애플리케이션의 보안 취약성 평가기기 및 그 평가방법
    1.
    发明公开
    애플리케이션의 보안 취약성 평가기기 및 그 평가방법 审中-实审
    应用程序安全漏洞评估工具和评估方法

    公开(公告)号:KR1020170086926A

    公开(公告)日:2017-07-27

    申请号:KR1020160006571

    申请日:2016-01-19

    Abstract: 본발명은애플리케이션의정량적수치를제공해줌으로써보안취약성에대한객관적인데이터를제공하는애플리케이션의보안취약성평가기기및 그평가방법이제공된다. 본발명의애플리케이션의보안취약성평가방법은, 평가대상인애플리케이션에사용되는적어도하나의 API (APPLICATION PROGRAMING INTERFACE)를결정하는단계와; 상기결정된API의특성정보에기초하여상기 API 에대한배타적정보에의접근정도를결정하는단계와; 상기결정된API의배타적정보에의접근정도에기초하여상기애플리케이션의보안취약성을평가하는단계를포함하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种安全漏洞评估装置及其评估方法,用于通过提供应用程序的量化值来提供关于安全漏洞的客观数据。 本发明应用的安全漏洞评估方法包括:确定待评估应用中使用的至少一个应用编程接口(API) 基于确定的API的属性信息来确定对API的独占信息的访问程度; 并根据所确定的对API专有信息的访问程度来评估应用程序的安全漏洞。

    광 근접 보정에서 공통의 바이어스 값을 이용하여 마스크를 제작하는 방법
    4.
    发明公开
    광 근접 보정에서 공통의 바이어스 값을 이용하여 마스크를 제작하는 방법 审中-实审
    在光学近似校正中使用常用偏差值生产掩模的方法

    公开(公告)号:KR1020160132167A

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:KR1020150063194

    申请日:2015-05-06

    Inventor: 정문규 전소랑

    Abstract: 본발명의마스크제작방법은설계레이아웃의윤곽을복수의세그먼트로분할하는단계, 각각이세그먼트들각각에대응하는조사지점을기준으로형성되는비교영역들을설정하는단계, 비교영역들각각과설계레이아웃이중첩되는면적을산출하는단계, 산출된면적에기초하여동일한중첩면적의특성을갖는세그먼트들이복수의그룹중 하나에함께포함되도록세그먼트들을복수의그룹으로분류하는단계, 세그먼트들에각각대응하는바이어스값들을산출하는단계, 그룹들각각에포함되는세그먼트들에각각대응하는바이어스값들에기초하여그룹들에각각대응하는대표바이어스값들을획득하는단계, 세그먼트들각각이포함되는그룹에대응하는대표바이어스값을세그먼트들각각에할당하는단계, 대표바이어스값들을할당한세그먼트들에기초하여설계레이아웃을갱신하는단계, 및갱신된설계레이아웃에기초하여마스크를제작하는단계를포함한다. 본발명에따르면, 광근접보정이좀 더효율적이고균일하게수행된다.

    Abstract translation: 一种掩模制造方法,包括将设计布局的轮廓划分为多个段,针对每个段设置与每个段对应的评估点的比较区域,计算设计布局与每个比较区域之间的重叠区域, 基于所计算的重叠区域将段划分成组,其中具有相同重叠区域的特征的段包括在第一组中,为每个组计算每个段的偏差值,为每个组获得代表性的偏置值 将为该组获得的代表性偏差值分配给其每个段,基于具有其分配的代表偏置值的段来更新设计布局,以及基于更新的设计布局制造掩模。

    마스크 레이아웃의 래스터화 방법 및 이를 이용한 포토 마스크의 제조방법
    5.
    发明公开
    마스크 레이아웃의 래스터화 방법 및 이를 이용한 포토 마스크의 제조방법 审中-实审
    光罩布局的光栅化方法及使用其的光罩制造方法

    公开(公告)号:KR1020170113801A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:KR1020160036205

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 포토마스크의제조를위한마스크레이아웃의래스터화방법이제공된다. 상기방법은컴퓨터의이미지변환부를구동하여, 마스크레이아웃의래스터이미지를획득하는것을포함한다. 상기래스터이미지를획득하는것은그리드상에상기마스크레이아웃으로부터획득된다각형패턴을제공하는것, 상기다각형패턴의일 변(an edge)을둘러싸는그리드포인트들을획득하는것, 상기다각형패턴상에상기변의양 끝점으로부터이에인접하는변들(edges)로연장되는경로(path)를설정하는것, 및상기그리드포인트들의각각에래스터값(rasterized value)을할당하는것을포함한다. 상기래스터값은상기그리드포인트들의각각을그 중심점으로하는픽셀과상기경로에의해한정된상기다각형패턴의중첩면적이다.

