公开(公告)号：KR1020080020752A

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020060083993

申请日：2006-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 부재필 ,  강종묵 ,  김강인 ,  김익주 ,  성정환

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B55/02 ,  B24B55/04

Abstract: A chemical mechanical polishing apparatus is provided to prevent a polishing pad from overheating by using a platen over through which coolant circulates. A chemical mechanical polishing apparatus comprises a head assembly, a platen(700), a polishing pad(800), and a platen cover(300). The head assembly is configured to suck a semiconductor substrate and rotate. The platen is configured to support the semiconductor substrate, located in opposite to the head assembly. The polishing pad surrounds the outer surface of the platen contacting to the semiconductor substrate and polishes the surface of the semiconductor substrate. The platen cover is configured to cover the platen having the polishing pad and circulates coolant which prevents the polishing pad from overheating by cooling heat caused by friction between the polishing pad and the semiconductor substrate. The platen cover includes a middle cover or a platen protection cover. The middle cover surrounds the periphery of the platen cover. The platen protection cover surrounds the top of the platen.

Abstract translation: 提供化学机械抛光装置，以通过使用冷却剂循环的压板来防止抛光垫过热。 化学机械抛光装置包括头组件，压板（700），抛光垫（800）和压板盖（300）。 头部组件被配置为吸收半导体衬底并旋转。 压板被配置为支撑位于与头部组件相对的半导体衬底。 抛光垫围绕与半导体衬底接触的压板的外表面并抛光半导体衬底的表面。 压板盖构造成覆盖具有抛光垫的压板并循环冷却剂，其通过由抛光垫和半导体衬底之间的摩擦引起的散热而防止抛光垫过热。 压板盖包括中间盖或压板保护盖。 中间盖围绕压板盖的周边。 压板保护盖围绕压板的顶部。

公开(公告)号：KR1020090052981A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070119572

申请日：2007-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정준석 ,  부재필 ,  김강인

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B05B1/005 ,  B24B37/015

Abstract: 본 발명은 씨엠피의 클리닝 장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 씨엠피의 클리닝 장치는 회전 가능하게 구비되는 플래튼(10)의 상부에 장착되는 연마 패드(20)의 일측 상부에서 슬러리와 세정수를 분사하는 복수의 노즐(41)(42)을 구비하는 노즐 암(40)을 통하여 상기 연마 패드(20)에 잔류하는 슬러리와 연마 부산물을 제거하는 씨엠피 클리닝 장치에 있어서, 상기 노즐 암(40)에 연결되는 세정수 공급 라인(43)에는 초음파 진동 챔버(50)를 구비하고, 상기 초음파 진동 챔버(50)에는 반도체 공정 중 설비의 냉각에 사용되는 프로세스 냉각수(PCW)와 N2가스를 혼합하여 공급되도록 하며, 혼합된 프로세스 냉각수와 N2가스는 상기 초음파 진동 챔버(50)에서 초음파 진동을 가해 상기 연마 패드(20)에 분사하도록 하여 연마 패드(20)의 그루브(21)에 낀 슬러리를 효과적으로 � ��거할 수 있도록 하여 슬러리의 고형화와 그로 인한 웨이퍼 스크래치를 방지하는 동시에 연마 패드(20)와 웨이퍼(W)간 마찰에 의한 고온의 마찰열을 적절하게 냉각시킬 수 있도록 하는 것이다.
씨엠피, 폴리싱 헤드, 연마 패드, 세정

公开(公告)号：KR1020090012391A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：KR1020070076157

申请日：2007-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 경인성 ,  김익주 ,  부재필 ,  김강인

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67046

Abstract: A wafer cleaning equipment including the air-cylinder apparatus is provided to maximize the productivity by controlling the gap between a plurality of brushes. A plurality of cylinders(256) has the internal space. The air outlet(257) is formed in the internal space. The air supply portion supplies the air of the prescribed input through a plurality of air outlets. A plurality of pistons(258) is formed in order to be reciprocated in the linearity in a plurality of cylinder inner spaces. The gear(261) moves a plurality of pistons to the opposite direction between a plurality of cylinders. A plurality of blocks is combined with a plurality of pistons. The distance between a plurality of blocks is controlled by controlling the translation distance of a plurality of pistons.

