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公开(公告)号：WO2012099385A2
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/KR2012/000417
申请日：2012-01-18
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B32B37/025 , B82B3/0047 , B82B3/0076 , Y10T156/1153
Abstract: 본원은 열 박리성 시트가 부착된 그래핀과 목적 기판을 접촉시키는 단계; 핫프레스의 상부 프레스 및 하부 프레스를 이용하여 상기 열 박리성 시트가 부착된 그래핀과 상기 목적 기판을 가압 및 가열함으로써, 상기 열 박리성 시트와 상기 그래핀을 분리함과 동시에 상기 분리된 그래핀을 상기 목적 기판 상으로 전사하는 단계를 포함하는, 핫프레스를 이용한 그래핀의 전사 방법 및 상기 전사 공정을 위한 그래핀 전사용 핫프레스 장치를 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：使目标衬底与石墨烯接触，所述石墨烯具有热膨胀系数， 通过使用热压机的上部压机和下部压机用加热剥离片和目标基板加压和加热石墨烯从石墨烯分离可热分离片， 提供了一种使用热压机输送石墨烯的方法和一种用于输送石墨烯以输送石墨烯的热压装置。
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公开(公告)号：KR101501599B1
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020080105556
申请日：2008-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/196 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507
Abstract: 탄소화 촉매 상에 형성된 그라펜 시트로부터 상기 탄소화 촉매를 제거하되, 상기 탄소화 촉매를 산화시킬 수 있는 산화제인 염 용액을 이용하여 상기 탄소화 촉매를 제거한다. 나아가, 이와 같이 탄소화 촉매가 제거된 그라펜 시트를 기판 또는 소자의 소정 위치에 전사한다. 이와 같은 방법에 의하여 그라펜 시트로부터 탄소화 촉매를 제거하면, 탄소화 촉매 제거 과정에서 발생할 수 있는 그라펜 시트의 손상을 방지 또는 억제할 수 있다.
그라펜 시트, 탄소화 촉매, 염 용액, 전사, 소수성 필름, 소수성 기판-
公开(公告)号：KR1020100046633A
公开(公告)日：2010-05-07
申请号：KR1020080105556
申请日：2008-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/196 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507
Abstract: PURPOSE: A method for removing a carbonization catalyst from a graphene sheet and a transfer method of the graphene sheet using the same are provided to restrict or prevent damages of the graphene sheet when the carbonization catalyst is removed from the graphene sheet. CONSTITUTION: A method for removing a carbonization catalyst from a graphene sheet includes a step for removing the carbonization catalyst by suing a salt solution used as an oxidizer to oxidize the carbonization catalyst. The salt solution is a neutral or a basic salt solution. The salt solution is FeCl3, KMnO4, KClO3, KMnO3, K2CrO4 or K2Cr2O7. The carbonization catalyst is Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V or Zr.
Abstract translation: 目的：提供从石墨烯片除去碳化催化剂的方法和使用其的石墨烯片的转移方法，以限制或防止当碳化催化剂从石墨烯片上除去时石墨烯片的损伤。 构成：从石墨烯片除去碳化催化剂的方法包括通过起作用作氧化剂的盐溶液来氧化碳化催化剂来除去碳化催化剂的步骤。 盐溶液是中性或碱性盐溶液。 盐溶液为FeCl3，KMnO4，KClO3，KMnO3，K2CrO4或K2Cr2O7。 碳化催化剂为Ni，Co，Fe，Pt，Au，Al，Cr，Cu，Mg，Mn，Mo，Rh，Si，Ta，Ti，W，U，V或Zr。
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公开(公告)号：KR100748355B1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：KR1020050133290
申请日：2005-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른, 재료 합성 및 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착 장치는 기판 상에 원하는 재료층을 합성하기 위한 제 1 반응로; 도핑 공정을 수행하기 위한 제 2 반응로; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로로부터 폐쇄 또는 개방시키기 위한 게이트 밸브를 포함하며 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 연결시키는 연결부; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 중 적어도 하나에 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부; 및 상기 제 2 반응로에 도핑 가스를 공급하기 위한 도핑 가스 공급부; 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부; 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부를 포함하며, 상기 게이트 밸브는, 상기 제 1 반응로에서의 재료 합성 및 상기 제 2 반응로에서의 도핑 중에는 상기 제 1 반응로와 상기 제 2 반응로를 서로 폐쇄시키며 상기 기판을 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 사이에서 이동시키는 경우에는 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로 개방시킨다.
