를 챔버내부로 로딩시키기 위하여 사용되는 컨베어 이송장치에서 벨트에 증착된 막을 식각가스를 플래이트를 통하여 공급하여 제거하는 오염제거 시스템에 있어서, 식각액이 저정된 용기에 질소가스를 공급하는 라인을 연장하여 식각액 증기가 플래이트로 공급하는 증기공급라인과 연결하고 공급되는 질소가스를 가열하는 가열부와, 상기 질소의 공급과 증기의 공급을 조절하는 제어부로 구성하여 가열된 질소가스를 플래이트에 공급하여 고여 있는 식각액을 제거하도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970052826A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052893
申请日：1995-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 반도체기판 상에 형성된 SOG절연막이 내부응력으로 깨지는 것을 방지할 수 있는 린스공정이 포함된 SOG막을 이용한 층간절연막 형성방법이 개시되어 있다.
본 발명은 반도체기판 상의 하부층상에 SOG막을 형성한 후 린스공정을 수행하는 린스공정이 포함된 SOG막을 이용한 층간절연막 형성방법에 있어서, 상기 하부층상에 1차 SOG막을 도포한 후 상기 반도체기판의 가장자리에 대하여 1차 린스공정을 수행하는 단계 및 상기 1차 린스공정이 수행된 SOG막 상에 2차 SOG막을 도포한 후 상기 반도체기판의 가장자리에 대하여 상기 1차 린스공정이 수행된 SOG막 상에 2차 SOG막을 도포한 후 상기 반도체기판의 가장자리에 대하여 상기 1차 린스공정의 위치와 다른 곳에서 2차 린스공정을 수행하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서 1차 SOG막 형성 후의 1차 린스과정에서 형성된 산과 2차 SOG막 형성후의 2차 린스과정에서 형성되는 산이 겹치지 않아 SOG막이 자체의 내부응력으로 깨지지 않게 되어 반도체기판의 불량을 예방할 수 있다는 효과가 있다.
선택도 : 제2도-
公开(公告)号：KR1019970023657A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950034556
申请日：1995-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체의 콘베이어 방식 증착에 있어서 세정을 위한 식각 가스의 공급방법을 개선함으로써 벨트의 세정효율을 증대시킨 반도체 증착설비의 세정 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
본 발명의 콘베이어 방식 반도체 증착 공정의 콘베이어 벨트 세정방법 및 장치는 콘베이어 방식 반도체 증착공정의 콘베이어 벨트 세정방법 및 장치에 있어서, 식각 가스의 플레이트 저면으로의 최종 공급이 두 곳 이상에서 분산되어 공급되도록 상기 플레이트 저면의 식각 가스 공급구를 2개 이상 다수로 형성한 것을 특징으로 한다.
상기 식각 가스는 불화 수소(HF)로 하는 것이 바람직하며, 상기 식각 가스 공급구는 콘베이어 벨트의 단면 방향으로 대칭되게 설치하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면 식각 가스의 공급이 콘베이어 벨트의 전면(全面)에 걸쳐 고르게 이루어지므로 세정이 보다 효율적으로 되는 효과가 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.02 seconds)
