公开(公告)号：KR1020160066811A

公开(公告)日：2016-06-13

申请号：KR1020140172044

申请日：2014-12-03

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  심슬기 ,  조두형

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/265 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8725

Abstract: 본발명은실리콘카바이드트렌치모스장벽쇼트키다이오드및 그의제조방법에관한것으로, 기판위에 N형에피층(epilayer)을성장시키고, 마스크(mask)를사용하여에피층을식각(etching)함으로써트렌치(trench) 구조를형성하고, 마스크를유지한채로트렌치구조의내측벽면에도핑층을형성하고, 도핑층을포함하여트렌치구조의내측벽면과바닥면을감싸도록산화막을증착하고, 트렌치구조의노출된상단과산화막을감싸도록전하인가층을증착하며, 전하인가층의상단과기판하단에각각애노드(anode) 금속접합과캐소드(cathode) 금속접합을형성한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种SiC沟槽MOS势垒肖特基二极管及其制造方法。 该方法包括：在衬底上具有n型外延层生长; 使用掩模蚀刻外延层以形成沟槽结构; 在保持掩模的情况下在沟槽结构的内壁上形成掺杂层; 沉积氧化物膜以覆盖包括掺杂层的沟槽结构的内壁和底表面; 沉积电荷施加层以覆盖所述沟槽结构和所述氧化物膜的暴露的顶端; 以及在所述电荷施加层的顶端和所述衬底的底端上分别形成阳极金属结和阴极金属结。

公开(公告)号：KR101669987B1

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：KR1020140172044

申请日：2014-12-03

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 김광수 ,  심슬기 ,  조두형

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/265

Abstract: 본발명은실리콘카바이드트렌치모스장벽쇼트키다이오드및 그의제조방법에관한것으로, 기판위에 N형에피층(epilayer)을성장시키고, 마스크(mask)를사용하여에피층을식각(etching)함으로써트렌치(trench) 구조를형성하고, 마스크를유지한채로트렌치구조의내측벽면에도핑층을형성하고, 도핑층을포함하여트렌치구조의내측벽면과바닥면을감싸도록산화막을증착하고, 트렌치구조의노출된상단과산화막을감싸도록전하인가층을증착하며, 전하인가층의상단과기판하단에각각애노드(anode) 금속접합과캐소드(cathode) 금속접합을형성한다.