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公开(公告)号：KR1020070070591A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050133290
申请日：2005-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A dual zone thermal chemical vapor deposition apparatus capable of doping the synthesized nano-materials without exposing the nano-materials to the air after synthesizing nano-materials, and a method for thermal chemical vapor deposition of wanted materials, particularly nano-materials, and in situ doping of the synthesized nano-materials without exposing the nano-materials to the outside by using the apparatus are provided. A dual zone thermal chemical vapor deposition apparatus(1) for performing synthesis and in situ doping of materials comprises: a first reactor(2) for synthesizing a material layer on a substrate; a second reactor(3) for conducting a doping process; a connecting part(4) which includes a gate valve(5) for opening or closing the first and second reactors and connects the first and second reactors; a reaction gas supply part(7) for supplying a reaction gas into at least one of the first and second reactors; a doping gas supply part(8) for supplying a doping gas into the second reactor; a first heating means(10), and a first temperature control part(9); and a second heating means(12), and a second temperature control part(11), wherein the gate valve is closed during a material synthesizing process in the first reactor and a doping process in the second reactor such that the first and second reactors are cut off from each other, and the gate valve is opened such that the first and second reactors are connected to each other when the substrate is moved between the first and second reactors.
Abstract translation: 一种双区热化学气相沉积装置，其能够在合成纳米材料之后掺杂合成的纳米材料而不将纳米材料暴露于空气，以及用于所需材料，特别是纳米材料的热化学气相沉积的方法，以及 提供了通过使用该装置不将纳米材料暴露于外部的合成纳米材料的原位掺杂。 一种用于进行材料合成和原位掺杂的双区热化学气相沉积装置（1）包括：用于在衬底上合成材料层的第一反应器（2） 用于进行掺杂过程的第二反应器（3）; 连接部分（4），其包括用于打开或关闭第一和第二反应器并连接第一和第二反应器的闸阀（5） 用于将反应气体供应到第一和第二反应器中的至少一个的反应气体供应部分（7） 用于向第二反应器供应掺杂气体的掺杂气体供应部分（8）; 第一加热装置（10）和第一温度控制部分（9）; 和第二加热装置（12）和第二温度控制部分（11），其中在第一反应器中的材料合成过程期间关闭闸阀，并且在第二反应器中进行掺杂过程，使得第一和第二反应器 彼此切断，并且打开闸阀，使得当基板在第一和第二反应器之间移动时，第一和第二反应器彼此连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110083546A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020110003275
申请日：2011-01-12
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B31/0438 , B32B5/145 , B32B2457/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C01B32/186 , C01B32/19 , C01B2204/04 , Y10T428/24446
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a graphene sheet, the graphene sheet, and an element using the same are provided to maintain the performance of the graphene sheet regardless of the shape deformation of the element. CONSTITUTION: A graphene growing support includes carbonating catalyst. Carbon source and heat are applied to the support to grow a graphene sheet on the support. Either of the support and the graphene sheet is cooled to form corrugation on the graphene sheet. Either of the height or the width of the graphene sheet is controlled by varying the thickness of the graphene sheet during the graphene sheet growing process.