    Abstract translation: 提供了用于制造光掩模的光罩布局的光栅化方法。 该方法包括驱动计算机的图像转换器以获得掩模版图的光栅图像。 其中,获取栅格图像包括:在网格上提供从掩模版图获得的多边形图案;获得围绕多边形图案的边缘的网格点; 设置从网格点延伸到网格点的相邻边的路径,并将栅格化值分配给每个网格点。 栅格值是像素与每个网格点作为其中心点的重叠区域,以及由路径定义的多边形模式。

    균일한 광 근접 효과 보정을 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
    6.
    发明授权
    균일한 광 근접 효과 보정을 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 有权
    使用统一的光学邻近校正制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR101686552B1

    公开(公告)日:2016-12-29

    申请号:KR1020100036841

    申请日:2010-04-21

    CPC classification number: G06F17/5081 G06F2217/12 Y02P90/265

    Abstract: 균일한광 근접효과보정을이용하는반도체소자의제조방법을개시한다. 본발명에서는설계패턴레이아웃을반복패턴부분및 비반복패턴부분으로구분한다. 반복패턴부분의일부인추출부분에서 OPC 바이어스를구하여추출부분에서제1 보정레이아웃을형성한다. 반복패턴부분중 추출부분을제외한다른부분에대하여추출부분의 OPC 바이어스를동일하게적용하여상기추출부분에서의제1 보정레이아웃과동일한보정레이아웃을형성한다. 반복패턴부분의모든영역에서제1 보정레이아웃에의거하여포토마스크를형성한다.

    Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括将设计图案布局划分为重复图案部分和非重复图案部分,从提取部分获得光学邻近校正(OPC)偏压,提取部分是重复的部分部分 将从所提取的部分获得的OPC偏差平均地应用于提取部分和重复图案部分的其他部分,以便形成第一校正布局,其中其他部分的校正布局与提取部分的校正布局相同 并且根据第一校正布局在重复图案部分的所有部分中形成光掩模。

    자기 정렬 더블 패터닝 공정을 이용하여 반도체 소자의 패턴을 형성하는 방법
    7.
    发明公开
    자기 정렬 더블 패터닝 공정을 이용하여 반도체 소자의 패턴을 형성하는 방법 审中-实审
    使用自对准双向绘图工艺制作半导体器件图案的方法

    公开(公告)号:KR1020150083398A

    公开(公告)日:2015-07-17

    申请号:KR1020140003073

    申请日:2014-01-09

    Inventor: 정문규

    Abstract: 제1 디자인패턴, 제2 디자인패턴, 및상기제1 디자인패턴과상기제2 디자인패턴의사이에배치된제3 디자인패턴을갖는초기레이아웃을준비하고, 상기초기레이아웃으로부터상기제1 디자인패턴을포함하는제1 서브레이아웃및 상기제2 디자인패턴을포함하는제2 서브레이아웃을추출하고, 상기제1 서브레이아웃의상기제1 디자인패턴을변형하여제1 변형된디자인패턴을포함하는제1 변형된서브레이아웃을형성하고, 상기제1 변형된서브레이아웃및 상기제2 서브레이아웃을포함하는변형된레이아웃을생성하고, 및상기변형된레이아웃을이용하여더블패터닝공정을수행하는것을포함하는반도체소자의패턴을형성하는방법이설명된다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用自对准双重图案形成工艺形成半导体器件的图案的方法,包括:准备具有第一和第二设计图案的初始布局,以及布置在第一和第二设计图案之间的第三设计图案 第二设计模式; 从初始布局提取包括第一设计图案和包括第二设计图案的第二子布局的第一子布局; 通过变换第一子布局的第一设计图案来形成包括第一变换设计图案的第一变换子布局; 形成包括所述第一变换子布局和所述第二子布局的变换布局; 并使用变换的布局进行双重图案化。