Abstract translation: 提供包括气缸装置的晶片清洁设备，以通过控制多个电刷之间的间隙来最大化生产率。 多个气缸（256）具有内部空间。 空气出口（257）形成在内部空间中。 供气部分通过多个空气出口供应规定输入的空气。 多个活塞（258）形成为在多个气缸内部空间中以线性的方式往复运动。 齿轮261将多个活塞移动到多个气缸之间的相反方向。 多个块与多个活塞组合。 通过控制多个活塞的平移距离来控制多个块之间的距离。

公开(公告)号：KR1019990016402A

公开(公告)日：1999-03-05

申请号：KR1019970038932

申请日：1997-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김춘광 ,  김종삼 ,  김강인

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 웨이퍼를 감지하는 센서를 갖는 CMP 장비에 관한 것으로서, HCLU(Head Cap Loading Unloading)와 각 플래튼 사이의 크린너에 광센서를 장착함으로써, CMP장비의 폴리싱 공정 중 헤드의 고무판에 웨이퍼 유무를 감지 할 수 있게 된다. 그러므로 웨이퍼가 없는 상태에서 헤드가 플래튼에 접근하여 폴리싱이 진행될 때 발생되는 고무판의 찢어짐과, 각 플래튼의 패드들 오염을 방지할 수 있어 CMP 장비의 수명과 작업 효율을 높일 수 있게 되며, 부품들의 교체에 따른 경제적 손실을 방지할 수 있는 이점이 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020010020059A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990036745

申请日：1999-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강인 ,  양영민

IPC: B24D11/00

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B7/228 ,  H01L21/30625

Abstract: PURPOSE: A polishing pad for carrying out chemical and mechanical polishing is provided to resolve the ununiformity of slurry supply due to the radial movement of the slurry toward an edge part by the rotation of a platen when a chemical and mechanical polishing device is operating, thereby abrasing the surface of a wafer uniformly. CONSTITUTION: A polishing pad(220) for carrying out chemical and mechanical polishing is provided on a lower platen of a chemical and mechanical polishing device and formed with a plurality of coaxial circular grooves(225) on a top surface to be discretely arranged more closer toward a center part. The polishing pad is defined into three parts of a center part, an intermediate part, and an outer peripheral part according to the interval between the grooves, wherein first grooves(225a) formed in the center part are formed with an interval closer than second grooves(225b) formed in the intermediate part and the second grooves are formed with an interval closer than third grooves(225c) formed in the outer peripheral part, so that the intervals of the grooves are proportional to a radius of the polishing part.

Abstract translation: 目的：提供一种用于进行化学和机械抛光的抛光垫，用于通过在化学和机械抛光装置运行时由于压板的旋转而使浆料朝向边缘部分的径向移动而解决浆料供应的不均匀性，从而 磨损晶片的表面均匀。 构成：用于进行化学和机械抛光的抛光垫（220）设置在化学和机械抛光装置的下台板上，并在顶表面上形成有多个同轴的圆形槽（225），离散地布置得更接近 朝向中心部分。 抛光垫根据槽之间的间隔被定义为中心部分，中间部分和外周部分的三个部分，其中形成在中心部分的第一凹槽（225a）形成有比第二凹槽更近的间隔 形成在中间部分中的第二槽（225b）和第二槽形成为具有比形成在外周部分中的第三槽（225c）更近的间隔，使得槽的间隔与抛光部的半径成比例。

公开(公告)号：KR1020000013119A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980031796

申请日：1998-08-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강인

IPC: B01D33/70 ,  B01D35/00

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B24B57/02 ,  H01L21/67259

Abstract: PURPOSE: A slurry supply device is provided to detect the charged amount of the slurry in a slurry drum accurately and to be able to decide the replacement time of the slurry drum. CONSTITUTION: To the dip tube(16) dipped in the slurry drum(10) filled with slurry(24) a supply line(18) and a return line(22) are connected, the other ends of which are connected with a circulation pump(26). To the return line(22) in the rear stage of the circulation pump(26) the CMP processing part(28) is connected. A motor(12) is connected to the mixing shaft(14) to give a torque to mix the slurry(24) filled in the slurry drum(10) to prevent hardening of the slurry(24). An accessed sensor(21) is fixed on the side of the slurry drum(10) to sense the level of the slurry dropped as low as the point which may require the replacement of the slurry drum(10).

