公开(公告)号：KR1020050025903A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020040070113

申请日：2004-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 박익모 ,  정종호 ,  문영민 ,  이성수

IPC: H01Q9/30

CPC classification number: H01Q9/36 ,  H01Q9/0414 ,  H01Q9/0421 ,  H01Q9/0457 ,  H01Q9/27 ,  H01Q9/30 ,  H01Q9/42 ,  H01Q11/08

Abstract: An electromagnetically coupled power supplying small wideband monopole antenna is provided to adjust a resonance frequency by varying inductance and capacitance of a series/parallel resonance circuit. A monopole antenna supplies power by electromagnetically couple a strip line probe(14) with a predetermined length and a short-circuited patch(10). A series resonance occurred in the strip line(12) and a parallel resonance generated by coupling the short-circuited patch(10) by the strip line(12) are coupled to widen a frequency bandwidth. The predetermined length lies in a range between 0.24lambda and 0.26 lambda and preferably 0.25lambda, where the lambda is a wavelength in a free space. The shape of the strip line probe(14) is either spiral, helix, or a folded one.

Abstract translation: 提供电磁耦合供电小宽带单极天线，通过改变串联/并联谐振电路的电感和电容来调节谐振频率。 单极天线通过电磁耦合具有预定长度的带状线探针（14）和短路补片（10）来供电。 在带状线（12）中发生串联共振，并且通过由带状线（12）耦合短路贴片（10）而产生的并联谐振被耦合以扩大频率带宽。 预定长度在0.24λ和0.26λ之间的范围内，优选为0.25λ，其中λ是自由空间中的波长。 带状线探头（14）的形状是螺旋形，螺旋形或折叠式。

公开(公告)号：KR100810291B1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020040070113

申请日：2004-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 박익모 ,  정종호 ,  문영민 ,  이성수

IPC: H01Q9/30

CPC classification number: H01Q9/36 ,  H01Q9/0414 ,  H01Q9/0421 ,  H01Q9/0457 ,  H01Q9/27 ,  H01Q9/30 ,  H01Q9/42 ,  H01Q11/08

Abstract: 본 발명은 길이가 대략 λ。/4 (단, λ。는 자유공간에서의 파장길이) 이고, 스파이럴 형태, 폴디드(folded) 형태와 나선(helix) 형태 중 어느 하나의 형태를 갖는 스트립 선로 프로브 및 이와 단락된 패치를 전자기적으로 결합한 형태의 모노폴 안테나를 개시하고, 집중소자를 이용한 안테나의 등가모델을 제시한다. 스트립 선로는 모노폴 안테나로써 인덕턴스 성분을 가지는 직렬 RLC 공진회로로 등가화 되며, 단락된 패치는 스트립 선로에 의해 전자기적으로 결합되며 캐패시턴스 성분을 가지는 모노폴 안테나로써 병렬 RLC 공진회로로 등가화 된다. 본 발명의 안테나는 직렬 공진회로의 공진과 커플링에 의해 급전되는 병렬 공진회로의 공진이 결합하여 넓은 주파수 대역폭을 가지게 된다. 그러므로 직렬 공진회로와 병렬 공진회로의 인덕턴스와 캐패시턴스를 조정함으로써 공진주파수의 조절이 가능하게 되고, 안테나의 응용 목적에 따라서 이중대역 안테나와 넓은 대역폭의 단일대역 안테나로써 설계 할 수 있다.
모노폴, 패치, 단락핀, RLC

公开(公告)号：KR1020020076473A

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：KR1020010016326

申请日：2001-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문희 ,  심우관 ,  고형호 ,  정종호

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10855

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device including a storage electrode of a capacitor is provided to maximize electrostatic capacitance of a capacitor by increasing a surface area of a storage electrode. CONSTITUTION: An isolation region(150) is formed on a semiconductor substrate(100). A conductive pad(410) is formed on an active region of the semiconductor substrate(100). A conductive plug is formed on the semiconductor substrate(100) by using an SAC(Self Aligned Contact) forming method. A mold is formed on an interlayer dielectric(230). A recess process is performed on a surface of the conductive plug. An electrode layer is formed on a sidewall of the mold and a recessed conductive plug(450'). A storage electrode(650) is separated by removing the electrode layer from an upper surface of the mold.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造包括电容器的存储电极的半导体器件的方法，以通过增加存储电极的表面积来最大化电容器的静电电容。 构成：在半导体衬底（100）上形成隔离区（150）。 导电焊盘（410）形成在半导体衬底（100）的有源区上。 通过使用SAC（自对准接触）形成方法在半导体衬底（100）上形成导电插塞。 在层间电介质（230）上形成模具。 在导电插头的表面上进行凹陷处理。 电极层形成在模具的侧壁和凹入的导电插塞（450'）上。 通过从模具的上表面去除电极层来分离存储电极（650）。

