公开(公告)号：KR102232755B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020150049075A

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 라창호 ,  유원종 ,  파이살 아흐메드 ,  양정 ,  유효지 ,  박성준 ,  이재호

IPC: H01L27/04 ,  C01B19/04

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78681 ,  C01B19/04 ,  H01L21/467 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 전자소자는 밴드갭을 갖는 2차원 물질층을 포함할 수 있다. 여기서, 2차원 물질층은 2개의 다층 2차원 물질 영역과 그 사이에 배치된 채널 영역을 포함할 수 있다. 전자소자의 전극은 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉할 수 있다.

公开(公告)号：KR102232755B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020150049075

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 라창호 ,  유원종 ,  아흐메드파이살 ,  양정 ,  유효지 ,  박성준 ,  이재호

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160120057A

公开(公告)日：2016-10-17

申请号：KR1020150049075

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 라창호 ,  유원종 ,  아흐메드파이살 ,  양정 ,  유효지 ,  박성준 ,  이재호

IPC: H01L27/04 ,  C01B19/04

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/467 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78696

Abstract: 2차원물질을이용한전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는밴드갭을갖는 2차원물질층을포함할수 있다. 여기서, 2차원물질층은 2개의다층 2차원물질영역과그 사이에배치된채널영역을포함할수 있다. 전자소자의전극은다층 2차원물질영역에전기적으로접촉할수 있다.

Abstract translation: 电子设备包括具有带隙的2D材料层。 2D材料层包括两个多层2D材料区域和它们之间的沟道区域。 第一电极电接触所述多层2D材料区域中的一个，并且第二电极与所述多层2D材料区域中的另一个电接触。