    광근접보정 모델링 방법 및 시스템
    9.
    发明公开
    광근접보정 모델링 방법 및 시스템 审中-实审
    光临近度校正建模方法与系统

    公开(公告)号:KR1020140030007A

    公开(公告)日:2014-03-11

    申请号:KR1020120128939

    申请日:2012-11-14

    Inventor: 정문규

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F1/36 G03F7/2016

    Abstract: Provided is an optical proximity correction modeling method and a system for the same. The purpose of the optical proximity correction modeling method is to estimate a topography effect using a pattern stack structure including a first matter pattern, a second matter pattern, and a boundary area of the first and second matter patterns. The present invention includes a step of generating a first area filter corresponding to the first matter pattern, a second area filter corresponding to the second matter pattern, and an edge function corresponding to the boundary area; a step of generating a bulk image signal from a layout using the first area filter and the second area filter; a step of generating the edge image signal from the layout using the edge function, the first area filter, the second area filter, and a property kernel to which the properties of the boundary area are applied; and a step of generating a final model signal using the bulk image signal and the edge image signal. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S310) Generating an area filter and an edge function; (S320) Generating a bulk image signal; (S330) Generating an edge image signal; (S340) Generating a final model signal

    Abstract translation: 提供了一种光学邻近校正建模方法及其系统。 光学邻近校正建模方法的目的是使用包括第一物质图案,第二物质图案和第一和第二物质图案的边界区域的图案堆叠结构来估计地形效应。 本发明包括产生对应于第一物质图案的第一区域滤波器,对应于第二物质图案的第二区域滤波器和对应于边界区域的边缘功能的步骤; 使用第一区域滤波器和第二区域滤波器从布局生成体积图像信号的步骤; 使用边缘函数从布局生成边缘图像信号的步骤,第一区域滤波器,第二区域滤波器以及应用了边界区域的属性的属性内核; 以及使用体积图像信号和边缘图像信号产生最终模型信号的步骤。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S310)生成区域滤波器和边缘功能; (S320)生成批量图像信号; (S330)生成边缘图像信号; (S340)生成最终模型信号

    포토마스크 레이아웃 형성 방법
    10.
    发明公开
    포토마스크 레이아웃 형성 방법 无效
    形成光电布局的方法

    公开(公告)号:KR1020130008662A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:KR1020110018013

    申请日:2011-02-28

    CPC classification number: G03F1/36 G03F1/70 G06F17/5081 G03F1/00 H01L21/027

    Abstract: PURPOSE: A forming method of a photomask layout is provided to easily form a photomask layout without increase of a simulation time by having an optical proximity correction capable of compensating for three dimensional effects. CONSTITUTION: A forming method of a photomask layout comprises: a step of accepting layout about mask pattern through a simulation; a step of determining an image parameter of a two-dimensional mask about the layout; a step of obtaining an image parameter of a three-dimensional mask about the layout through a simulation; and a step of obtaining the difference of the two-dimensional and three-dimensional image parameters; and a step of conducting an optical proximity correction about the two-dimensional mask by compensating for the difference of the image parameters. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S21) Accepting a layout; (S22) Determining the image parameter of a two-dimensional mask through a simulation; (S23) Determining the image parameter of a three-dimensional mask through a simulation; (S24) Obtaining the difference of the image parameters of the two-dimensional and three-dimensional masks; (S25) Conducting optical proximity correction by compensating for the difference of the image parameters of the two-dimensional and three-dimensional masks

    Abstract translation: 目的:通过具有能够补偿三维效果的光学邻近校正,提供光掩模布局的形成方法以容易地形成光掩模布局而不增加模拟时间。 构成:光掩模布局的形成方法包括:通过模拟接受关于掩模图案的布局的步骤; 确定关于所述布局的二维掩模的图像参数的步骤; 通过模拟获得关于所述布局的三维掩模的图像参数的步骤; 以及获得二维和三维图像参数的差异的步骤; 以及通过补偿图像参数的差异来进行关于二维掩模的光学邻近校正的步骤。 (附图标记)(AA)开始; (BB)结束; (S21)接受布局; (S22)通过模拟确定二维掩模的图像参数; (S23)通过仿真确定三维掩模的图像参数; (S24)获取二维和三维掩模的图像参数的差异; (S25)通过补偿二维和三维掩模的图像参数的差异来进行光学邻近校正

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