公开(公告)号：KR101590477B1

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：KR1020140049999

申请日：2014-04-25

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  송길용

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/265

Abstract: 본발명은실리콘카바이드쇼트키다이오드및 그의제조방법에관한것으로, 실리콘카바이드쇼트키다이오드의제조방법은, N형 SiC 기판위에 N형에피층(epilayer)을성장시킨후 식각(etching)함으로써트렌치(trench) 구조를형성하고, 트렌치구조의일측벽면에 N+ 도핑층을형성하고트렌치구조내의나머지부분을부도체로절연하며, N형에피층및 트렌치구조를통해노출된부도체의상단영역에금속박막을이용한전계판(field plate)을증착한다.

公开(公告)号：KR1020150123526A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：KR1020140049999

申请日：2014-04-25

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  송길용

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: 본발명은실리콘카바이드쇼트키다이오드및 그의제조방법에관한것으로, 실리콘카바이드쇼트키다이오드의제조방법은, N형 SiC 기판위에 N형에피층(epilayer)을성장시킨후 식각(etching)함으로써트렌치(trench) 구조를형성하고, 트렌치구조의일측벽면에 N+ 도핑층을형성하고트렌치구조내의나머지부분을부도체로절연하며, N형에피층및 트렌치구조를통해노출된부도체의상단영역에금속박막을이용한전계판(field plate)을증착한다.

Abstract translation: 本发明涉及使用倾斜离子注入的碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法。 制造碳化硅肖特基势垒二极管的方法包括以下步骤：在N型外延层在N型SiC衬底上生长之后，通过蚀刻N型外延层来形成沟槽结构; 在沟槽结构一侧的壁上形成N +掺杂层; 用非导体绝缘沟槽结构的剩余部分; 以及在通过沟槽结构和N型外延层暴露的非导体的上部区域上使用金属薄膜沉积场板。

公开(公告)号：KR101661551B1

公开(公告)日：2016-09-30

申请号：KR1020140175604

申请日：2014-12-09

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  송길용 ,  조두형

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/06

Abstract: 본발명은트렌치구조의전자축적을이용한 4H-실리콘카바이드 SBR(Super Barrier Rectifier) 소자및 그의제조방법에관한것으로, 기저에실리콘카바이드(Silicon Carbide; SiC)층을먼저형성하고, 그위에 N 형에피층(epi region)과 P-base층을순차로형성한후, P-base층의일측부분을에피층과맞닿을만큼식각하여트렌치(trench) 구조를형성하고, P-base층과상기트렌치구조와맞닿은일측벽면에경사각이온주입(tilt-implantation) 공정을이용하여축적 N 층(accumulation N layer)을형성한다. 다음에축적 N 층과에피층과맞닿은트렌치구조를따라산화물및 그위에폴리실리콘(Poly Si)을증착하고 P-base층부터폴리실리콘영역에이르는최상단을금속으로증착함으로써 4H-SiC SBR을제조한다.

公开(公告)号：KR1020160069701A

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020140175604

申请日：2014-12-09

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  송길용 ,  조두형

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/16 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1602

Abstract: 본발명은트렌치구조의전자축적을이용한 4H-실리콘카바이드 SBR(Super Barrier Rectifier) 소자및 그의제조방법에관한것으로, 기저에실리콘카바이드(Silicon Carbide; SiC)층을먼저형성하고, 그위에 N 형에피층(epi region)과 P-base층을순차로형성한후, P-base층의일측부분을에피층과맞닿을만큼식각하여트렌치(trench) 구조를형성하고, P-base층과상기트렌치구조와맞닿은일측벽면에경사각이온주입(tilt-implantation) 공정을이용하여축적 N 층(accumulation N layer)을형성한다. 다음에축적 N 층과에피층과맞닿은트렌치구조를따라산화물및 그위에폴리실리콘(Poly Si)을증착하고 P-base층부터폴리실리콘영역에이르는최상단을금속으로증착함으로써 4H-SiC SBR을제조한다.

Abstract translation: 本发明涉及通过使用沟槽结构的电子积累的4H-碳化硅（SiC）超级势垒整流器（SBR）器件及其制造方法。 制造4H SiC SBR的方法包括以下步骤：预先在衬底上形成SiC层，然后在其上依次形成N型外延区域和P基极层; 通过蚀刻P基层的一面与外延区域接触来形成沟槽结构; 通过在与P基层和沟槽结构接触的一侧的壁面上使用倾斜注入工艺形成堆积N层; 沿着与堆积N层和外延区接触的沟槽结构在氧化物上沉积氧化物，然后沉积氧化物; 以及在从P基层到多晶硅区域的最上部分上沉积金属。