서브 워드 라인 드라이버를 포함하는 반도체 소자
    4.
    发明公开
    서브 워드 라인 드라이버를 포함하는 반도체 소자 有权
    具有子字线驱动器的半导体器件

    公开(公告)号:KR1020110083094A

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:KR1020100003131

    申请日:2010-01-13

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a sub word line driver is provided to improve the yield of the semiconductor device by securing the interval between material lines which are used as a main word line. CONSTITUTION: In a semiconductor device having a sub word line driver, first and the second sub word lines(SW1,SW2) transfer an operating signal to a memory cell. A main word line selectively transfers the operating signal to the first and second sub word lines. A switching transistor is connected between the first sub word line and second sub word lines. The gate of the switching transistor is connected to a main word line. A first N type transistor is connected between the first sub word line and the ground. A second N type transistor is connected between the second sub word line and the ground. The gates of the first and second N type transistors are connected to the main word line.

    Abstract translation: 目的:提供具有子字线驱动器的半导体器件,以通过确保用作主字线的材料线之间的间隔来提高半导体器件的产量。 构成:在具有子字线驱动器的半导体器件中,第一和第二子字线(SW1,SW2)将操作信号传送到存储器单元。 主字线选择性地将操作信号传送到第一和第二子字线。 开关晶体管连接在第一子字线和第二子字线之间。 开关晶体管的栅极连接到主字线。 第一N型晶体管连接在第一子字线和地之间。 第二N型晶体管连接在第二子字线和地之间。 第一和第二N型晶体管的栅极连接到主字线。

    블로잉을 이용한 포토 마스크의 세정 방법 및 장치
    5.
    发明公开
    블로잉을 이용한 포토 마스크의 세정 방법 및 장치 有权
    通过吹扫清洗光泽的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020110013705A

    公开(公告)日:2011-02-10

    申请号:KR1020090071303

    申请日:2009-08-03

    CPC classification number: G03F1/82 H01L21/302

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for cleaning a photo mask using a blowing operation is provided to expand the life expectancy of the photo mask by preventing the change of a critical dimension due to the loss of chromium. CONSTITUTION: One side of a photo mask(1) is divided into a first region(10) and a second region(20). A main pattern(15) to be protected from a cleaning solution is formed in the first region. A material(25) to be eliminated using the cleaning solution is in the second region. The cleaning solution is sprayed from the inside to the outside of the second region in order to eliminate the material. A gas is blown from the first region to the second region in order to protect the pattern from the cleaning solution.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用吹风操作来清洁光罩的方法和设备,以通过防止由于铬的损失导致的临界尺寸的变化来扩大光罩的使用寿命。 构成:光掩模(1)的一侧分为第一区域(10)和第二区域(20)。 在第一区域中形成要被清洁溶液保护的主图案(15)。 使用清洗液排除的材料(25)位于第二区域。 清洗液从第二区域的内部喷射到外部,以消除材料。 气体从第一区域吹送到第二区域,以便保护图案免受清洁溶液的影响。

    반도체 제조공정의 기판 처리 방법
    6.
    发明授权
    반도체 제조공정의 기판 처리 방법 失效
    在半导体制造工艺中处理衬底的方法

    公开(公告)号:KR100634401B1

    公开(公告)日:2006-10-16

    申请号:KR1020040061232

    申请日:2004-08-03

    Abstract: 반도체 제조공정의 기판 처리 방법을 제공한다. 이 방법은 유기계 첨가물(organic additive)이 함유된 무기계 세정액(inorganic cleaning solution)을 사용하여 기판을 세정하는 단계와, 유기 알코올(organic alcohole)을 사용하여 기판을 린스하는 단계와, 탈이온수(deionized water)를 사용하여 기판을 린스하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 提供了一种半导体制造工艺的衬底处理方法。 该方法包括使用含有机添加剂的无机清洁溶液清洁基板,用有机醇冲洗基板,并用去离子水冲洗基板 )冲洗基材。

    산화막 제거용 식각액 및 그 제조 방법과 반도체 소자의제조 방법
    7.
    发明授权
    산화막 제거용 식각액 및 그 제조 방법과 반도체 소자의제조 방법 失效
    用于去除氧化膜的蚀刻溶液,其制备方法以及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR100604853B1

    公开(公告)日:2006-07-26

    申请号:KR1020040034566

    申请日:2004-05-15

    CPC classification number: H01L21/31111 H01L21/76224 H01L28/40

    Abstract: 음이온성 계면활성제를 함유하는 산화막 제거용 식각액 및 그 제조 방법과 식각액을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 식각액은 HF, 순수, 및 음이온성 계면활성제로 이루어진다. 음이온성 계면활성제는 R
    1 -OSO
    3
    - HA
    + , R
    1 -CO
    2
    - HA
    + , R
    1 -PO
    4
    2- (HA
    + )
    2 , (R
    1 )
    2 -PO
    4
    - HA
    + , 또는 R
    1 -SO
    3
    - HA
    + (식중, R
    1 은 직쇄(straight chain) 또는 측쇄(side chain)를 가지는 C
    4 ∼ C
    22 의 탄화수소기이고, A는 암모니아 또는 아민)으로 표시되는 바와 같이 카운터 이온으로서 아민염을 가지는 화합물로 이루어진다. 본 발명에 따른 식각액은 질화막 또는 폴리실리콘막에 대하여 산화막의 높은 식각 선택비를 제공함으로써 STI 소자분리 공정 또는 커패시터 형성 공정과 같은 반도체 소자 제조 공정시 질화막 또는 폴리실리콘막이 산화막과 동시에 노출되어 있는 상태에서 산화막 만을 선택적으로 제거하는 데 유리하게 적용된다.
    음이온성 계면활성제, HF, 산화막, 식각 선택비

    리세스 채널 영역을 갖는 반도체 기판의 세정 방법
    9.
    发明公开
    리세스 채널 영역을 갖는 반도체 기판의 세정 방법 失效
    具有输入通道区域的半导体衬底的清洁方法

    公开(公告)号:KR1020060012514A

    公开(公告)日:2006-02-08

    申请号:KR1020040061228

    申请日:2004-08-03

    Abstract: 리세스 채널 영역을 갖는 반도체 기판의 세정 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판의 소정영역에 배치되어 활성영역들을 정의하는 소자분리막들을 형성하고, 상기 활성영역들의 소정영역을 식각하여 상기 소자분리막들의 측벽을 노출시키는 리세스 채널 영역을 형성한 후, 상기 리세스 채널 영역의 표면을 선택적으로 식각할 수 있는 소정의 희석 세정액을 사용하여 상기 리세스 채널 영역이 형성된 반도체기판을 세정하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 희석 세정액은 대략 0.1 내지 1의 부피비를 갖는 암모니아수, 대략 0.3 내지 1의 부피비를 갖는 과산화수소수 및 대략 98 내지 99.6의 부피비를 갖는 순수의 혼합액이다.

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