公开(公告)号：KR100389926B1

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：KR1020010016326

申请日：2001-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문희 ,  심우관 ,  고형호 ,  정종호

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10855

Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device having a storage electrode of a capacitor is provided. The method includes the steps of: forming a contact hole perforating through an interlayer dielectric layer on a semiconductor substrate; forming a conductive plug to fill the contact hole and expose the surface of the interlayer dielectric layer; forming molds on the interlayer dielectric layer to expose the surface of the conductive plug; recessing the upper surface of the conductive plug to expose a portion of the sidewalls of the interlayer dielectric layer; forming an electrode layer to cover the recessed conductive plug, and the sidewalls of the interlayer dielectric layer and the molds; and removing upper surfaces of the electrode layer to make a storage electrode until molds are exposed. The method further includes the steps of: forming a conductive pad electrically connected to the semiconductor substrate and a lower insulating layer surrounding the conductive pad; and forming bit line stacks on the lower insulating layer, wherein the interlayer dielectric layer covers the bit line stacks, and the contact hole between the bit line stacks exposes the conductive pad.

Abstract translation: 提供了一种制造具有电容器的存储电极的半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：形成贯穿半导体衬底上的层间介电层的接触孔; 形成导电插塞以填充接触孔并暴露层间介电层的表面; 在层间介电层上形成模具以暴露导电插塞的表面; 使导电插塞的上表面凹陷以暴露层间介电层的一部分侧壁; 形成电极层以覆盖凹陷的导电插塞以及层间介电层和模具的侧壁; 去除电极层的上表面以形成存储电极直到模具暴露。 该方法还包括以下步骤：形成电连接到半导体衬底的导电焊盘和围绕导电焊盘的下绝缘层; 以及在下绝缘层上形成位线堆叠，其中层间介电层覆盖位线堆叠，并且位线堆叠之间的接触孔暴露导电焊盘。

公开(公告)号：KR100421038B1

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：KR1020010016327

申请日：2001-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문희 ,  이근택 ,  심우관 ,  정종호

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B7/0057 ,  B08B7/02 ,  B24C1/003 ,  Y10S134/902

Abstract: A cleaning apparatus for removing contaminants from the surface of a substrate includes two parts: one which produces an aerosol including frozen particles and directs the aerosol onto the surface of the substrate to remove contaminants from the surface by physical force, and another part in which a fluid including a gaseous reactant is directed onto the surface of the substrate while the surface is irradiated to cause a chemical reaction between the reactant and organic contaminants on the surface, to chemically removing the organic contaminants. In the method of cleaning the substrate, the physical and chemical cleaning processes are carried out in a separate manner from one another so that the frozen particles of the aerosol are not exposed to the effects of the light used in irradiating the surface of the substrate. Therefore, the effectiveness of the aerosol in cleaning the substrate is maximized.

Abstract translation: 用于从基底表面去除污染物的清洁设备包括两部分：一部分产生包括冷冻颗粒的气溶胶并将气溶胶引导到基底表面上以通过物理力从表面除去污染物，另一部分是其中 包括气态反应物的流体被引导到基底的表面上，同时辐照表面以引起反应物和表面上的有机污染物之间的化学反应，从而化学除去有机污染物。 在清洁基板的方法中，物理和化学清洁过程以彼此分离的方式进行，以使气溶胶的冷冻颗粒不暴露于照射基板表面所使用的光的作用。 因此，气雾剂在清洁基材上的效果被最大化。

公开(公告)号：KR100680728B1

公开(公告)日：2007-02-09

申请号：KR1020050021872

申请日：2005-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영일 ,  이성수 ,  박익모 ,  정종호 ,  문영민