Abstract translation: 目的：提供用于制造石墨烯片，石墨烯片和使用其的元件的方法，以保持石墨烯片的性能，而与元件的形状变形无关。 构成：石墨烯生长支持体包括碳酸化催化剂。 将碳源和热施加到支撑件上以在支撑件上生长石墨烯片。 支撑体和石墨烯片之一被冷却以在石墨烯片上形成波纹。 通过在石墨烯片生长过程中改变石墨烯片的厚度来控制石墨烯片的高度或宽度。
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公开(公告)号：KR102199786B1
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：KR1020130101507
申请日：2013-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/0481 , G06F3/14
Abstract: 다양한실시예들에따르면, 전자장치에서정보를획득하는방법은, 디스플레이영역에, 콘텐트를표현하는하나또는그 이상의표현객체를표시하는동작, 사용자입력에기반하여, 상기디스플레이영역의적어도일부인선택영역을결정하는동작, 상기적어도하나의표현객체중에서상기선택영역에적어도일부가대응하는표현객체를, 상기사용자입력에대응하는클립객체로서탐지하는동작, 및상기클립객체에대응하는콘텐트를인식하는동작을포함할수 있다. 다른실시예들이가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160008365A
公开(公告)日：2016-01-22
申请号：KR1020140088454
申请日：2014-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 저장매체, 메모리시스템및 메모리시스템에서의저장영역관리방법에관하여개시한다. 메모리시스템에서의저장영역관리방법은메모리장치의제1저장영역에포함된물리적주소에업데이트빈도에기초하여분류된핫 데이터또는상기핫 데이터보다업데이트빈도가낮은콜드데이터중에서상기핫 데이터의논리적주소가매핑되도록라이트요청된데이터의논리적어드레스를물리적어드레스로변환하는단계및 상기라이트요청된데이터를상기메모리장치의변환된물리적어드레스에라이트하는단계를포함하고, 상기메모리장치의블록단위의저장영역을시간의경과에따른챠지손실에기초하여상기제1저장영역및 제2저장영역으로분할하고, 상기제1저장영역은상기제2저장영역에비하여시간의경과에따른챠지손실이큰 저장영역으로결정되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了存储介质，存储器系统和用于管理存储器系统中的存储区域的方法。 用于管理存储器系统中的存储区域的方法包括以下步骤：将请求写入的数据的逻辑地址转换成物理地址以映射热数据的逻辑地址，从热数据和冷数据 更新频率低于热存储装置中的第一存储区域中包含的物理地址中的更新频率的热数据的更新频率; 以及将被请求写入的数据写入存储器件的转换的物理地址。 基于随时间的电荷损失，存储器件的块单元中的存储区域被划分为第一存储区域和第二存储区域。 与第二存储区域相比，第一存储区域被确定为具有随时间的损耗大的存储区域。
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公开(公告)号：KR100714865B1
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020060052373
申请日：2006-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B20/18
Abstract: 리드 채널 최적화 수행 방법이 개시된다. 상기 리드 채널 최적화 수행 방법은 입력 신호의 품질을 나타내는 유효 비트 에러 율로부터 구한 유효 전체 비트 수에 따라 포함된 테스트 단계들의 수가 서로 다른 다수의 리드 채널 최적화 스크립트들을 구비한다. 따라서 입력 신호의 품질에 따라 서로 다른 리드 채널 최적화 스크립트를 선택하고, 루프 카운트 수도 상기 유효 전체 비트 수로부터 계산하여 적절하게 조정한다. 그러므로, 상기 리드 채널 최적화 수행 방법은 수행 시간을 단축시키면서도 최적화된 채널 파라미터를 얻을 수 있다.
리드 채널 최적화, 비트 에러 율(BER), 리드 채널 최적화 스크립트, 루프 카운트, 유효 전체 비트 수Abstract translation: 公开了执行引导通道优化的方法。 根据从指示输入信号的质量的有效误比特率获得的有效全位的数量，导引信道优化执行方法包括具有不同数目的测试步骤的多个导引信道优化脚本。 因此，根据输入信号的质量来选择不同的读通道优化脚本，并且通过从有效总位数计算来适当地调整循环计数。 因此，导联信道优化执行方法可以在缩短执行时间的同时获得优化的信道参数。
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公开(公告)号：KR1019980067357A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970003340
申请日：1997-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김근수
IPC: H04B5/04
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 TNPP프로토콜을 이용한 기지국 접속방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
페이징 시스템과 기지국 제어장치를 분리하여 다양한 종류의 기지국 제어장치를 접속할 수 있도록 한다.
다. 발명의 해결방법의 요지
페이징 시스템과 기지국 제어장치간에 상기 TNPP프로토콜을 이용하여 접속되도록 하여 페이징 서비스를 수행한다.
라. 발명의 중요한 용도
페이징 시스템에 적용한다.
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