Abstract translation: 目的：提供浆料供应装置，以准确地检测浆料桶中的浆料的装入量，并能够决定浆料桶的更换时间。 构成：浸入装有浆料（24）的浆料桶（10）中的汲取管（16）连接有供应管线（18）和返回管线（22），其另一端与循环泵 （26）。 在循环泵（26）后段的返回管路（22）中连接有CMP处理部件（28）。 电动机（12）连接到混合轴（14）以提供扭矩以混合填充在浆料鼓（10）中的浆料（24），以防止浆料（24）的硬化。 被访问的传感器（21）固定在浆料滚筒（10）的侧面上，以便将浆料的水平下降到可能需要更换浆料鼓（10）的点。

公开(公告)号：KR1020000000949A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980020905

申请日：1998-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최찬영 ,  김강인

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A CMP(chemical mechanical polishing) apparatus is provided to enhance a polishing uniformity by making a retainer ring same as a wafer configuration. CONSTITUTION: The CMP apparatus comprises a polishing head(2). The polishing head(2) includes a wafer chuck(22) for holding a wafer(24); a retainer ring(36) for preventing a move of the wafer; and a polish housing(28) for applying a polishing pressure and holding the wafer chuck and the retainer ring(36), wherein the retainer ring further includes a flatzone(36a) same as the wafer configuration, thereby increasing the uniformity of the CMP.

Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）装置，通过使保持环与晶片构造相同来提高抛光均匀性。 构成：CMP装置包括抛光头（2）。 抛光头（2）包括用于保持晶片（24）的晶片卡盘（22）; 用于防止晶片移动的保持环（36）; 以及用于施加抛光压力并保持晶片卡盘和保持环（36）的抛光壳体（28），其中保持环还包括与晶片构造相同的平坦区域（36a），从而增加CMP的均匀性。

公开(公告)号：KR1020020087536A

公开(公告)日：2002-11-23

申请号：KR1020010026085

申请日：2001-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강인 ,  최봉

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A pad conditioner of polishing apparatus is provided to prevent ununiform abrasion of a polishing pad in wafer polishing process. CONSTITUTION: The polishing apparatus comprises a polishing pad(16), a polishing platen(20), a polishing head(10), a monitor for rotating the polishing head, a pad conditioner head(24) and a conditioner pad(22) for conditioning the polishing pad, a laser sensor(28) for measuring a distance of a polishing pad, and a control part(30) for detecting flatness and uniformity of the polishing pad.

Abstract translation: 目的：提供抛光装置的衬垫调节器，以防止抛光垫在晶片抛光过程中的不均匀磨损。 构成：抛光装置包括抛光垫（16），研磨台板（20），抛光头（10），用于旋转抛光头的监视器，垫调节头（24）和调节垫（22），用于 调整抛光垫，用于测量抛光垫的距离的激光传感器（28）和用于检测抛光垫的平整度和均匀性的控制部件（30）。

公开(公告)号：KR1020000026570A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980044162

申请日：1998-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김강인

IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304 ,  B24B55/00

Abstract: PURPOSE: A device for cleansing a wafer holder is provided to remove slurries from the wafer holder and to drain the removed slurries. CONSTITUTION: A device removes slurries attached to the surface of a wafer holder(108) using a wafer(102) and a deionized(D.I) water supplier(106). The wafer forms a drain hole on the center and contains a drain tube(103) connected to the drain hole and a valve(104) opening and closing the drain tube. Therefore, the device drains the cleansed slurries through the D.I water supplier and the drain tube and prevents the slurries from reattaching in order to prevent the wafer from scratching and generating a particle, caused by the reattaching slurries.

Abstract translation: 目的：提供用于清洁晶片保持器的装置，以从晶片保持器上除去浆液并排出所移除的浆料。 构成：装置使用晶片（102）和去离子水（D.I）供水器（106）去除附着在晶片保持器（108）的表面上的浆料。 晶片在中心形成排水孔，并包含连接到排水孔的排水管（103）和打开和关闭排水管的阀（104）。 因此，该装置通过D.I供水器和排水管排出清洁的浆料，并防止浆料重新附着，以防止晶片刮擦并产生由重新附着浆料引起的颗粒。

公开(公告)号：KR1019980077890A

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019970015215

申请日：1997-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍성현 ,  김강인 ,  이영복

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 CMP(Chemical - Mechanical Polishing)설비로 공급되는 탈이온수의 공급압력을 조절하는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 관한 것이다.
본 발명은, 일정압으로 탈이온수를 방출하는 탈이온수공급장치와 상기 탈이온수공급장치와 연결되는 주공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 폴리셔와 연결되는 제 1 공급라인과 상기 주공급라인에서 분기되고, 클리너와 연결되는 제 2 공급라인이 구비되는 반도체 CMP설비의 탈이온수 공급장치에 있어서, 상기 주공급라인 상에 상기 폴리셔 및 클리너로 공급되는 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 한다.
따라서, 탈이온수공급원에서 방출되는 탈이온수는, CMP공정 진행을 위한 약 4 Kg/㎠ 정도로 조절된 후, 클리너 및 폴리셔로 공급됨으로 인해서 CMP공정의 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.