IPC: H01Q9/30

CPC classification number: H01Q9/0407 ,  H01Q9/30

Abstract: 수직 접지면을 가지는 전자기적 결합 급전 소형 광대역 모노폴 안테나가 개시된다. 본 발명에 따른 수직 접지면을 가지는 전자기적 결합 급전 소형 광대역 모노폴 안테나는 단락된 사각 디스크 아래에 폴디드 스트립선로를 위치시킴으로써 소형(0.085λ
0 ×0.085λ
0 ×0.085λ
0 )으로 구현할 수 있으며, 단락된 사각 디스크의 공진과 사각 폴디드 스트립선로의 공진을 결합함으로써 중심 주파수 2.313 GHz에서 VSWR≤2를 기준으로 약 37.6%의 넓은 대역폭을 이룰 수 있다. 또한, 수직한 접지면에 의한 복사패턴의 왜곡현상을 개선하기 위하여 접지면에 직사각형의 슬릿을 삽임합으로써 후방복사가 3 dBi이상 감소된다. 설계한 안테나는 일반적인 모노폴 안테나와 유사한 전방향성의 복사패턴을 보이며 이득은 대역폭 내에서 약 2.6 dBi의 값을 갖는다.
모노폴, 패치, 단락핀, RLC, 수직 접지면

公开(公告)号：KR1020060100158A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050021872

申请日：2005-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영일 ,  이성수 ,  박익모 ,  정종호 ,  문영민

IPC: H01Q9/30

CPC classification number: H01Q9/0407 ,  H01Q9/30

Abstract: 수직 접지면을 가지는 전자기적 결합 급전 소형 광대역 모노폴 안테나가 개시된다. 본 발명에 따른 수직 접지면을 가지는 전자기적 결합 급전 소형 광대역 모노폴 안테나는 단락된 사각 디스크 아래에 폴디드 스트립 선로를 위치시킴으로써 소형(0.085λ
0 ×0.085λ
0 ×0.085λ
0 )으로 구현할 수 있으며, 단락된 사각 디스크의 공진과 사각 폴디드 스트립선로 급전의 공진을 결합함으로써 중심 주파수 2.313 GHz에서 VSWR≤2를 기준으로 약 37.6%의 넓은 대역폭을 이룰 수 있다. 또한, 수직한 접지면에 의한 복사패턴의 왜곡현상을 개선하기 위하여 접지면에 직사각형의 슬릿을 삽임합으로써 후방복사가 3 dBi이상 감소된다. 설계한 안테나는 일반적인 모노폴 안테나와 유사한 전방향성의 복사패턴을 보이며 이득은 대역폭 내에서 약 2.6 dBi의 값을 갖는다.
모노폴, 패치, 단락핀, RLC, 수직 접지면

公开(公告)号：KR1020020076474A

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：KR1020010016327

申请日：2001-03-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문희 ,  이근택 ,  심우관 ,  정종호

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B7/0057 ,  B08B7/02 ,  B24C1/003 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A cleaning apparatus for removing a pollutant from a surface and a cleaning method using the same are provided to remove effectively pollutants from the surface of a substrate in a fabrication process of a memory device or an LCD device. CONSTITUTION: A transfer chamber(100) is used for distributing and transferring substrates(400) to the first and the second cleaning chambers(200,300). The substrates(400) are supplied to the transfer chamber(100) by a predetermined loading portion. A robot can be installed in the transfer chamber(100) in order to distribute and transfer the substrates(400). The robot is used for transferring the substrates(400) from transfer chamber(100) to the first and the second cleaning chambers(200,300) or from the first and the second cleaning chambers(200,300) to the transfer chamber(100). The first and the second cleaning chambers(200,300) provide places for removing pollutants from surfaces of the substrates(400). The first cleaning chamber(200) is used for performing a chemical cleaning process. The second cleaning chamber(300) is used for performing a physical cleaning process. A reactant supply portion(510) is installed in the first chamber(200). A light source is used for radiating light to the surface of the substrate. An aerosol nozzle(610) is installed in the second cleaning chamber(300). A heat exchanger(800) is used for supplying cooled particles to the aerosol nozzle(610).

Abstract translation: 目的：提供一种用于从表面去除污染物的清洁装置和使用其的清洁方法，用于在存储装置或LCD装置的制造过程中有效地去除基板表面的污染物。 构成：传送室（100）用于将基板（400）分配和传送到第一和第二清洁室（200,300）。 基板（400）通过预定的加载部分供给到传送室（100）。 机器人可以安装在传送室（100）中，以便分配和传送基板（400）。 机器人用于将基板（400）从传送室（100）传送到第一和第二清洁室（200,300）或从第一和第二清洁室（200,300）传送到传送室（100）。 第一和第二清洗室（200,300）提供从基板（400）的表面去除污染物的位置。 第一清洗室（200）用于进行化学清洗处理。 第二清洁室（300）用于进行物理清洁处理。 反应物供给部（510）安装在第一室（200）中。 光源用于将光照射到衬底的表面。 气溶胶喷嘴（610）安装在第二清洗室（300）中。 热交换器（800）用于将冷却的颗粒供应到气溶胶喷嘴（610）。