公开(公告)号：KR102216542B1

公开(公告)日：2021-02-17

申请号：KR1020140061167

申请日：2014-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민섭 ,  유원종 ,  곡덕순 ,  라창호 ,  유효지 ,  이승환 ,  이지아

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/761 ,  H01L21/31

Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자제조방법은기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는단계및 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계를포함하고, 상기 N형영역과상기 P형영역은동일한두께로형성한다. 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계는상기 2차원물질층상에이격된제1 및제2 전극을형성하는단계및 상기제1 및제2 전극사이의상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계를포함한다. 상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계는상기 2차원물질층의상기 N형영역에대응하는영역을마스크층으로덮는단계및 상기 2차원물질층의상기 P형영역에대응하는영역을졸-겔층으로덮는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150134166A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：KR1020140061167

申请日：2014-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민섭 ,  유원종 ,  곡덕순 ,  라창호 ,  유효지 ,  이승환 ,  이지아

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/761 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/032 ,  H01L31/054 ,  Y02E10/52

Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는 P형영역과 N형영역을포함하는 TMDC층(반도체특성을나타내는 2차원물질)을기판상에구비하고, 상기 TMDC층의상기 P형영역상에는광전효율을높이는미립자가분포되어있다. 개시된전자소자의제조방법은기판상에절연막을형성하는과정과, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는과정과, 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는과정을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种电子设备，其包括使用二维材料的水平二极管及其制造方法。 所公开的电子器件具有在基板上包括p型区域和n型区域的TMDC层（表示半导体特性的二维材料），并且增加光电效率的粒子分布在TMDC的p型区域中 层。 所公开的电子器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层; 在绝缘层上形成二维材料层; 并将二维材料层分成n型区域和p型区域。