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1.发明专利
公开(公告)号：KR102232755B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020150049075A
申请日：2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/772 , H01L27/04 , H01L29/78681 , C01B19/04 , H01L21/467 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/0665 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/24 , H01L29/66409 , H01L29/66477 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/78687 , H01L29/78696
Abstract: 2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 전자소자는 밴드갭을 갖는 2차원 물질층을 포함할 수 있다. 여기서, 2차원 물질층은 2개의 다층 2차원 물질 영역과 그 사이에 배치된 채널 영역을 포함할 수 있다. 전자소자의 전극은 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160120057A
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020150049075
申请日：2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/78681 , H01L21/467 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778 , H01L29/78696
Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.
Abstract translation: 电子设备包括具有带隙的2D材料层。 2D材料层包括两个多层2D材料区域和它们之间的沟道区域。 第一电极电接触所述多层2D材料区域中的一个，并且第二电极与所述多层2D材料区域中的另一个电接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102100415B1
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：KR1020130083154
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：KR1020150008770A
公开(公告)日：2015-01-23
申请号：KR1020130083154
申请日：2013-07-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/6603 , H01L29/7311 , H01L29/7376 , H01L29/88 , H01L29/66931 , H01L29/66712 , H01L29/7802
Abstract: 터널링 소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 터널링 소자는 제1도전형의 2차원 물질을 포함하는 제1물질층과 제2도전형의 2차원 물질을 포함하는 제2물질층 사이에 터널 배리어층을 포함할 수 있다. 상기 제1물질층은 P형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 상기 제2물질층은 N형 도펀트로 도핑된 그래핀을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1물질층의 일함수는 5.0∼5.9 eV 정도일 수 있고, 상기 제2물질층의 일함수는 3.2∼4.0 eV 정도일 수 있다. 상기 터널 배리어층은 2차원 물질을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种隧道装置及其制造方法。 所公开的隧穿装置可以包括在包括第一导电类型2D材料的第一材料层和包括第二导电类型2D材料的第二材料之间的隧道势垒层。 第一材料层可以包括掺杂有p型掺杂剂的石墨烯。 第二材料层可以包括掺杂有N型掺杂剂的石墨烯。 在这种情况下，第一材料层的功函数可以为5.0-5.9eV。 第二材料层的功函数可以是3.2-4.0eV。 隧道势垒层可以包括2D材料。
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公开(公告)号：KR102232755B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020150049075
申请日：2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.
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公开(公告)号：KR102216542B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자제조방법은기판상에절연막을형성하는단계, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는단계및 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계를포함하고, 상기 N형영역과상기 P형영역은동일한두께로형성한다. 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는단계는상기 2차원물질층상에이격된제1 및제2 전극을형성하는단계및 상기제1 및제2 전극사이의상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계를포함한다. 상기 2차원물질층의일부를상기 P형영역으로변화시키는단계는상기 2차원물질층의상기 N형영역에대응하는영역을마스크층으로덮는단계및 상기 2차원물질층의상기 P형영역에대응하는영역을졸-겔층으로덮는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150134166A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020140061167
申请日：2014-05-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/861 , H01L29/8605 , H01L21/761 , H01L21/31
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/054 , Y02E10/52
Abstract: 2차원물질을이용한수평형다이오드를포함하는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는 P형영역과 N형영역을포함하는 TMDC층(반도체특성을나타내는 2차원물질)을기판상에구비하고, 상기 TMDC층의상기 P형영역상에는광전효율을높이는미립자가분포되어있다. 개시된전자소자의제조방법은기판상에절연막을형성하는과정과, 상기절연막상에 2차원물질층을형성하는과정과, 상기 2차원물질층을 N형영역과 P형영역으로구분하는과정을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种电子设备，其包括使用二维材料的水平二极管及其制造方法。 所公开的电子器件具有在基板上包括p型区域和n型区域的TMDC层（表示半导体特性的二维材料），并且增加光电效率的粒子分布在TMDC的p型区域中 层。 所公开的电子器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层; 在绝缘层上形成二维材料层; 并将二维材料层分成n型区域和p型区域。
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